ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Quaternary capped In(Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors : from materials to devices

دانلود کتاب آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومی با پوشش کواترنری In(Ga)As/GaAs: از مواد تا دستگاه‌ها

Quaternary capped In(Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors : from materials to devices

مشخصات کتاب

Quaternary capped In(Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors : from materials to devices

ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری:  
ISBN (شابک) : 9789811052903, 9789811052897 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2017 
تعداد صفحات: 72 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 53,000

در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد



کلمات کلیدی مربوط به کتاب آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومی با پوشش کواترنری In(Ga)As/GaAs: از مواد تا دستگاه‌ها: نقاط کوانتومی، آشکارسازهای نوری، فناوری و مهندسی / مکانیک



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 5


در صورت تبدیل فایل کتاب Quaternary capped In(Ga)As/GaAs quantum dot infrared photodetectors : from materials to devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومی با پوشش کواترنری In(Ga)As/GaAs: از مواد تا دستگاه‌ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومی با پوشش کواترنری In(Ga)As/GaAs: از مواد تا دستگاه‌ها



این کتاب چند روش جایگزین برای افزایش عملکرد آشکارسازهای نوری مادون قرمز نقطه کوانتومی مبتنی بر In(Ga)As/GaAs (QDIP) معرفی می‌کند. دوربین‌های QDIP مبتنی بر In(Ga)As/GaAs و دوربین‌های آرایه سطح کانونی (FPA) کاربرد گسترده‌ای در زمینه‌هایی مانند علوم نظامی و فضایی دارند. هسته این مطالعه از ترکیبی از In0.21Al0.21Ga0.58As و GaAs چهارتایی به عنوان یک لایه درپوش بر روی نقاط کوانتومی In(Ga)As/GaAs در ناحیه فعال ساختار آشکارساز استفاده می کند. برای اهداف بهینه سازی، سه نوع رشد نمونه با ضخامت های مختلف درپوش در نظر گرفته شده است. نتایج ارائه شده شامل مطالعات TEM، XRD و فوتولومینسانس است که ضخامت مانع ترکیبی و تأثیر آن را بر خواص ساختاری و نوری مقایسه می‌کند. کرنش فشاری در ساختار ناهمسان، پایداری حرارتی در بازپخت در دمای بالا، پاسخ طیفی، جابه‌جایی در قله‌های PL، و پاسخ‌گویی و تشخیص همگی در نظر گرفته می‌شوند. نتایج همچنین یک عرض طیفی باریک را نشان می‌دهد که با استفاده از InAs QDs به‌دست آمد که برای کاربرد دوربین‌های نسل سوم FPA بسیار مفید است. جزئیات کتاب اثر بازپخت حرارتی سریع پس از رشد بر روی ویژگی‌ها و روش‌های دستگاه برای افزایش پاسخ‌گویی و تشخیص اوج. مطالب این کتاب برای محققان و متخصصان مفید خواهد بود.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book introduces some alternative methods for enhancing the performance of In(Ga)As/GaAs-based quantum dot infrared photodetectors (QDIPs). In(Ga)As/GaAs-based QDIPs and focal plane array (FPA) cameras have wide application in fields such as military and space science. The core of the study uses a combination of quaternary In0.21Al0.21Ga0.58As and GaAs spacer as a capping layer on In(Ga)As/GaAs quantum dots in the active region of the detector structure. For the purposes of optimization, three types of samples growths are considered with different capping thicknesses. The results presented include TEM, XRD and photoluminescence studies that compare combination barrier thickness and its effect on structural and optical properties. Compressive strain within the heterostructure, thermal stability in high temperature annealing, spectral response, shifts in PL peaks peak,and responsivity and detectivity are all considered. The results also present a narrow spectral width that was obtained by using InAs QDs which is very useful for third generation FPA camera application. The book details effect of post-growth rapid thermal annealing on device characteristics and methods to enhance responsivity and peak detectivity. The contents of this book will be useful to researchers and professionals alike.



فهرست مطالب

Front Matter ....Pages i-xiii
Introduction (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 1-10
Structural and Optical Characterization of Quaternary-Capped InAs/GaAs Quantum Dots (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 11-21
Effect of Rapid-Thermal Annealing on Quantum Dot Properties (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 23-31
In(Ga)As/GaAs Quantum Dot Infrared Photodetectors (QDIPs) with Quaternary Capping (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 33-45
Effects of RTA on Quaternary Capped QDIP Characteristics (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 47-58
Summary and Future Work (Sourav Adhikary, Subhananda Chakrabarti)....Pages 59-61
Back Matter ....Pages 63-63




نظرات کاربران