دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: [1 ed.]
نویسندگان: Tadahiro Ohmi
سری:
ISBN (شابک) : 0849335434, 9781420026863
ناشر: CRC Press
سال نشر: 2005
تعداد صفحات: 386
[402]
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 19 Mb
در صورت تبدیل فایل کتاب Scientific Wet Process Technology for Innovative LSI/FPD Manufacturing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب فناوری فرآیند مرطوب علمی برای تولید نوآورانه LSI/FPD نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
Ohmi (مرکز هچری ایجاد صنعت جدید، توهوکو، ژاپن) 10 فصل را ارائه می دهد که فناوری های فرآیند مرطوب و مبتنی بر واکنش رادیکال را برای تولید نیمه هادی های یکپارچه (LSI) در مقیاس بزرگ و نمایشگرهای صفحه تخت (FPD) معرفی می کند. Ohmi ابتدا مبحث الکترونیک شیمیایی سطح را در بررسی نیمه هادی ها معرفی می کند. فصول زیر به اصول تمیز کردن مرطوب دستگاه های نیمه هادی، فناوری تمیز کردن مرطوب با کارایی بالا، اچ کردن SiO2، حکاکی سیلیکونی، فناوری کنترل ترکیب شیمیایی، فناوری جداسازی مقاوم در برابر بخار مرطوب، فناوری آنتی استاتیک، فناوری احیای زباله های شیمیایی و آب فوق خالص و پیشرفته می پردازد. سیستم های تامین مواد شیمیایی مایع برای تاسیسات بدون نوسان.
Ohmi (New Industry Creation Hatchery Center, Tohoku U., Japan) presents 10 chapters that introduce radical-reaction-based and wet process technologies for manufacturing large-scale integrated (LSI) semiconductors and flat panel displays (FPD). Ohmi first introduces the topic of surface chemical electronics at the semiconductor survey. The following chapters address the principles of semiconductor device wet cleaning, high-performance wet cleaning technology, etching of SiO2, silicon etching, chemical composition control technology, wet vapor resist stripping technology, antistatic technology, chemical waste reclamation technology, and advanced ultrapure water and liquid chemical supply systems and materials for a fluctuation-free facility.
Front cover......Page 1
Preface......Page 6
About the Editor......Page 10
Contributors......Page 12
Contents......Page 14
I. HYDROGEN ATOMIC MODEL AND MOLECULAR BOND......Page 16
II. BEHAVIOR OF MOLECULES ADSORBED ON THE Si SURFACE: TAKING A SiH4-TYPE MOLECULE AS AN EXAMPLE......Page 19
III. ELECTRONEGATIVITY AND ENERGY LEVEL: CHANGE IN STATE OF ELECTRONS ON SURFACE DUE TO TERMINATING ATOMS......Page 24
IV. OXIDATION OF Si SURFACE AT ROOM TEMPERATURE......Page 30
V. SELECTIVE W FILM DEPOSITION BY MEANS OF (SiH41 WF6)......Page 32
VI. REDOX POTENTIAL AND ENERGY LEVEL OF LIQUID SOLUTION — NATIVE OXIDE FORMATION ON THE Si SURFACE AND METAL CONTAMINANT ADHESION AND REMOVAL WITH SOLUTION......Page 33
VII. NEW ERA OF Si TECHNOLOGY — (1 1 0) Si SURFACE......Page 38
VIII. CONCLUSION......Page 46
REFERENCES......Page 48
I. INTRODUCTION......Page 50
II. OUTLINE OF CURRENT WET CLEANING AND ROLES OF MAJOR CHEMICALS......Page 51
III. FUNCTIONS ESSENTIAL FOR CLEANING TRACE CONTAMINANTS [11,26]......Page 52
IV. CLEANING MECHANISM OF METALLIC CONTAMINATION [8–12] A. DESORPTION METALLIC CONTAMINANTS......Page 53
B. SIGNIFICANCE TO PREVENT CONTAMINANTS IN THE CLEANING SOLUTIONS FROM DEDEPOSITING ON THE SUBSTRATE SURFACE......Page 54
C. MECHANISM METALLIC CONTAMINANT ADSORPTION......Page 55
D. TECHNOLOGY PREVENT METALLIC CONTAMINANTS FROM DEPOSITING ON SURFACE......Page 59
