ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Semiconductor Physics: An Introduction

دانلود کتاب فیزیک نیمه هادی ها: مقدمه

Semiconductor Physics: An Introduction

مشخصات کتاب

Semiconductor Physics: An Introduction

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری: Springer Series in Solid-State Sciences 40 
ISBN (شابک) : 9783662023532, 9783662023518 
ناشر: Springer Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1982 
تعداد صفحات: 476 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 54,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک نیمه هادی ها: مقدمه: مهندسی، عمومی



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor Physics: An Introduction به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک نیمه هادی ها: مقدمه نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک نیمه هادی ها: مقدمه

اولین نسخه "فیزیک نیمه هادی" در سال 1973 توسط Springer-Verlag Wien-New York به صورت جلد شومیز در نسخه مطالعاتی Springer منتشر شد. در سال 1977 ترجمه روسی توسط پروفسور یو. K. Pozhela و همکاران در Vilnius/USSR توسط Izdatelstvo "MIR"، Mo scow منتشر شد. از آن زمان ایده های جدیدی در زمینه نیمه هادی ها مانند قطرات سوراخ الکترونی، اشباع پیوند آویزان در سیلیکون آمورف توسط هیدروژن، یا تعیین ثابت ساختار ریز از کوانتیزه شدن سطح در لایه های وارونه ایجاد شده است. تکنیک‌های جدید مانند اپیتاکسی پرتو مولکولی که تحقق ابرشبکه Esaki را ممکن کرده است، طیف‌سنجی گذرا سطح عمیق و a. ج تکنیک های سالن تکامل یافته است. اکنون که نسخه وینی در شرف اتمام است، Springer-Verlag، برلین-هایدلبرگ-نیویورک به من این فرصت را می دهد که این موضوعات جدید را در یک مونوگراف قرار دهم تا در مجموعه علوم حالت جامد ظاهر شوم. مجدداً قصد داشتیم حوزه فیزیک نیمه هادی ها را به طور جامع پوشش دهیم، اگرچه برخی از فصل ها مانند انتشار حامل های داغ و پدیده های گالوانومغناطیسی آنها و همچنین نیمه هادی های منحط فوق رسانا و ضمیمه ها، به دلایل تجاری مجبور شدند به پایان بروند. تأکید بیشتر بر روی فیزیک است تا دستگاه به عنوان یک جنبه.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The first edition of "Semiconductor Physics" was published in 1973 by Springer-Verlag Wien-New York as a paperback in the Springer Study Edition. In 1977, a Russian translation by Professor Yu. K. Pozhela and coworkers at Vilnius/USSR was published by Izdatelstvo "MIR", Mo scow. Since then new ideas have been developed in the field of semi conductors such as electron hole droplets, dangling bond saturation in amorphous silicon by hydrogen, or the determination of the fine struc ture constant from surface quantization in inversion layers. New tech niques such as molecular beam epitaxy which has made the realization of the Esaki superlattice possible, deep level transient spectroscopy, and refined a. c. Hall techniques have evolved. Now that the Viennese edition is about to go out of print, Springer-Verlag, Berlin-Heidelberg-New York is giving me the opportunity to include these new subjects in a monograph to appear in the Solid-State Sciences series. Again it has been the intention to cover the field of semiconductor physics comprehensively, although some chapters such as diffusion of hot carriers and their galvanomagnetic phenomena, as well as super conducting degenerate semiconductors and the appendices, had to go for commercial reasons. The emphasis is more on physics than on device as pects.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XII
Elementary Properties of Semiconductors....Pages 1-9
Energy Band Structure....Pages 10-33
Semiconductor Statistics....Pages 34-45
Charge and Energy Transport in a Nondegenerate Electron Gas....Pages 46-112
Carrier Diffusion Processes....Pages 113-152
Scattering Processes in a Spherical One-Valley Model....Pages 153-213
Charge Transport and Scattering Processes in the Many-Valley Model....Pages 214-255
Carrier Transport in the Warped-Sphere Model....Pages 256-269
Quantum Effects in Transport Phenomena....Pages 270-290
Impact Ionization and Avalanche Breakdown....Pages 291-301
Optical Absorption and Reflection....Pages 302-385
Photoconductivity....Pages 386-401
Light Generation by Semiconductors....Pages 402-416
Properties of the Surface....Pages 417-426
Miscellaneous Semiconductors....Pages 427-433
Back Matter....Pages 434-464




نظرات کاربران