Semiconductor Material and Device Characterization, Third Edition

نسخه سوم ویژگی‌های مواد و دستگاه نیمه‌رسانا که در سطح بین‌المللی تحسین شده است. متن را به‌طور کامل با آخرین پیشرفت‌ها در این زمینه به‌روز می‌کند و شامل ابزارهای آموزشی جدید برای کمک به خوانندگان می‌شود. ویرایش سوم نه تنها آخرین تکنیک های اندازه گیری را ارائه می کند، بلکه تفاسیر جدید و کاربردهای جدید تکنیک های موجود را نیز بررسی می کند.

مشخصات مواد و دستگاه نیمه هادی تنها متن اختصاص داده شده به تکنیک های مشخصه برای اندازه گیری مواد و دستگاه های نیمه هادی است. پوشش شامل طیف کاملی از روش های مشخصه الکتریکی و نوری، از جمله تکنیک های شیمیایی و فیزیکی تخصصی تر است. خوانندگانی که با دو نسخه قبلی آشنا هستند، یک نسخه سوم کاملاً اصلاح شده و به روز شده را کشف خواهند کرد، از جمله:

• اشکال و نمونه های به روز شده و اصلاح شده و نمونه هایی که جدیدترین داده ها و اطلاعات را منعکس می کنند
• 260 جدید منابعی که دسترسی به آخرین تحقیقات و بحث‌ها در موضوعات تخصصی را ارائه می‌دهند
• مشکلات جدید و سؤالات مروری در پایان هر فصل برای آزمایش درک خوانندگان از مطالب

علاوه بر این، خوانندگان کاملاً به‌روز و به‌روز خواهند شد. بخش های اصلاح شده در هر فصل

بعلاوه، دو فصل جدید اضافه شده است:

• شاخص سازی مبتنی بر شارژ و پروب، اندازه گیری مبتنی بر بار و پروب های کلوین را معرفی می کند. این فصل همچنین اندازه‌گیری‌های مبتنی بر کاوشگر را بررسی می‌کند، از جمله ظرفیت روبشی، نیروی کلوین روبشی، مقاومت گسترش روبشی و میکروسکوپ انتشار الکترونی بالستیک.
• قابلیت اطمینان و تجزیه و تحلیل شکست زمان‌های خرابی و توابع توزیع را بررسی می‌کند و در مورد مهاجرت الکتریکی، حامل‌های داغ، یکپارچگی اکسید دروازه، ناپایداری دمای بایاس منفی، جریان نشتی ناشی از استرس، و تخلیه الکترواستاتیکی بحث می‌کند.

نوشته شده توسط یک مرجع معتبر بین المللی در این زمینه، مشخصات مواد و دستگاه نیمه هادی برای دانشجویان تحصیلات تکمیلی و همچنین برای متخصصانی که در زمینه دستگاه ها و مواد نیمه هادی کار می کنند، خواندنی ضروری باقی می ماند.

یک کتابچه راهنمای مربی که راه‌حل‌های دقیق برای تمام مشکلات کتاب را ارائه می‌کند از بخش تحریریه Wiley در دسترس است. 61-125):
فصل 3 مقاومت تماس و موانع شاتکی (صفحه های 127-184):
مقاومت سری فصل 4، طول و عرض کانال، و ولتاژ آستانه (صفحات 185-250):
فصل 5 عیوب (صفحات 251–317):
فصل 6 بارهای محبوس شده اکسید و رابط، ضخامت اکسید (صفحات 319-387):
فصل 7 طول عمر حامل (صفحات 389-464):
فصل 8 تحرک (صفحات) 465-522):
فصل 9؟ مشخصه سازی بر اساس و کاوشگر (صفحات 523-562):
فصل 10 خصوصیات نوری (صفحات 563-626):
فصل 11 خصوصیات شیمیایی و فیزیکی (صفحه های 627-) 688):
فصل 12 تجزیه و تحلیل قابلیت اطمینان و شکست (صفحات 689-740):

The Third Edition of the internationally lauded Semiconductor Material and Device Characterization brings the text fully up-to-date with the latest developments in the field and includes new pedagogical tools to assist readers. Not only does the Third Edition set forth all the latest measurement techniques, but it also examines new interpretations and new applications of existing techniques.

Semiconductor Material and Device Characterization remains the sole text dedicated to characterization techniques for measuring semiconductor materials and devices. Coverage includes the full range of electrical and optical characterization methods, including the more specialized chemical and physical techniques. Readers familiar with the previous two editions will discover a thoroughly revised and updated Third Edition, including:

• Updated and revised figures and examples reflecting the most current data and information
• 260 new references offering access to the latest research and discussions in specialized topics
• New problems and review questions at the end of each chapter to test readers' understanding of the material

In addition, readers will find fully updated and revised sections in each chapter.

Plus, two new chapters have been added:

• Charge-Based and Probe Characterization introduces charge-based measurement and Kelvin probes. This chapter also examines probe-based measurements, including scanning capacitance, scanning Kelvin force, scanning spreading resistance, and ballistic electron emission microscopy.
• Reliability and Failure Analysis examines failure times and distribution functions, and discusses electromigration, hot carriers, gate oxide integrity, negative bias temperature instability, stress-induced leakage current, and electrostatic discharge.

Written by an internationally recognized authority in the field, Semiconductor Material and Device Characterization remains essential reading for graduate students as well as for professionals working in the field of semiconductor devices and materials.

An Instructor's Manual presenting detailed solutions to all the problems in the book is available from the Wiley editorial department.Content:
Chapter 1 Resistivity (pages 1–59):
Chapter 2 Carrier and Doping Density (pages 61–125):
Chapter 3 Contact Resistance and Schottky Barriers (pages 127–184):
Chapter 4 Series Resistance, Channel Length and Width, and Threshold Voltage (pages 185–250):
Chapter 5 Defects (pages 251–317):
Chapter 6 Oxide and Interface Trapped Charges, Oxide Thickness (pages 319–387):
Chapter 7 Carrier Lifetimes (pages 389–464):
Chapter 8 Mobility (pages 465–522):
Chapter 9 Charge?Based and Probe Characterization (pages 523–562):
Chapter 10 Optical Characterization (pages 563–626):
Chapter 11 Chemical and Physical Characterization (pages 627–688):
Chapter 12 Reliability and Failure Analysis (pages 689–740):