دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: H. Gamble, B. M. Armstrong, P. T. Baine, Y. H. Low, P. V. Rainey, S. J. N. Mitchell (auth.), Alexei Nazarov, J.-P. Colinge, Francis Balestra, Jean-Pierre Raskin, Francisco Gamiz, V.S. Lysenko (eds.) سری: Engineering Materials ISBN (شابک) : 3642158676, 9783642158674 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2011 تعداد صفحات: 458 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
کلمات کلیدی مربوط به کتاب مواد نیمه هادی بر روی عایق برای کاربردهای نانو الکترونیک: نانوتکنولوژی و میکرومهندسی، نانوتکنولوژی، نیمه هادی ها، خصوصیات و ارزیابی مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Semiconductor-On-Insulator Materials for Nanoelectronics Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب مواد نیمه هادی بر روی عایق برای کاربردهای نانو الکترونیک نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
\"مواد نیمه هادی روی عایق برای کاربردهای نانوالکتونیکی" به زمینه در حال تکامل سریع نانوالکترونیک مدرن و به ویژه به فیزیک و فناوری دستگاه های نانوالکترونیک ساخته شده بر روی سیستم های نیمه هادی روی عایق (SemOI) اختصاص دارد. این کتاب حاوی دستاوردهای شرکت ها و دانشگاه های پیشرو در اروپا، آمریکا، برزیل و روسیه در این زمینه است که در چهار موضوع اصلی بیان شده است: 1. مواد جدید نیمه هادی روی عایق؛ 2. فیزیک دستگاه های SemOI مدرن؛ 3. پیشرفته. مشخصات دستگاه های SemOI؛ 4. حسگرها و MEMS در SOI. "مواد نیمه هادی روی عایق برای کاربردهای نانوالکتونیکی" نه تنها برای متخصصان نانو و میکروالکترونیک، بلکه برای دانش آموزان و برای مخاطبان گسترده تری از خوانندگان علاقه مند مفید است. در جهات جدید در الکترونیک مدرن و اپتوالکترونیک.
"Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” is devoted to the fast evolving field of modern nanoelectronics, and more particularly to the physics and technology of nanoelectronic devices built on semiconductor-on-insulator (SemOI) systems. The book contains the achievements in this field from leading companies and universities in Europe, USA, Brazil and Russia. It is articulated around four main topics: 1. New semiconductor-on-insulator materials; 2. Physics of modern SemOI devices; 3. Advanced characterization of SemOI devices; 4. Sensors and MEMS on SOI. "Semiconductor-On-Insulator Materials for NanoElectonics Applications” is useful not only to specialists in nano- and microelectronics but also to students and to the wider audience of readers who are interested in new directions in modern electronics and optoelectronics.
Front Matter....Pages i-ix
Front Matter....Pages 1-1
Germanium Processing....Pages 3-29
Low-Temperature Fabrication of Germanium-on-Insulator Using Remote Plasma Activation Bonding and Hydrogen Exfoliation....Pages 31-46
Engineering Pseudosubstrates with Porous Silicon Technology....Pages 47-65
Confined and Guided Vapor–Liquid–Solid Catalytic Growth of Silicon Nanoribbons: From Nanowires to Structured Silicon-on-Insulator Layers....Pages 67-89
SOI CMOS: A Mature and Still Improving Technology for RF Applications....Pages 91-119
Front Matter....Pages 121-121
Silicon-based Devices and Materials for Nanoscale FETs....Pages 123-139
FinFETs and Their Futures....Pages 141-153
Ultrathin Body Silicon on Insulator Transistors for 22 nm Node and Beyond....Pages 155-168
Ultrathin n-Channel and p-Channel SOI MOSFETs....Pages 169-185
Junctionless Transistors: Physics and Properties....Pages 187-200
Gate Modulated Resonant Tunneling Transistor (RT-FET): Performance Investigation of a Steep Slope, High On-Current Device Through 3D Non-Equilibrium Green Function Simulations....Pages 201-214
Ohmic and Schottky Contact CNTFET: Transport Properties and Device Performance Using Semi-classical and Quantum Particle Simulation....Pages 215-235
Quantum Simulation of Silicon-Nanowire FETs....Pages 237-249
Single Dopant and Single Electron Effects in CMOS Devices....Pages 251-263
Front Matter....Pages 265-265
SOI MOSFET Transconductance Behavior from Micro to Nano Era....Pages 267-286
Investigation of Tri-Gate FinFETs by Noise Methods....Pages 287-306
Mobility Characterization in Advanced FD-SOI CMOS Devices....Pages 307-322
Special Features of the Back-Gate Effects in Ultra-Thin Body SOI MOSFETs....Pages 323-339
Front Matter....Pages 341-341
SOI Nanowire Transistors for Femtomole Electronic Detectors of Single Particles and Molecules in Bioliquids and Gases....Pages 343-353
Sensing and MEMS Devices in Thin-Film SOI MOS Technology....Pages 355-392
Front Matter....Pages 341-341
Floating-Body SOI Memory: The Scaling Tournament....Pages 393-421
Front Matter....Pages 423-423
A Selection of SOI Puzzles and Tentative Answers....Pages 425-441
Back Matter....Pages 443-447