ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Properties of Silicon Carbide

دانلود کتاب خواص سیلیکون کاربید

Properties of Silicon Carbide

مشخصات کتاب

Properties of Silicon Carbide

دسته بندی: علم شیمی
ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری: E M I S Datareviews Series 
ISBN (شابک) : 0852968701, 9780852968703 
ناشر: Also available 
سال نشر: 1995 
تعداد صفحات: 297 
زبان: English 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 3 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 31,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Properties of Silicon Carbide به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خواص سیلیکون کاربید نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب خواص سیلیکون کاربید

تحقیقات در مورد SiC با وعده‌های رو به رشد کاربردها در دیودهای نور آبی، مدارهای مجتمع که در دماهای بالا کار می‌کنند، دستگاه‌های با قدرت/فرکانس بالا و ساختارهای کوانتومی هدایت می‌شود. برای تحقق این وعده، درک و توصیف کامل سیستم SiC ضروری است. در این کتاب، پروفسور گری هریس، دانش تخصصی بسیاری از محققان از سراسر جهان را گردآوری کرده و آن را در یک جلد کاملاً نمایه‌سازی شده با ساختار بسیار بالا با بیش از 1000 مرجع به منابع منتشر شده و منتشر نشده ارائه کرده است. همچنین در دسترس است: خواص، پردازش و کاربردهای نیترید گالیوم و نیمه هادی های مرتبط - ISBN 9780863417757خواص، پردازش و کاربردهای ایندیم فسفید - ISBN 9780863416408 موسسه مهندسی و فناوری یکی از انجمن های حرفه ای پیشرو در جهان برای جامعه مهندسی و فناوری است. IET هر سال بیش از 100 عنوان جدید منتشر می کند. ترکیبی غنی از کتاب ها، مجلات و مجلات با کاتالوگ متشکل از بیش از 350 کتاب در 18 موضوع مختلف از جمله: - نیرو و انرژی - انرژی های تجدیدپذیر - رادار، سونار و ناوبری - الکترومغناطیسی - اندازه گیری الکتریکی - تاریخچه فناوری - مدیریت فناوری


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Research on SiC is driven by the growing promise of applications in blue light diodes, integrated circuits operating at high temperatures, highpower/high frequency devices and quantum structures. To fulfill this promise it is necessary to understand and fully characterise the SiC system. In this book Professor Gary Harris has drawn together the expert knowledge of numerous researchers from around the world and presented it in one highly structured fully indexed volume with over 1000 references to published and unpublished sources.Also available:Properties, Processing and Applications of Gallium Nitride and Related Semi-conductors - ISBN 9780863417757Properties, Processing and Applications of Indium Phosphide - ISBN 9780863416408The Institution of Engineering and Technology is one of the world's leading professional societies for the engineering and technology community. The IET publishes more than 100 new titles every year; a rich mix of books, journals and magazines with a back catalogue of more than 350 books in 18 different subject areas including: -Power & Energy -Renewable Energy -Radar, Sonar & Navigation -Electromagnetics -Electrical Measurement -History of Technology -Technology Management



فهرست مطالب

Introduction......Page 3
Contents......Page 15
Ch 1- Basic Physical Properties......Page 17
Ch 2- Optical and Paramagnetic Properties......Page 28
Ch 3- Carrier Properties and Band Structure......Page 74
Ch 4 - Energy Levels......Page 97
Ch 5 - Surface Structure, Metallization And Oxidation......Page 110
Ch 6 - Etching......Page 140
Ch 7 - Diffusion of Impurities and Ion Implantation......Page 158
Ch 8 - Growth......Page 167
Ch 9 - SiC Devices and Ohmic Contacts......Page 233
Index......Page 277




نظرات کاربران