مشخصات کتاب

Si Silicon: System Si-C. SiC: Natural Occurrence. Preparation and Manufacturing Chemistry. Special Forms. Manufacture. Electrochemical Properties. Chemical Reactions. Applications. Ternary and Higher Systems with Si and C

ویرایش:  
نویسندگان: Vera Haase,  Gerhard Kirschstein,  Hildegard List,  Sigrid Ruprecht,  Raymond Sangster,  Friedrich Schröder,  Wolfgang Töpper,  Hans Vanecek,  Werner Heit,  Jürgen Schlichting (auth.),  Hartmut Katscher,  Raymond Sangster,  Friedrich Schröder (eds.)  
سری: Gmelin Handbook of Inorganic Chemistry / Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie S-i / B / 1-5 / 3 
ISBN (شابک) : 9783662069967, 9783662069943 
ناشر: Springer Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1985 
تعداد صفحات: 562 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 12 Mb 

در صورت تبدیل فایل کتاب Si Silicon: System Si-C. SiC: Natural Occurrence. Preparation and Manufacturing Chemistry. Special Forms. Manufacture. Electrochemical Properties. Chemical Reactions. Applications. Ternary and Higher Systems with Si and C به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Si Silicon: System Si-C. SiC: وقوع طبیعی. شیمی آماده سازی و ساخت. فرم های ویژه تولید خواص الکتروشیمیایی. واکنشهای شیمیایی. برنامه های کاربردی. سیستم های سه گانه و بالاتر با سی و سی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب Si Silicon: System Si-C. SiC: وقوع طبیعی. شیمی آماده سازی و ساخت. فرم های ویژه تولید خواص الکتروشیمیایی. واکنشهای شیمیایی. برنامه های کاربردی. سیستم های سه گانه و بالاتر با سی و سی

این جلد پوشش کاربید سیلیکون، SiC را که در ضمیمه "سیلیکون" جلد B 2، 1984، با عنوان فرعی "کاربید سیلیکون - قسمت اول" آغاز شده است، پایان می دهد. بخش اول خواص فیزیکی SiC، دیودهای SiC، گونه های مولکولی در فاز گاز SiC-C و آلیاژهای سیلیسیم-کربن آمورف را شرح داد. قسمت دوم فعلی (مکمل "سیلیکون" جلد B 3،1986) در فصل اولیه خود نمودار فاز Si-C و در فصل های آخر سیستم های مرتبه بالاتر Si و C را با عناصر اضافی از طریق بور، که بر اساس Gmelin مرتب شده اند، پوشش می دهد. سیستم. در بین حدود 95 درصد از جلد روی SiC تمرکز دارد، که با وقوع طبیعی، آماده‌سازی و تشکیل، و خالص‌سازی آن، ادامه آنالیز شیمیایی، ساخت اشکال خاص، الکتروشیمی و واکنش‌های شیمیایی، و با توصیف بی‌شمار آن ادامه می‌یابد. برنامه های کاربردی. بخش برنامه های کاربردی نهایی که دستگاه های الکترونیکی را پوشش می دهد همچنین کاربردهای مشابه آلیاژهای بی شکل Si-C را توصیف می کند. فصل‌های متوالی در این جلد اغلب ارتباط نزدیکی با یکدیگر دارند، زیرا اغلب لازم است که SiC مستقیماً به شکلی که در آن اعمال شود، سنتز شود. SiC را نمی‌توان ذوب و ریخته‌گری کرد، یا نورد کرد یا کشید و به راحتی آبکاری یا تف جوشی یا خالص‌سازی نمی‌شود. کاربید سیلیکون اولین بار زمانی که E.G. آچسون در سال 1891 از جریان الکتریکی برای گرم کردن مخلوطی از خاک رس و کربن تا دمای بسیار بالا استفاده کرد.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This volume concludes the coverage of silicon carbide, SiC, begun in "Silicon" Supplement Volume B 2, 1984, subtitled "Silicon Carbide - Part I". Part I described the physical properties of SiC, SiC diodes, molecular species in the SiC-C gas phase, and amorphous silicon-carbon alloys. The current Part II ("Silicon" Supplement Volume B 3,1986) covers in its initial chapter the Si-C phase diagram and in the final chapters the higher order systems of Si and C with additional elements through boron, arranged according to the Gmelin system. In between some 95% of the volume focusses on SiC, beginning with its natural occurrence, preparation and formation, and purification, continuing with its chemical analysis, manufacture of special ized forms, electrochemistry, and chemical reactions, and concluding with descriptions of its myriad applications. The final applications section covering electronic devices also describes similar applications of the amorphous Si-C alloys. The successive chapters in this volume are often closely interrelated, since it is often necessary to synthesize SiC directly in a form in which it will be applied. SiC cannot be melted and cast, nor rolled nor drawn, nor is it easily electroplated or sintered or purified. Silicon carbide first became known to man when E.G. Acheson in 1891 used an electric current to heat a mixture of clay and carbon to extremely high temperatures.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages N2-XVI
The Si-C Phase Diagram....Pages 1-5
Silicon Carbide, SiC....Pages 6-518
The Systems Si-C-H and Si-C-H+Ar....Pages 519-521
The Phase Diagram Si-C-O....Pages 522-526
The Phase Diagram Si-C-N....Pages 527-533
The Si-C-F(-H) System....Pages 533-533
The Si-C-CI-H System....Pages 534-537
The Si-C-Br-H System....Pages 538-538
The Si-C-I(-Br)(-CI)(-H) System....Pages 538-538
The Si-C-S(-O-H) System....Pages 538-538
The Si-C-Se System....Pages 538-538
The Si-C-Te System....Pages 538-538
The Si-C-B System....Pages 539-543
Back Matter....Pages 544-549

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Los orígenes del pueblo griego

دانلود کتاب Project Management with CompTIA Project+: On Track from Start to Finish

دانلود کتاب Untersuchungen über Raumgewicht und Druckfestigkeit des Holzes wichtiger Waldbäume

دانلود کتاب The United States and the Caribbean: Transforming Hegemony and Sovereignty

دانلود کتاب Privatizing China: Inside China's Stock Markets, 2nd Edition