دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: 1 نویسندگان: Gudrun Kissinger. Sergio Pizzini سری: ISBN (شابک) : 1466586648, 9781466586642 ناشر: CRC Press سال نشر: 2014 تعداد صفحات: 424 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 21 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب سیلیکون ، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها: رشد ، نقص ، ناخالصی ها و نانوکریستال ها: فیزیک، فیزیک حالت جامد
در صورت تبدیل فایل کتاب Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب سیلیکون ، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها: رشد ، نقص ، ناخالصی ها و نانوکریستال ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
علیرغم دانش گسترده انباشته شده در مورد سیلیکون، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها، این مواد همچنان نیازمند تحقیق هستند، به ویژه با توجه به بهبود دانش در مورد آلیاژهای سیلیکون-ژرمانیوم و پتانسیل های سیلیکون به عنوان بستری برای سلول های خورشیدی با کارایی بالا. و برای نیمه هادی های ترکیبی و توسعه مداوم نانووسایل مبتنی بر نانوسیم ها و نانو نقطه ها.
سیلیکون، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها: رشد، نقص، ناخالصی ها و نانوبلورهاکل طیف را پوشش می دهد. فعالیتهای تحقیق و توسعه در سیلیکون، ژرمانیوم و آلیاژهای آنها، ارائه آخرین دستاوردها در زمینه رشد کریستال، عیوب نقطهای، عیوب گسترده و ناخالصیهای نانوبلورهای سیلیکون و ژرمانیوم.
متخصصین شناخته شده جهانی هستند نویسندگان فصول کتاب، که شامل مشکلات رشد و خصوصیات مواد نانوساختار، لایه نازک، مدلسازی نظری، عیوب کریستالی، انتشار و مسائل مهم کاربردی، از جمله حکاکی شیمیایی بهعنوان تکنیک تعیین نقص، تجزیه و تحلیل طیفسنجی ناخالصیها هستند. ، و استفاده از دستگاه ها به عنوان ابزاری برای اندازه گیری کیفیت مواد.
Despite the vast knowledge accumulated on silicon, germanium, and their alloys, these materials still demand research, eminently in view of the improvement of knowledge on silicon–germanium alloys and the potentialities of silicon as a substrate for high-efficiency solar cells and for compound semiconductors and the ongoing development of nanodevices based on nanowires and nanodots.
Silicon, Germanium, and Their Alloys: Growth, Defects, Impurities, and Nanocrystals covers the entire spectrum of R&D activities in silicon, germanium, and their alloys, presenting the latest achievements in the field of crystal growth, point defects, extended defects, and impurities of silicon and germanium nanocrystals.
World-recognized experts are the authors of the book’s chapters, which span bulk, thin film, and nanostructured materials growth and characterization problems, theoretical modeling, crystal defects, diffusion, and issues of key applicative value, including chemical etching as a defect delineation technique, the spectroscopic analysis of impurities, and the use of devices as tools for the measurement of materials quality.