دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Rad-hard Semiconductor Memories
دانلود کتاب حافظه های نیمه هادی راد سخت
مشخصات کتاب
Rad-hard Semiconductor Memories
ویرایش:
نویسندگان: Cristiano Calligaro (editor). Umberto Gatti (editor)
سری: River Publishers Series in Electronic Materials and Devices
ISBN (شابک) : 8770220204, 9788770220200
ناشر: River Publishers
سال نشر: 2018
تعداد صفحات: 418
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 38 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 32,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Rad-hard Semiconductor Memories به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب حافظه های نیمه هادی راد سخت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب حافظه های نیمه هادی راد سخت
حافظه های نیمه هادی راد سخت برای محققان و متخصصان علاقه مند به موارد زیر در نظر گرفته شده است: درک نحوه طراحی و ارزیابی اولیه حافظه های نیمه هادی راد. ایجاد اهرم در فرآیندهای تولید استاندارد CMOS در دسترس از ریخته گری های سیلیکون مختلف. و با استفاده از گره های تکنولوژی مختلف. در بخش اول کتاب، مروری اولیه بر اثرات تشعشعات در فضا، با تمرکز خاص بر خاطرات، انجام خواهد شد تا خواننده بتواند درک کند که چرا راه حل های طراحی خاص برای کاهش خطاهای سخت و نرم اتخاذ شده است. بخش دوم به تکنیک‌های RHBD (سخت شدن تشعشعی توسط طراحی) برای اجزای نیمه‌رسانا با تمرکز خاص بر حافظه‌ها اختصاص خواهد یافت. این رویکرد از طرحی از بالا به پایین پیروی می کند که از RHBD در سطح معماری (نحوه ساخت یک پلان طبقه سخت راد)، در سطح مدار (نحوه کاهش اثرات تشعشع با استفاده از ترانزیستورها به روش مناسب) و در سطح طرح (طراحی) دنبال می شود. نحوه شکل دادن یک طرح برای کاهش اثرات تشعشع). پس از تشریح تکنیک‌های کاهش، این کتاب وارد هسته موضوعی می‌شود که شامل SRAMها (همگام، ناهمزمان، تک پورت و دو پورت) و PROM (بر اساس فن‌آوری‌های AntiFuse OTP) می‌شود و نحوه طراحی یک فلش مموری راد سخت را شرح می‌دهد. و تقویت RHBD به سمت خاطرات نوظهور مانند ReRAM. بخش آخر جهشی به خاطرات در حال ظهور در مراحل اولیه خواهد بود، که هنوز برای استفاده صنعتی در سیلیکون آماده نیست، اما کاندیدای تبدیل شدن به گزینه ای برای موج بعدی اجزای سخت راد است.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
Rad-hard Semiconductor Memories is intended for researchers and professionals interested in: understanding how to design and make a preliminary evaluation of rad-hard semiconductor memories; making leverage on standard CMOS manufacturing processes available from different silicon foundries; and using different technology nodes. In the first part of the book, a preliminary overview of the effects of radiation in space, with a specific focus on memories, will be conducted to enable the reader to understand why specific design solutions are adopted to mitigate hard and soft errors. The second part will be devoted to RHBD (Radiation Hardening by Design) techniques for semiconductor components with a specific focus on memories. The approach will follow a top-down scheme starting from RHBD at architectural level (how to build a rad-hard floor-plan), at circuit level (how to mitigate radiation effects by handling transistors in the proper way) and at layout level (how to shape a layout to mitigate radiation effects). After the description of the mitigation techniques, the book enters in the core of the topic covering SRAMs (synchronous, asynchronous, single port and dual port) and PROMs (based on AntiFuse OTP technologies), describing how to design a rad-hard flash memory and fostering RHBD toward emerging memories like ReRAM. The last part will be a leap into emerging memories at a very early stage, not yet ready for industrial use in silicon but candidates to become an option for the next wave of rad-hard components.
فهرست مطالب
Dedication Contents Preface Acknowledgements List of Contributors List of Figures List of Tables List of Abbreviations 1 Space Radiation Effects in Electronics • Luigi Dilillo, Alexandre Bosser, Arto Javanainen and Ari Virtanen 2 RHBD Techniques for Memories • Cristiano Calligaro 3 Rad-hard SRAMs • Cristiano Calligaro 4 One-Time Programmable Memories for Harsh Environments • Umberto Gatti 5 Rad-hard Flash Memories • Anna Arbat Casas 6 Radiation Hardness of Foundry NVM Technologies • Evgeny Pikhay, Cristiano Calligaro and Yakov Roizin 7 Rad-hard Resistive Memories • Cristiano Calligaro 8 Technologies for Rad-hard Resistive Memories • Christian Wenger 9 New Generation of NVMs Based on Graphene-related Nanomaterials • Paolo Bondavalli Index About the Editors
