دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
دسته بندی: ابزار ویرایش: نویسندگان: Joachim Piprek سری: ISBN (شابک) : 0125571909 ناشر: Academic Press سال نشر: 2003 تعداد صفحات: 296 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 4 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب دستگاههای نوری نیمه هادی: معرفی فیزیک و شبیه سازی: ابزار دقیق، اپتوالکترونیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor optoelectronic devices: introduction to physics and simulation به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب دستگاههای نوری نیمه هادی: معرفی فیزیک و شبیه سازی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
اپتوالکترونیک به بخش مهمی از زندگی ما تبدیل شده است. هر جا که از نور برای انتقال اطلاعات استفاده می شود، دستگاه های نیمه هادی کوچک برای انتقال جریان الکتریکی به سیگنال های نوری و بالعکس مورد نیاز است. به عنوان مثال می توان به دیودهای ساطع کننده نور در رادیوها و سایر وسایل، آشکارسازهای نوری در درهای آسانسور و دوربین های دیجیتال و دیودهای لیزری که تماس های تلفنی را از طریق فیبرهای شیشه ای انتقال می دهد، اشاره کرد. چنین دستگاه های الکترونیک نوری از برهمکنش های پیچیده بین الکترون ها و نور بهره می برند. ساختارهای نیمه هادی در مقیاس نانومتری اغلب در قلب دستگاه های الکترونیک نوری مدرن قرار دارند. کوچک شدن اندازه و افزایش پیچیدگی آنها، شبیهسازی رایانهای را به ابزاری مهم برای طراحی دستگاههای بهتری که نیازهای عملکرد روزافزون را برآورده میکنند تبدیل میکند. نیاز فعلی به استفاده از نرم افزار طراحی پیشرفته در اپتوالکترونیک از روند مشاهده شده در دهه 1980 با نرم افزار شبیه سازی برای دستگاه های سیلیکونی پیروی می کند. امروزه، نرمافزار طراحی به کمک رایانه (TCAD) و اتوماسیون طراحی الکترونیکی (EDA) بخش اساسی صنعت سیلیکون را نشان میدهد. در اپتوالکترونیک، نرم افزار دستگاه های تجاری پیشرفته اخیراً ظهور کرده است و انتظار می رود در آینده نزدیک نقش مهمی را ایفا کند. این کتاب دانشجویان، مهندسان دستگاه و محققان را قادر می سازد تا به طور مؤثرتری از نرم افزار طراحی پیشرفته در اپتوالکترونیک استفاده کنند. * دانش اساسی در فیزیک نیمه هادی ها و الکترومغناطیسی ارائه می دهد، در حالی که به درک و استفاده از نرم افزارهای شبیه سازی دستگاه های پیشرفته کمک می کند * ترکیبی از اندازه گیری ها و شبیه سازی ها را به منظور به دست آوردن نتایج واقعی نشان می دهد و داده هایی را در مورد تمام پارامترهای مواد مورد نیاز ارائه می دهد * بینش عمیقی به فیزیک می دهد. از پیشرفته ترین دستگاه هاست و به طراحی و تحلیل دستگاه های الکترونیک نوری مدرن کمک می کند
Optoelectronics has become an important part of our lives. Wherever light is used to transmit information, tiny semiconductor devices are needed to transfer electrical current into optical signals and vice versa. Examples include light emitting diodes in radios and other appliances, photodetectors in elevator doors and digital cameras, and laser diodes that transmit phone calls through glass fibers. Such optoelectronic devices take advantage of sophisticated interactions between electrons and light. Nanometer scale semiconductor structures are often at the heart of modern optoelectronic devices. Their shrinking size and increasing complexity make computer simulation an important tool to design better devices that meet ever rising perfomance requirements. The current need to apply advanced design software in optoelectronics follows the trend observed in the 1980's with simulation software for silicon devices. Today, software for technology computer-aided design (TCAD) and electronic design automation (EDA) represents a fundamental part of the silicon industry. In optoelectronics, advanced commercial device software has emerged recently and it is expected to play