دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1
نویسندگان: V. T. Cherepin (Editor)
سری:
ISBN (شابک) : 9781466563735, 9781000083132
ناشر: CRC Press
سال نشر: 1987
تعداد صفحات: 150
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 34 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Secondary Ion Mass Spectroscopy of Solid Surfaces به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب طیف سنجی جرمی یونی ثانویه سطوح جامد نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد به فیزیک، ابزار دقیق و روشهای تحلیلی طیفسنجی جرمی یون ثانویه (SIMS) در رابطه با سطوح جامد اختصاص دارد. این مدلهای مدرن تشکیل یون ثانویه و عوامل مؤثر بر حساسیت اندازهگیریها و دامنه کاربردها را توصیف میکند. تمام بخشهای اصلی ابزارهای SIMS به تفصیل مورد بحث قرار گرفتهاند. این کتاب با تأکید بر کاربردهای عملی، روشها و روشهای تحلیلی را برای آنالیز ساختاری جامدات --- از جمله فلزات، نیمهرساناها، نمونههای آلی و بیولوژیکی در نظر میگیرد. روش های پروفایل عمقی، تجزیه و تحلیل چند بعدی فضایی و مطالعه فرآیندهای سطح، مانند جذب، کاتالیز و اکسیداسیون، همراه با استفاده از SIMS در ترکیب با سایر روش های آنالیز سطح ارائه شده است.
This volume is devoted to the physics, instrumentation and analytical methods of secondary ion mass spectroscopy (SIMS) in relation to solid surfaces. It describes modern models of secondary ion formation and the factors influencing sensitivity of measurements and the range of applications. All the main parts of SIMS instruments are discussed in detail. Emphasising practical applications the book also considers the methods and analytical procedures for constitutional analysis of solids --- including metals, semiconductors, organic and biological samples. Methods of depth profiling, spatially multidimensional analysis and study of processes at the surface, such as adsorption, catalysis and oxidation, are given along with the application of SIMS in combination with other methods of surface analysis.
Preface -- Chapter 1. Physics olsecondary ion emIssion -- 1.1. Parameters of secondary ion emission -- 1.2. Effect of the primary ion energy and current on SIE -- 1.3. Effect of the target temperature on the SIE coefficient -- 1.4. Angular dependence of secondary ion emission -- 1.5. Secondary ion energy distribution -- 1.6. Effect of primary ions and target material on secondary ion yield -- 1.7. Effect of sample oxidation on STE -- 1.8. Polyatomic ion emission -- 1.9. Mechanism of ionization of ejected atoms References -- Chapter 2. SIMS instrumentation -- 2.1. Ion sources -- 2.2. Mass separation of primary beam -- 2.3. Primary and secondary ion optics -- 2.4. Mass spectrometers -- 2.5. Ion detection and vacuum systems -- 2.6. Mass-spectral microscopes -- 2.7. Ion microprobes References -- Chapter 3. Constitutional analysis of solids by SIMS -- 3.1. Analytical characteristics of SIMS -- 3.2. Qualitative constitutional analysis -- 3.3. Physical background of quantitative analysis -- 3.4. Methods of quantitative analysis -- 3.5. Analysis of organic and biological samples -- 3.6. Standards and cross-calibration of instruments References -- Chapter 4. In-depth analysis -- 4.1. Technique of SIMS in-depth analysis -- 4.2. Study of thin films (vacuum condensates) -- 4.3. In-depth analysis of implantation profiles -- 4.4. Spatially multidimensional SIMS analysis References -- ChapterS. Study of processes at the surface -- 5.1. Adsorption and catalysis -- 5.2. Investigation of metal oxidation -- 5.3. Comparison of SIMS with other methods of surface analysis -- References -- Index.