Self-Assembly of Nanostructures: The INFN Lectures, Vol. III

این جلد سوم از مجموعه کتاب‌ها در مورد موضوعات منتخب در علوم و فناوری نانو است که بر اساس سخنرانی‌هایی در مدارس معروف Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) به همین نام ارائه شده است. مجموعه یادداشت‌های حاضر به‌ویژه از مشارکت و فداکاری سخنرانان معتبری مانند نونزیو موتا، فولویا پاتلا، الکساندر توروپوف و آنا سگارلاتا سرچشمه می‌گیرد. همه سخنرانی‌ها با در نظر گرفتن بحث‌های بعدی گسترده، با دقت ویرایش و بازنگری شده‌اند.

سخنرانی آموزشی توسط موتا و همکاران. تجزیه و تحلیل خودآرایی پلی (3-هگزیل تیوفن) روی نانولوله های کربنی را ارائه می دهد و در مورد چگونگی برهمکنش بین این دو ماده یک نانوساختار هیبریدی جدید را با کاربرد بالقوه برای فناوری سلول های خورشیدی آینده بحث می کند. پاتلا و همکاران در مشارکت خود. نقاط کوانتومی ترکیبات III-V را بررسی کنید، که دیدگاه‌های جذابی را برای کاربردهای پیچیده‌تر در دستگاه‌های نسل جدید مانند تابشگرهای تک فوتون برای نانو فوتونیک و محاسبات کوانتومی ارائه می‌دهند. با تمرکز بر نقاط کوانتومی خودآرایی، فصل الکساندر توروپوف و همکاران. مروری جامع از برخی جنبه‌های مهم در تشکیل نقاط کوانتومی ارائه می‌کند و نتایج تحقیقات گسترده نویسندگان در مورد ویژگی‌های اپیتاکسی قطرات را ارائه می‌دهد. سهم چهارم، توسط Sgarlata و همکاران، بر پیشرفت های اخیر به سمت رشد کنترل شده نانوساختارهای خودآرایی، پرداختن به شکل دهی، نظم دهی و محلی سازی در هترواپیتاکسی Ge/Si و بررسی نتایج اخیر در مورد خودسازماندهی نانوساختارهای ژنرال در سی تمرکز دارد. سطوح.

This is the third volume in a series of books on selected topics in Nanoscale Science and Technology based on lectures given at the well-known Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (INFN) schools of the same name. The present set of notes stems in particular from the participation and dedication of prestigious lecturers, such as Nunzio Motta, Fulvia Patella, Alexandr Toropov, and Anna Sgarlata. All lectures have been carefully edited and reworked, taking into account extensive follow-up discussions.

A tutorial lecture by Motta et al. presents the analysis of the Poly(3-hexylthiophene) self assembly on carbon nanotubes and discusses how the interaction between the two materials forms a new hybrid nanostructure, with potential application to future solar cells technology. In their contribution, Patella et al. review quantum dots of III-V compounds, which offer appealing perspectives for more sophisticated applications in new generation devices such as single-photon emitters for nano-photonics and quantum computing. Focusing on self-assembled quantum dots, the chapter by Alexandr Toropov et al. provides a comprehensive review of some important aspects in the formation of quantum dots and presents the results of the authors’ extensive investigation of the features of droplet epitaxy. The fourth contribution, by Sgarlata et al., focuses on recent progress toward controlled growth of self-assembled nanostructures, dealing with the shaping, ordering and localization in Ge/Si heteroepitaxy and reviewing recent results on the self-organization of Ge nanostructures at Si surfaces.