Process Technology for Semiconductor Lasers: Crystal Growth and Microprocesses

تکنولوژی فرآیندی برای لیزرهای نیمه هادی اصول طراحی لیزرهای نیمه هادی را عمدتاً از نقطه نظر ساخت توصیف می کند. با شروع با تاریخچه توسعه لیزر نیمه هادی و کاربردها، مواد مورد استفاده در لیزر از طول موج کوتاه تا بلند بررسی می شوند. اصول طراحی اولیه برای دستگاه های نیمه هادی-لیزر و اپیتاکسی برای تولید لیزر مورد بحث قرار می گیرد. یک فصل کامل به فناوری اپیتاکسی فاز مایع و فصل دیگر به ترتیب به اپیتاکسی فاز بخار و پرتو اختصاص دارد. مشخصات مواد لیزری و ساخت و ویژگی های لیزرهای نیمه هادی مورد بررسی قرار می گیرد. تکنیک‌های کنترل حالت ارائه شده‌اند و لیزرهای ساطع‌کننده سطح در فصل آخر معرفی می‌شوند.

Process Technology for Semiconductor Lasers describes the design principles of semiconductor lasers, mainly from the fabrication point of view. Starting out with the history of semiconductor-laser development and applications the materials for use in lasing from short to long wavelengths are reviewed. The basic design principles for semiconductor- laser devices and the epitaxy for laser production are discussed. An entire chapter is devoted to the technology of liquid-phase epitaxy, and another one to vapor-phase and beam epitaxies, respectively. The characterizations of laser materials, and the fabrication and characteristics of semiconductor lasers are treated. Mode-control techniques are presented, and surface-emitting lasers are introduced in the final chapter.