E. REMOVAL METALLIC CONTAMINANTS......Page 63
A. MECHANISM OF PARTICLE DEPOSITION IN SOLUTION......Page 65
B. TECHNOLOGY PREVENT PARTICLE DEPOSITION......Page 66
C. REMOVAL PARTICULATE CONTAMINANTS......Page 67
VI. CLEANING MECHANISM OF ORGANIC CONTAMINATION......Page 69
VII. IMPROVEMENT OF CLEANING EFFICIENCY......Page 70
A. CLEANING STEPS IN FEOL......Page 71
REFERENCES......Page 72
CONTENTS......Page 76
A. CURRENT STATUS OF WET CLEANING PROCESS......Page 79
B. IMPROVEMENT OF RCA CLEANING PROCESS......Page 80
B. MS-INDUCED CHEMICAL REACTIONS......Page 86
C. MS-INDUCED RADICAL FORMATION......Page 88
A. DEFINITION OF FUNCTIONAL WATER FOR WET CLEANING PROCESS......Page 89
B. IDEA OF h2 UPW CLEANING......Page 90
D. CONTROL OF DISSOLVED GASES (APPLICATION OF HENRY'S LAW)......Page 91
REFERENCES......Page 93
SILICON SURFACE......Page 94
C. HYDROGEN TERMINATION OF SILICON SURFACE......Page 97
A. TOTAL ROOM-TEMPERATURE 4-STEP CLEANING PROCESS......Page 101
B. TOTAL ROOM-TEMPERATURE 5-STEP CLEANING PROCESS [23]......Page 117
C. STRATEGY IN CLEANING PROCESS IN BEOL......Page 122
REFERENCES......Page 124
A. CHALLENGES IN CLEANING TECHNOLOGY TO ADDRESS HIGHER-DENSITY ULSI DEVICE......Page 125
B. SOLUTIONS TO THE CHALLENGES FROM THE VIEWPOINT OF CLEANING MECHANISM......Page 126
D. ACCELERATING FINE PARTICLE REMOVAL DEVICE PATTERN DAMAGE [1]......Page 127
F. CLEANING NEW MATERIAL SURFACE [1]......Page 130
REFERENCES......Page 133
B. PREPARATION OF REFERENCE BLACK WITH ORGANIC FILM ADSORBED TO OBTAIN CALIBRATION CURVE FOR QUANTIFICATION OF ORGANIC COMPOND ADSORPTION ONTO SI DURCE: LANGMUIR-BLODGETT TECHNIQUE......Page 134
C. PREPARATION OF CALIBRATION CURVE......Page 136
D. ADSORPTION OF ORGANIC COMPOUND TO SI SURFACE IN CLEANROOM AMBIENCE......Page 138
E. SUMMARY......Page 139
A. INTRODUCTION......Page 140
B. ULTRASONIC CLEANING......Page 141
C. BPP NOZZLE......Page 146
D. CLEANING CAPACITY OF BPP NOZZLES......Page 159
E. SUMMARY......Page 164
REFERENCES......Page 165
CONTENTS......Page 168
A. INTRODUCTION......Page 170
C. REACTION BETWEEN SiO2 AND HYDROGEN FLUORIDE (REACTION MECHANISM)......Page 171
REFERENCES......Page 173
A. INTRODUCTION......Page 174
B. ETCHING MECHANISM OF OXIDES......Page 175
C. ETCHING MECHANISM OF BPSG FILM......Page 187
D. ETCHING BY ETCHANT WITH SOLVENT FEATURING LOW RELATIVE DIELECTRIC CONSTANT......Page 192
E. CONCLUSION......Page 198
REFERENCES......Page 199
A. INTRODUCTION......Page 200
B. CURRENT CONTACT HOLE CLEANING......Page 201
C. OPTIMUM CHEMICAL COMPOSITION FOR CONTACT HOLE CLEANING......Page 203
D. CONCLUSION......Page 206
A. INTRODUCTION......Page 207
B. ETCHANT TO CONTROL HF DISSOCIATION TO ACHIEVE EXTREMELY HIGH ETCH RATE (H ION INJECTION TO BHF SOLUTION)......Page 210
REFERENCES......Page 214
A. CONDITIONS FOR SURFACTANT SELECTION......Page 215
B. FUNCTIONAL EVALUATION OF SURFACTANT-ADDED BHF......Page 219
A. GASEOUS-PHASE SELECTIVE ETCHING OF NATIVE OXIDE......Page 228
B. COMPLETELY SELECTIVE ETCHING OF BPSG USING AN ANHYDROUS-HF GAS FOR FABRICATION OF GAS-ISOLATED INTERCONNECTIONS......Page 238
REFERENCES......Page 245
A. INTRODUCTION......Page 246
B. ETCHING GLASS SUBSTRATE WITH HF AND BHF......Page 247
