دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Volkmar Dierolf, Ian Ferguson, John M Zavada سری: Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical Materials ISBN (شابک) : 0081000413, 9780081000410 ناشر: Woodhead Publishing سال نشر: 2016 تعداد صفحات: 472 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 18 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب خاک نادر و فلزات انتقالی دوپینگ مواد نیمه هادی: سنتز، خواص مغناطیسی و دمای اتاق Spintronics: میکروالکترونیک، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، نیمه هادی ها، الکترونیک، برق و الکترونیک، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، حالت جامد، الکترونیک، علوم برق و مواد الکترونیکی، الکترونیک و مواد استخراج و پردازش، مکانیک شکست، متالورژی، پلیمرها و منسوجات، استحکام مواد، آزمایش، مهندسی، مهندسی و حمل و نقل، کتاب های درسی جدید، مستعمل و اجاره، کسب و کار و
در صورت تبدیل فایل کتاب Rare Earth and Transition Metal Doping of Semiconductor Materials: Synthesis, Magnetic Properties and Room Temperature Spintronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خاک نادر و فلزات انتقالی دوپینگ مواد نیمه هادی: سنتز، خواص مغناطیسی و دمای اتاق Spintronics نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این کتاب به بررسی مواد نیمه هادی مورد استفاده برای کاربردهای اسپینترونیک می پردازد، به ویژه تمرکز بر نیمه هادی های باند پهن که با فلزات واسطه و خاک های کمیاب آغشته شده اند. این مواد از علاقه تجاری خاصی برخوردار هستند زیرا چرخش آنها را می توان در دمای اتاق کنترل کرد، که مخالفت آشکاری با تحقیقات قبلی در مورد آرسنید گالیم است که امکان کنترل چرخش ها در دماهای فوق سرد را فراهم می کرد.
بخش اول کتاب تئوری مغناطیس در نیمه هادی ها را توضیح می دهد، در حالی که قسمت دوم رشد نیمه هادی ها را برای اسپینترونیک پوشش می دهد. در نهایت، قسمت سوم به بررسی خصوصیات و خواص نیمه هادی ها برای اسپین ترونیک می پردازد، با قسمت چهارم به بررسی دستگاه ها و جهت آینده اسپین ترونیک می پردازد.
This book looks at the semiconductor materials used for spintronics applications, in particular focusing on wide band-gap semiconductors doped with transition metals and rare earths. These materials are of particular commercial interest because their spin can be controlled at room temperature, a clear opposition to the most previous research on Gallium Arsenide, which allowed for control of spins at supercold temperatures.
Part One of the book explains the theory of magnetism in semiconductors, while Part Two covers the growth of semiconductors for spintronics. Finally, Part Three looks at the characterization and properties of semiconductors for spintronics, with Part Four exploring the devices and the future direction of spintronics.
Content:
Related titles,Front Matter,Copyright,List of contributors,Woodhead Publishing Series in Electronic and Optical MaterialsEntitled to full textPart One: Theory of magnetism in III-V semiconductors1 - Computational nanomaterials design for nanospintronics: Room-temperature spintronics applications, Pages 3-42, H. Katayama-Yoshida, K. Sato, T. Fukushima, A. Masago, M. Seike
2 - Electronic structure of magnetic impurities and defects in semiconductors: A guide to the theoretical models, Pages 43-101, W.R.L. Lambrecht
3 - Energetics, atomic structure, and magnetics of rare earth-doped GaN bulk and nanoparticles, Pages 103-126, V. Kumar, J.M. Zavada
4 - Prospects for rare-earth-based dilute magnetic semiconductor alloys and hybrid magnetic rare-earth/semiconductor heterostructures, Pages 129-167, S. Dong, J.K. Furdyna, X. Liu
5 - Electron spin resonance studies of GaAs:Er,O, Pages 169-194, H. Ohta, S. Okubo, Y. Fujiwara
6 - Gadolinium-doped gallium-nitride: Synthesis routes, structure, and magnetism, Pages 195-223, A. Ney
7 - MOCVD growth of Er-doped III-N and optical-magnetic characterization, Pages 225-257, N. Nepal, H.X. Jiang, J.Y. Lin, B. Mitchell, V. Dierolf, J.M. Zavada
8 - Growth of Eu-doped GaN and its magneto-optical properties, Pages 259-280, A. Koizumi, B. Mitchell, V. Dierolf, Y. Fujiwara
9 - Optical and magnetic characterization of III-N:Nd grown by molecular beam epitaxy, Pages 281-312, G.D. Metcalfe, E.D. Readinger, N. Woodward, V. Dierolf, N. Nepal, J.M. Zavada
10 - Transition metal and rare earth doping in GaN, Pages 315-370, M.H. Kane, S. Gupta, I.T. Ferguson
11 - Gadolinium-doped III-nitride diluted magnetic semiconductors for spintronics applications, Pages 371-394, H. Asahi, Y.K. Zhou, S. Emura, S. Hasegawa
12 - Ferromagnetic behavior in transition metal-doped III-N semiconductors, Pages 395-433, N.A. El-Masry, J.M. Zavada, N. Nepal, S.M. Bedair
13 - Bipolar magnetic junction transistors for logic applications, Pages 435-445, B.W. Wessels
Index, Pages 447-454