دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: فیزیک حالت جامد ویرایش: نویسندگان: Grahn H.T. (Ed.) سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 252 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 8 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Superlattices نیمه هادی: خصوصیات رشد و الکترونیکی: فیزیک، فیزیک حالت جامد، فیزیک نیمه هادی ها
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor Superlattices: Growth and Electronic Properties به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Superlattices نیمه هادی: خصوصیات رشد و الکترونیکی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
World Scientific Publishing Company، 1995. - 250 р.
این کتاب ابرشبکه های نیمه هادی، به ویژه رشد و خواص الکترونیکی
آنها را در میدان الکتریکی کاربردی عمود بر لایه ها بررسی می کند.
تحولات اصلی در این زمینه که در پنج تا هفت سال اخیر حاصل شده
است، خلاصه می شود. ویژگی های الکترونیکی شامل انتقال از طریق
مینی باندها با شدت میدان الکتریکی پایین، محلی سازی
Wannier-Stark و نوسانات بلوخ در شدت میدان الکتریکی متوسط، تونل
زنی رزونانسی الکترون ها و حفره ها بین زیر باندهای مختلف، و
تشکیل حوزه های میدان الکتریکی برای چگالی حامل های بزرگ در بالا
است. قدرت میدان الکتریکی
World Scientific Publishing Company, 1995. - 250 р.
This book surveys semiconductor superlattices, in particular
their growth and electronic properties in an applied electric
field perpendicular to the layers. The main developments in
this field, which were achieved in the last five to seven
years, are summarized. The electronic properties include
transport through minibands at low electric field strengths,
the Wannier–Stark localization and Bloch oscillations at
intermediate electric field strengths, resonant tunneling of
electrons and holes between different subbands, and the
formation of electric field domains for large carrier densities
at high electric field strengths.