ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Radiation Imaging Detectors Using SOI Technology

دانلود کتاب آشکارسازهای تصویربرداری تشعشعی با استفاده از فناوری SOI

Radiation Imaging Detectors Using SOI Technology

مشخصات کتاب

Radiation Imaging Detectors Using SOI Technology

ویرایش:  
نویسندگان: , ,   
سری: Synthesis Lectures on Emerging Engineering Technologies 
ISBN (شابک) : 1627056963, 9781627056960 
ناشر: Morgan & Claypool Publishers 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 71 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 2 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 59,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 18


در صورت تبدیل فایل کتاب Radiation Imaging Detectors Using SOI Technology به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب آشکارسازهای تصویربرداری تشعشعی با استفاده از فناوری SOI نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب آشکارسازهای تصویربرداری تشعشعی با استفاده از فناوری SOI



فناوری سیلیکون روی عایق (SOI) به طور گسترده در دستگاه های نیمه هادی با کارایی بالا و کم مصرف استفاده می شود. ویفرهای SOI دارای دو لایه سیلیکون فعال (Si) هستند و به طور معمول لایه Si پایینی یک ساختار فیزیکی صرف است. ایده ساخت آشکارسازهای پیکسلی هوشمند با استفاده از لایه پایین Si به عنوان حسگر برای اشعه ایکس، نور مادون قرمز، ذرات پرانرژی، نوترون ها و غیره از همان روزهای اولیه فناوری SOI ظهور کرد. با این حال، چندین مسئله دشوار در مورد ساخت چنین آشکارسازهایی وجود داشته است و آنها تا همین اواخر بسیار محبوب نشده بودند.

این کتاب مروری جامع بر مفاهیم اساسی و مسائل تحقیقاتی آشکارسازهای تصویر تشعشع SOI ارائه می‌کند. مسائل اساسی را برای پیاده سازی آشکارساز SOI معرفی می کند و نحوه حل این مسائل را ارائه می دهد. همچنین تکنیک‌های اساسی، بهبود تحمل تشعشع، کاربردها و نمونه‌هایی از آشکارسازها را نشان می‌دهد.

از آنجایی که آشکارساز SOI دارای یک ناحیه حسگر ضخیم و ترانزیستورهای CMOS در قالب یکپارچه است، ایده‌های زیادی برای استفاده به وجود آمده است. این تکنولوژی این کتاب مقدمه خوبی برای افرادی است که می خواهند آشکارسازهای SOI را توسعه دهند یا از آن استفاده کنند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Silicon-on-Insulator (SOI) technology is widely used in high-performance and low-power semiconductor devices. The SOI wafers have two layers of active silicon (Si), and normally the bottom Si layer is a mere physical structure. The idea of making intelligent pixel detectors by using the bottom Si layer as sensors for X-ray, infrared light, high-energy particles, neutrons, etc. emerged from very early days of the SOI technology. However, there have been several difficult issues with fabricating such detectors and they have not become very popular until recently.

This book offers a comprehensive overview of the basic concepts and research issues of SOI radiation image detectors. It introduces basic issues to implement the SOI detector and presents how to solve these issues. It also reveals fundamental techniques, improvement of radiation tolerance, applications, and examples of the detectors.

Since the SOI detector has both a thick sensing region and CMOS transistors in a monolithic die, many ideas have emerged to utilize this technology. This book is a good introduction for people who want to develop or use SOI detectors.



فهرست مطالب

Preface
Acknowledgments
Introduction
Major Issues in SOI Pixel Detector
	Back-gate Effect
	Crosstalk Between Sensors and Circuits
	Leakage Current
	High-resistivity Wafer
	Radiation Hardness
Basic SOI Pixel Process
	Advantages of SOI structure
	FD-SOI Radiation Sensor Fabrication Process
		FZ Wafer Utilization for Handle Wafer
		p-n Junction Diode and Contact
		Well Formation in Handle Wafer
Radiation Hardness Improvements
	FD-SOI Radiation Hardness
	Cause of n-MOSFET Drain Current Change
	Cause of p-MOSFET Drain Current Change
	Improvement of p-MOSFET Radiation Hardness
Advanced Process Developments
	Double SOI
	Stitching
	Back-gate Pinned SOI Pixel
	3D Vertical Integration
	Super-steep Subthreshold Slope Transistor
Detector Research and Developments
	Integration Type Pixel
	Counting-type Pixel (CNTPIX)
	X-ray Detector for Astrophysics (XRPIX)
	Vertex Detector for Charged Particles (PIXOR)
	XFEL Detector (SOPHIAS)
	Fermilab SOI CMOS Detector (MAMBO)
	LBNL SOI-Imager
	Ultra-low Temperature Applications
	Readout Board (SEABAS)
Summary
Bibliography
Authors' Biographies




نظرات کاربران