ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Russische Umtriebe in Ungarn

دانلود کتاب فعالیت های روسیه در مجارستان

Russische Umtriebe in Ungarn

مشخصات کتاب

Russische Umtriebe in Ungarn

دسته بندی: تاریخ
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 0818680997 
ناشر:  
سال نشر: 1867 
تعداد صفحات: 39 
زبان: German 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 1 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 45,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Russische Umtriebe in Ungarn به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فعالیت های روسیه در مجارستان نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فعالیت های روسیه در مجارستان

حاشیه نویسی 14 مقاله در این مجموعه از کارگاه آموزشی آگوست 2001 به پنج جلسه در مورد طراحی حافظه نیمه هادی، BIST، افزونگی و کنترل خطا، مدل های خطا و تست SRAM چند پورت، و تأیید و آزمایش تقسیم شده است. برخی از موضوعات عبارتند از ارزیابی الگوریتم‌های تجزیه و تحلیل افزونگی، رویکرد موازی برای آزمایش حافظه‌های دسترسی تصادفی استاتیک چند پورتی، پمپ شارژ با مقاومت خروجی پایین برای برنامه‌ریزی حافظه فلش، نگاشت بیت‌فایل مبتنی بر BIST از یک DRAM تعبیه‌شده، و یک انتقال متعامد. معماری آرایه سلولی RAM با طرح تماس متناوب بیت به خط بیت. فاقد فهرست موضوعی ج Book News Inc.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Annotation The 14 papers in this collection from the August 2001 workshop are divided into five sessions on semiconductor memory design, BIST, redundancy and error control, fault models and multi-port SRAM testing, and verification and testing. Some of the topics are evaluation of redundancy analysis algorithms, a parallel approach for testing multi-port static random access memories, a low output resistance charge pump for flash memory programming, BIST-based bitfail mapping of an embedded DRAM, and an orthogonal transpose- RAM cell array architecture with an alternate bit-line to bit-line contact scheme. No subject index. c. Book News Inc.





نظرات کاربران