C. ETCH RATE ON GLASS SUBSTRATE......Page 248
E. SURFACE MICROROUGHNESS OF GLASS SUBSTRATE AFTER ETCHING......Page 250
F. CONCLUSION......Page 252
A. INTRODUCTION......Page 253
B. STUDY OF ETCHING REACTION TO DEVELOP ETCHANT FEATURING EXTREMELY LOW ETCH RATE......Page 254
C. CONCLUSION......Page 261
D. STANDARDIZATION AFM CALIBRATION METHOD......Page 262
REFERENCES......Page 265
CONTENTS......Page 266
B. ETCHING MECHANISM SILICON......Page 267
C. ETCHANT ETCHING FEATURES......Page 268
D. SUMMARY......Page 277
A. INTRODUCTION......Page 278
B. SOI WAFER PRODUCTION PROCESS ANODIC REACTION SILICON......Page 279
C. PRECISE CONTROL ANODIC REACTION......Page 281
D. DISCUSSION ANODIC REACTION OF SILICON......Page 284
REFERENCES......Page 285
I. INTRODUCTION......Page 286
II. CURRENT STATUS AND EXISTING PROBLEMS OF CLEANING SOLUTION CONTROL......Page 287
HIGH-TEMPERATURE WET PROCESS......Page 288
ETCHANT COMPONENTS......Page 289
A. EVAPORATION AMOUNT DEPENDED ON HUMIDITY AND TEMPERATURE (AMBIENCE CONDITION): RELATIONSHIP BETWEEN HUMIDITY AND AMOUNT OF EVAPORATION......Page 290
B. EFFECTS OF CHEMICAL SPECIES CONSUMPTION TROUGH ETCHING......Page 291
IV. BHF COMPOSITION CONTROL......Page 293
VI. CONCLUSION......Page 296
REFERENCES......Page 297
II. WET VAPOR RESIST STRIPPING TECHNOLOGY......Page 300
III. RESIST REMOVAL MECHANISM......Page 302
REFERENCES......Page 306
CONTENTS......Page 308
B. MAIN MECHANISMS OF ELECTRIFICATION......Page 309
COUNTERMEASURES......Page 312
A. SIGNIFICANCE STATIC ELECTRICITY CONTROL ULSI MANUFACTURING PROCESS......Page 322
C. ELECTROSTATIC CHARGE MEASUREMENT......Page 323
REFERENCES......Page 329
I. RECLAMATION TECHNOLOGY FOR DEVELOPER (TMAH) WASTE A. INTRODUCTION......Page 330
B. DEVELOPER RECLAMATION SYSTEM EQUIPMENT......Page 331
C. EXPERIMENTAL AND RESULTS......Page 333
II. RECLAMATION TECHNOLOGY FOR HF WASTE A. INTRODUCTION......Page 336
B. HF WASTE TREATMENT USING CALCITE METHOD......Page 337
C. HF WASTE TREATMENT USING CRYSTALLIZATION METHOD......Page 341
REFERENCES......Page 345
CONTENTS......Page 346
A. INTRODUCTION......Page 347
B. ULTRAPURE WATER SUPPLY TECHNOLOGY AND WASTEWATER RECLAMATION TECHNOLOGY......Page 348
C. GAS-DISSOLVED ULTRAPURE WATER SUPPLY TECHNOLOGY......Page 353
D. ELEMENT TECHNOLOGY FOR ULTRAPURE WATER......Page 356
E. WATER VIBRATION-CONTROLLED COOLING WATER SYSTEM USING HYDROGENATED WATER......Page 360
F. SUMMARY......Page 363
REFERENCES......Page 365
A. OUTLINE......Page 366
B. WATER HAMMER PREVENTION TECHNOLOGY......Page 367
C. VIBRATION-SENSING WATER HAMMER-FREE SYSTEM......Page 369
D. CONTENT VOLUME CHANGE-FREE VALVE......Page 370
A. INTRODUCTION......Page 372
B. EXPERIMENTAL......Page 373
PLASTIC MATERIALS......Page 381
REFERENCE......Page 384
B. FLUORIDATION ELECTROLESS-NICKEL–PHOSPHOR-PLATING FILM......Page 385
C. PERFORMANCE NICKEL–FLUORIDE FILM......Page 387
A. INTRODUCTION......Page 388
B. FLUOROCARBON CVD NiF2 Surface......Page 389
C. ELECTROSTATIC POWDER PAINTING FILM DEPOSITION TECHNOLOGY......Page 390
VII. FUTURE ULTRAPURE WATER MANUFACTURING TECHNOLOGY......Page 392
C......Page 394
E......Page 395
G......Page 396
M......Page 397
R......Page 398
S......Page 399
U......Page 400
X......Page 401
Back cover......Page 402