an increasingly important role in the near future. This book will enable students, device engineers, and researchers to more effectively use advanced design software in optoelectronics. * Provides fundamental knowledge in semiconductor physics and in electromagnetics, while helping to understand and use advanced device simulation software * Demonstrates the combination of measurements and simulations in order to obtain realistic results and provides data on all required material parameters * Gives deep insight into the physics of state-of-the-art devices and helps to design and analyze of modern optoelectronic devices
Cover......Page 1
Half Title Page......Page 2
Title Page......Page 4
Copyright......Page 5
Dedication Page......Page 6
Contents......Page 8
Preface......Page 12
List of Tables......Page 14
I. Fundamentals......Page 18
1.1 Electrons, Holes, Photons, and Phonons......Page 20
1.2 Fermi Distribution and Density of States......Page 22
1.3 Doping......Page 25
2.1 Fundamentals......Page 30
2.2 Electronic Band Structure: The k[vector]·p[vector] method......Page 40
2.3 Quantum Wells......Page 56
2.5 Band Offset at Heterointerfaces......Page 60
3.1 Drift and Diffusion......Page 66
3.2 pn-junctions......Page 67
3.3 Heterojunctions......Page 68
3.4 Tunneling......Page 71
3.5 Boundary Conditions......Page 73
3.6 Carrier Mobility......Page 78
3.7 Electron–Hole Recombination......Page 84
3.8 Electron–Hole Generation......Page 88
3.9 Advanced Transport Models......Page 95
4.1 Maxwell’s Equations......Page 100
4.2 Dielectric Function......Page 102
4.3 Boundary Conditions......Page 111
4.4 Plane Waves......Page 112
4.5 Plane Waves at Interfaces......Page 114
4.6 Multilayer Structures......Page 118
4.7 Helmholtz Wave Equations......Page 119
4.8 Symmetric Planar Waveguides......Page 121
4.9 Rectangular Waveguides......Page 125
4.10 Facet Reflection of Waveguide Modes......Page 127
4.11 Periodic Structures......Page 129
4.12 Gaussian Beams......Page 131
4.13 Far Field......Page 133
5.1 Optical Gain......Page 138
5.2 Spontaneous Emission......Page 153
6.1 Heat Flux Equation......Page 158
6.2 Heat Generation......Page 162
6.4 Boundary Conditions......Page 164
II. Devices......Page 166
7.1 Introduction......Page 168
7.2 Models and Material Parameters......Page 173
7.3 Cavity Length Effects on Loss Parameters......Page 178
7.4 Slope Efficiency Limitations......Page 179
7.5 Temperature Effects on Laser Performance......Page 181
8.2 Long-Wavelength Vertical-Cavity Lasers......Page 188
8.3 Model and Parameters......Page 191
8.4 Carrier Transport Effects......Page 192
8.5 Thermal Analysis......Page 195
8.6 Optical Simulation......Page 198
8.7 Temperature Effects on the Optical Gain......Page 201
9.1 Introduction......Page 204
9.2 Nitride Material Properties......Page 205
9.3 InGaN/GaN Light-Emitting Diode......Page 213
9.4 InGaN/GaN Laser Diode......Page 221
10.1 Introduction......Page 230
10.2 Multiquantum Well Active Region......Page 231
10.3 Optical Waveguide......Page 235
10.4 Transmission Analysis......Page 237
11.1 Introduction......Page 244
11.2 Device Structure and Material Properties......Page 245
11.3 Waveguide Mode Analysis......Page 249
11.4 Detector Responsivity......Page 251
A.2 Unit Conversion......Page 254
B.1 Coordinate Systems......Page 256
B.2 Vector and Matrix Analysis......Page 257
B.3 Complex Numbers......Page 258
B.4 Bessel Functions......Page 259
B.5 Fourier Transformation......Page 260
Appendix C: Symbols and Abbreviations......Page 262
Bibliography......Page 268
Index......Page 290