Properties of Impurity States in Superlattice Semiconductors

یک کارگاه آموزشی ناتو در مورد "ویژگی های حالت های ناخالصی در ابرشبکه های نیمه هادی" در دانشگاه اسکس، کولچستر، انگلستان، از 7 تا 11 سپتامبر 1987 برگزار شد. ابرشبکه های نیمه هادی دوپ شده نه تنها فرصتی بی نظیر برای با مطالعه رفتار الکترونیکی با ابعاد کم، می توان آنها را نیز به صورت سفارشی طراحی کرد تا بسیاری از ویژگی های الکترونیکی جذاب دیگر را به نمایش بگذارند. امکان استفاده از این مواد برای دستگاه‌های جدید و جدید، پیشرفت‌های خیره‌کننده زیادی را به‌ویژه در سال‌های اخیر ایجاد کرده است. هدف از این کارگاه بررسی پیشرفت‌ها در وضعیت هنر و نتایج اخیر در زمینه‌های مختلف تحقیقات ابرشبکه‌های نیمه‌رسانا، از جمله: (1) تکنیک‌های رشد و مشخصه‌سازی، (ب) حالت‌های ناخالصی عمیق و کم عمق، (iii) حالات چاه کوانتومی، و (IV) رسانایی دو بعدی و دیگر خواص الکترونیکی جدید. این جلد شامل کلیه مقالات ارائه شده در کارگاه می باشد. فصل 1-6 با تکنیک های رشد و مشخصه برای نیمه هادی های ابرشبکه مرتبط است. در این بخش به مسئله لایه ای نیز پرداخته شده است. فصل های 7-15 شامل بحث در مورد جنبه های مختلف حالت های ناخالصی است. فصل 16 تا 22 به حالات چاه کوانتومی اختصاص دارد. در نهایت، هدایت دو بعدی و سایر خواص الکترونیکی در فصل های 23-26 توضیح داده شده است.

A NATO workshop on "The Properties of Impurity States in Semiconductor Superlattices" was held at the University of Essex, Colchester, United Kingdom, from September 7 to 11, 1987. Doped semiconductor superlattices not only provide a unique opportunity for studying low dimensional electronic behavior, they can also be custom-designed to exhibit many other fascinating el~ctronic properties. The possibility of using these materials for new and novel devices has further induced many astonishing advances, especially in recent years. The purpose of this workshop was to review both advances in the state of the art and recent results in various areas of semiconductor superlattice research, including: (i) growth and characterization techniques, (ii) deep and shallow im­ purity states, (iii) quantum well states, and (iv) two-dimensional conduction and other novel electronic properties. This volume consists of all the papers presented at the workshop. Chapters 1-6 are concerned with growth and characterization techniques for superlattice semiconductors. The question of a-layer is also discussed in this section. Chapters 7-15 contain a discussion of various aspects of the impurity states. Chapters 16- 22 are devoted to quantum well states. Finally, two-dimensional conduction and other electronic properties are described in chapters 23-26.