دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Bruce A. Joyce, Dimitri D. Vvedensky (auth.), Bruce A. Joyce, Pantelis C. Kelires, Anton G. Naumovets, Dimitri D. Vvedensky (eds.) سری: NATO Science Series 190 ISBN (شابک) : 9781402033131, 9781402033155 ناشر: Springer Netherlands سال نشر: 2005 تعداد صفحات: 400 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 17 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب نقاط کوانتومی: مبانی، کاربردها و مرزها: مجموعه مقالات کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد نقاط کوانتومی: مبانی، کاربردها و مرزهای کرت، یونان، 20-24 ژوئیه 2003: مواد نوری و الکترونیکی، نانوتکنولوژی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک، مواد متراکم، فناوری لیزر و فیزیک، فوتونیک
در صورت تبدیل فایل کتاب Quantum Dots: Fundamentals, Applications, and Frontiers: Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on Quantum Dots: Fundamentals, Applications and Frontiers Crete, Greece, 20–24 July 2003 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نقاط کوانتومی: مبانی، کاربردها و مرزها: مجموعه مقالات کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد نقاط کوانتومی: مبانی، کاربردها و مرزهای کرت، یونان، 20-24 ژوئیه 2003 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
این جلد شامل مقالاتی است که در کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو ارائه شده است و مقدمه ای گسترده از تمام جنبه های اصلی ساختارهای نقطه کوانتومی ارائه می دهد. چنین ساختارهایی برای مطالعات پدیدههای فیزیکی اساسی، برای ساخت دستگاه تولید شدهاند و در سطح حدسی بیشتر، به عنوان اجزای تحقق حالت جامد یک کامپیوتر کوانتومی پیشنهاد شدهاند. ساختار کتاب به گونهای است که خواننده با روشهای تولید و کنترل نقاط کوانتومی آشنا میشود و سپس درباره خواص ساختاری، الکترونیکی و نوری آنها بحث میشود. این مقاله با مثال هایی از نحوه استفاده از خواص نوری آنها در دستگاه های عملی، از جمله لیزرها و دیودهای ساطع کننده نور که در طول موج های تجاری مهم 1.3 میکرومتر و 1.55 میکرومتر کار می کنند، به پایان می رسد.
This volume contains papers delivered at a NATO Advanced Research Workshop and provides a broad introduction to all major aspects of quantum dot structures. Such structures have been produced for studies of basic physical phenomena, for device fabrication and, on a more speculative level, have been suggested as components of a solid-state realization of a quantum computer. The book is structured so that the reader is introduced to the methods used to produce and control quantum dots, followed by discussions of their structural, electronic, and optical properties. It concludes with examples of how their optical properties can be used in practical devices, including lasers and light-emitting diodes operating at the commercially important wavelengths of 1.3 µm and 1.55 µm.
Quantum Dots in the InAs/GaAs System....Pages 1-26
First-Principles Study of InAs/GaAs(001) Heteroepitaxy....Pages 27-42
Formation of Two-Dimensional Si/Ge Nanostructures Observed by STM....Pages 43-54
Diffusion, Nucleation and Growth on Metal Surfaces....Pages 55-70
The Mechanism of the Stranski-Krastanov Transition....Pages 71-88
Off-Lattice KMC Simulations of Stranski-Krastanov-Like Growth....Pages 89-102
Temperature Regimes of Strain-Induced InAs Quantum Dot Formation....Pages 103-119
Kinetic Modelling of Strained Films: Effects of Wetting and Facetting....Pages 121-134
Ge/Si Nanostructures with Quantum Dots Grown by Ion-Beam-Assisted Heteroepitaxy....Pages 135-144
Lateral Organization of Quantum Dots on a Patterned Substrate....Pages 145-156
Some Thermodynamic Aspects of Self-Assembly of Quantum Dot Arrays....Pages 157-172
The Search for Materials with Self-Assembling Properties: The Case of Si-Based Nanostructures....Pages 173-182
X-Ray Scattering Methods for the Study of Epitaxial Self-Assembled Quantum Dots....Pages 183-207
Carbon-Induced Ge Dots On Si(100): Interplay of Strain and Chemical Effects....Pages 209-220
Growth Information Carried by Reflection High-Energy Electron Diffraction....Pages 221-237
Efficient Calculation of Electron States in Self-Assembled Quantum Dots: Application to Auger Relaxation....Pages 239-255
Quantum Dot Molecules and Chains....Pages 257-268
Collective Properties of Electrons and Holes in Coupled Quantum Dots....Pages 269-283
Phase Transitions in Wigner Molecules....Pages 285-299
Fast Control of Quantum States in Quantum Dots: Limits due to Decoherence....Pages 301-315
Real Space Ab Initio Calculations of Excitation Energies in Small Silicon Quantum Dots....Pages 317-332
GeSi/Si(001) Structures with Self-Assembled Islands: Growth and Optical Properties....Pages 333-351
Quantum Dots in High Electric Fields: Field and Photofield Emission from Ge Nanoclusters on Si(100)....Pages 353-367
Optical Emission Behavior of Si Quantum Dots....Pages 369-376
Strain-Driven Phenomena upon Overgrowth of Quantum Dots: Activated Spinodal Decomposition and Defect Reduction....Pages 377-395