Record low Temperature Mo doped V2O5 Thermochromic Thin Films for Optoelectronic Applications

دسته بندی: ابزار
ویرایش:  
نویسندگان: Nazemiyan M.,  Jalili Y.S.  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 8 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 1 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 52,000

AIP Publishing, AIP Advances 3, 112103 (2013); doi: 10.1063/1.4829663 (دریافت در 9 فوریه 2013؛ پذیرش در 14 اکتبر 2013؛ انتشار آنلاین در 4 نوامبر 2013). - 8 с. M. ناظمیان و ی.س. جلیلی.
گروه فیزیک، پردیس علوم و تحقیقات، IAU. P. O. Box: 14665-678, Tehran, Iran.
مرکز تحقیقات تجربی شیخ بهایی, P. O. Box: 14665-678, Tehran, Iran.
خواص ترموکرومیک مولیبدن پلی کریستالی آلاییده شده با وانادیم پنتوکسید رشد می کند. تکنیک مورد بررسی قرار گرفت. ساختارهای لایه نازک چهارضلعی این سیستم رشد می کنند. تجزیه و تحلیل طیفی عبور با دما، یک رکورد دمای انتقال نیمه هادی-فلز 50 درجه سانتیگراد را نشان می دهد. این دمای بحرانی تقریباً 1/3 تا 1/6 قدر مورد انتظار برای لایه های نازک V₂O₅ است. مقاومت لایه نازک ترموکرومیک نیز همانطور که انتظار می‌رفت دچار تغییر فاز یا انتقال شد، کاهش از بیش از چند مگا اهم به رژیم کمتر از کیلو اهم که نشان‌دهنده کاربردهای بالقوه در اپتوالکترونیک است.

AIP Publishing, AIP Advances 3, 112103 (2013); doi: 10.1063/1.4829663 (Received 9 February 2013; accepted 14 October 2013; published online 4 November 2013). - 8 с. M. Nazemiyan and Y. S. Jalili.
Department of physics, Science & Research Campus, IAU. P. O. Box: 14665-678, Tehran, Iran.
SheykhBahaee Experimental Research Center, P. O. Box: 14665-678, Tehran, Iran.
Thermochromic properties of polycrystalline molybdenum doped vanadium pentoxide thin films grown by the spray pyrolysis technique were investigated. Tetragonal thin film structures of this system are grown. The transmittance spectral analysis with temperature indicates a record semiconductor-metal transition temperature of 50°C. This critical temperature is approximately 1/3 to 1/6 of magnitude expected for V₂O₅ thin films. The resistance of the thermochromic thin film also underwent a transition or phase change as expected, a reduction from more than few mega ohms to less than kilo ohm regime indicating potential applications in optoelectronics. Introduction.
Experimental Details.
Results and Discussion.
Conclusion.
Acknowledgments.