Properties and Applications of Silicon Carbide

دسته بندی: الکترونیک
ویرایش:  
نویسندگان: Gerhardt R.  
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 546 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 44 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 33,000

InTech، 2011، —546p سیلیکون کاربید (SiC) یک ماده جالب است که در صنایع مختلف کاربرد پیدا کرده است. دو کاربرد شناخته شده این ماده استفاده از آن به عنوان یک ماده ساینده و استفاده اخیر آن به عنوان یک نیمه هادی باند پهن برای دستگاه های الکترونیکی با قدرت بالا و دمای بالا است. سختی بالای این ماده که سال هاست شناخته شده است، باعث استفاده از آن در ابزارهای ماشینکاری و سایر کاربردهای ساختاری شده است. استفاده از SiC در دستگاه های نیمه هادی تنها در بیست سال گذشته امکان پذیر شد، زمانی که تک بلورهای SiC به صورت تجاری در دسترس قرار گرفتند. لایه‌های نازک و نانوذرات SiC هنوز نادر هستند، اما SiC یکپارچه و کامپوزیت‌های حاوی SiC بسیار طولانی‌تر در دسترس بوده‌اند. یکی از چالش های کار با این ماده این است که می تواند به چند شکل های مختلف متبلور شود که رایج ترین آنها فازهای 3C (β-SiC) و شش ضلعی (α-SiC): 2H، 4H و 6H است. به دلیل نقطه ذوب بالا، دستیابی به چگالی ظاهری مناسب در مواد پلی کریستالی دشوار است. علاوه بر این، مواد نیمه رسانا موانع شاتکی را با بیشتر فلزات تشکیل می دهند، در حالی که تشکیل اکسید بومی آن، SiO2، می تواند مشکلات بیشتری را در هنگام استفاده در اتمسفرهای اکسید کننده ایجاد کند. با این حال، جامعه علمی در تبدیل برخی از دام ها به مزایای قطعی برای کاربردهای مختلف نبوغ نشان داده است.
در این کتاب، ما ترکیبی التقاطی از مقالات را بررسی می کنیم که برخی کاربردهای بالقوه جدید SiC و راه های مختلف را برجسته می کند. دستیابی به خواص خاص برخی از مقالات روش های پردازش به خوبی تثبیت شده را توصیف می کنند، در حالی که برخی دیگر تعادل فاز یا روش های ماشینکاری را برجسته می کنند. ظهور مجدد علاقه در عرصه ساختاری مشهود است، در حالی که روش‌های جدید برای استفاده از خواص الکترومغناطیسی جالب SiC همچنان در حال افزایش است. خواننده تشویق می شود تا ادبیات گسترده ای را در این زمینه کاوش کند، از 40000 تا 150000 مقاله بسته به اینکه فرد پایگاه داده ای را برای جستجو انتخاب کند، اما ممکن است چندین گوهر در میان فصل های این کتاب پیدا شود.
مقالات دارای بر اساس سه دسته زیر گروه بندی شد:
بخش A: لایه های نازک و کاربردهای الکترومغناطیسی.
بخش B: سایر کاربردها: الکتریکی، ساختاری و زیست پزشکی.
بخش C: روش‌های پردازش انبوه، پایداری فاز و ماشین‌کاری.

InTech, 2011, —546p Silicon carbide (SiC) is an interesting material that has found application in a variety of industries. The two best known applications of this material are its use as an abrasive material and its more recent use as a wide band gap semiconductor for high power, high temperature electronic devices. The high hardness of this material, known for many years, led to its use in machining tools and in other structural applications. Usage of SiC in semiconductor devices only became possible in the last twenty years, when commercially available SiC single crystals became available. Thin films and nanoparticles of SiC are still rare, but monolithic SiC and composites containing SiC have been available much longer. One of the challenges of working with this material is that it can crystallize into many different polymorphs, the most common being the 3C (β-SiC), and the hexagonal (α-SiC): 2H, 4H and 6H phases. Because of its high melting point, achieving reasonable bulk densities in polycrystalline materials is difficult. In addition, the semiconducting material forms Schottky barriers with most metals, while the formation of its native oxide, SiO2, can pose additional issues when used in oxidizing atmospheres. However, the scientific community has shown ingenuity in turning some of the pitfalls into decided advantages for a variety of applications.
In this book, we explore an eclectic mix of articles that highlight some new potential applications of SiC and different ways to achieve specific properties. Some articles describe well-established processing methods, while others highlight phase equilibria or machining methods. A resurgence of interest in the structural arena is evident, while new ways to utilize the interesting electromagnetic properties of SiC continue to increase. The reader is encouraged to explore the vast literature in this field, ranging from 40,000 up to 150,000 articles depending on which database one chooses to search in, but several gems may be found among the chapters in this book.
The articles have been grouped according to the following three categories:
Part A: Thin Films and Electromagnetic Applications.
Part B: Other Applications: Electrical, Structural and Biomedical.
Part C: Bulk Processing Methods, Phase Stability and Machining.