دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش:
نویسندگان: Pallab Bhattacharya
سری:
ISBN (شابک) : 0852968655, 9780852968659
ناشر: Inspec/Iee
سال نشر: 1993
تعداد صفحات: 339
زبان: English
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 17 مگابایت
در صورت ایرانی بودن نویسنده امکان دانلود وجود ندارد و مبلغ عودت داده خواهد شد
در صورت تبدیل فایل کتاب Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide (E M I S Datareviews Series) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب خواص شبکه مشبک و تنگ Indium Gallium Arsenide (سری E M I S Datareviews) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
نیمه هادی InGaAs (آرسنید گالیم ایندیم) نقشی محوری در مطالعه سیستم های کوانتومی ایفا می کند که کاربردهای امیدوارکننده ای در زمینه های میکروالکترونیک و اپتوالکترونیک ارائه می دهد. این مرجع به بررسی تحولات اخیر با InGaAs می پردازد. محققان پیشرو از ایالات متحده آمریکا، اروپا و ژاپن موضوعاتی مانند خواص ساختاری، حرارتی، مکانیکی و ارتعاشی، ساختار نواری آلیاژهای منطبق بر شبکه و کرنش، ویژگیهای انتقال و سطح، نوترکیبیهای تابشی و غیر تشعشعی، رشد بیرونی، دوپینگ، اچ کردن InGaAs و هتروساختارهای مرتبط، آشکارسازهای نوری، FET ها، ناهم ساختار دوگانه و لیزرهای چاه کوانتومی.
The semiconductor InGaAs (indium gallium arsenide) plays a pivotal role in the study of quantum systems which provide promising applications in the fields of microelectronics and optoelectronics. This reference explores recent developments with InGaAs. Leading researchers from the USA, Europe and Japan cover such issues as structural, thermal, mechanical and vibrational properties, the band structure of lattice-matched and strained alloys, transport and surface properties, radiative and non-radiative recombinations, expitaxial growth, doping, etching of InGaAs and related heterostructures, photodetectors, FETs, double heterostructure and quantum well lasers.