SiC Power Materials: Devices and Applications

در دهه 1950، شاکلی پیش‌بینی کرد که SiC به سرعت جایگزین Si می‌شود، زیرا خواص مواد برتر آن است. از بسیاری جهات حق با او بود و امروزه صنعت فعالی مبتنی بر SiC وجود دارد که هر سال دستاوردهای جدیدی گزارش می شود. این کتاب به بررسی پیشرفت های به دست آمده در تحقیق و توسعه SiC، به ویژه در طول 10 سال گذشته می پردازد. این ویژگی های اساسی پلی تیپ های 3C-، 6H- و 4H-SiC از جمله خواص ساختاری، الکتریکی، نوری، سطح و رابط را ارائه می دهد. دستگاه‌های کلیدی SiC موجود و همچنین چالش‌های موجود در رشد مواد و ساخت دستگاه در قرن بیست و یکم را شرح می‌دهد. به طور کلی یک کتاب مرجع به روز مناسب برای مخاطبان وسیعی از تازه واردان، دانشجویان فارغ التحصیل و مهندسان در تحقیق و توسعه صنعتی فراهم می کند.

In the 1950s Shockley predicted that SiC would quickly replace Si as a result of its superior material properties. In many ways he was right and today there is an active industry based on SiC, with new achievements being reported every year. This book reviews the progress achieved in SiC research and development, particularly over the past 10 years. It presents the essential properties of 3C-, 6H- and 4H-SiC polytypes including structural, electrical, optical, surface and interface properties; describes existing key SiC devices and also the challenges in materials growth and device fabrication of the 21st century. Overall it provides an up-to-date reference book suitable for a broad audience of newcomers, graduate students and engineers in industrial R&D.