دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: J. Dąbrowski, E. R. Weber, H.-J. Müssig (auth.), Dr. Jarek Dabrowski, Professor Dr. Eicke R. Weber (eds.) سری: Springer Series in MATERIALS SCIENCE 72 ISBN (شابک) : 9783642058042, 9783662094327 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 2004 تعداد صفحات: 504 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 14 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب شبیه سازی پیش بینی پردازش نیمه هادی: وضعیت و چالش ها: نانوتکنولوژی،مشخصات و ارزیابی مواد،روش های ریاضی در فیزیک،مهندسی،عمومی،رویه های عملیاتی،تصفیه مواد
در صورت تبدیل فایل کتاب Predictive Simulation of Semiconductor Processing: Status and Challenges به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب شبیه سازی پیش بینی پردازش نیمه هادی: وضعیت و چالش ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
شبیهسازی پیشبینیکننده پردازش نیمهرسانا، محققان و توسعهدهندگان را قادر میسازد تا محدوده مقیاسبندی دستگاههای نیمهرسانا را فراتر از محدوده پارامترهای تحقیقات تجربی گسترش دهند. این نیاز به درک کامل مکانیسم های اساسی به کار رفته در ساخت دستگاه، مانند انتشار، کاشت یون، اپیتاکسی، تشکیل نقص و بازپخت، و آلودگی دارد. این کتاب بحث عمیقی از درک فعلی ما از فرآیندهای کلیدی ارائه میکند و حوزههایی را که برای دستیابی به هدف یک ابزار شبیهسازی فرآیند جامع و پیشبینیکننده نیاز به کار بیشتری دارند، شناسایی میکند.
Predictive simulation of semiconductor processing enables researchers and developers to extend the scaling range of semiconductor devices beyond the parameter range of empirical research. It requires a thorough understanding of the basic mechanisms employed in device fabrication, such as diffusion, ion implantation, epitaxy, defect formation and annealing, and contamination. This book presents an in-depth discussion of our current understanding of key processes and identifies areas that require further work in order to achieve the goal of a comprehensive, predictive process simulation tool.
Front Matter....Pages I-XVII
Transistors and Atoms....Pages 1-38
Atomistic Simulations of Processes at Surfaces....Pages 39-72
Atomistic Simulations in Materials Processing....Pages 73-109
Atomistic Simulation of Decanano MOSFETs....Pages 111-156
Modeling and Simulation of Heterojunction Bipolar Transistors....Pages 157-199
Gate Oxide Reliability: Physical and Computational Models....Pages 201-258
High- K Dielectrics: The Example of Pr 2 O 3 ....Pages 259-294
Atomistic Simulation of Si 3 N 4 CVD from Dichlorosilane and NH 3 ....Pages 295-355
Interconnects and Propagation of High Frequency Signals....Pages 357-385
Modeling of Electromigration in Interconnects....Pages 387-456
Predictive Modeling of Transition Metal Gettering: Applications and Materials Science Challenges....Pages 457-468
Back Matter....Pages 469-493