مشخصات کتاب

Power Electronics Semiconductor Devices

ویرایش:  
نویسندگان: Robert Perret  
سری:  
ISBN (شابک) : 9781848210646, 9780470611494 
ناشر: Wiley-ISTE 
سال نشر: 2009 
تعداد صفحات: 559 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 مگابایت 

در صورت تبدیل فایل کتاب Power Electronics Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب دستگاه های نیمه هادی الکترونیک قدرت نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب دستگاه های نیمه هادی الکترونیک قدرت

این کتاب به پیشرفت‌های اخیر در چندین آزمایشگاه کلیدی تحقیق و توسعه مهندسی برق، با تمرکز بر سوئیچ‌های الکترونیک قدرت و استفاده از آنها می‌پردازد. بخش‌های اول به فناوری‌های کلیدی الکترونیک قدرت، ماسفت‌ها و IGBT‌ها، از جمله پیوندهای سری و موازی می‌پردازند. بخش بعدی به بررسی کاربید سیلیکون و پتانسیل آن برای کاربردهای الکترونیک قدرت و محدودیت‌های فعلی آن می‌پردازد. سپس، یک بخش اختصاصی خازن‌ها، اجزای غیرفعال کلیدی در الکترونیک قدرت را ارائه می‌کند و به دنبال آن یک روش مدل‌سازی که امکان محاسبه اندوکتانس‌های سرگردان را فراهم می‌کند، ارائه می‌کند. شبیه سازی دقیق شکل موج سوئیچینگ رفتار حرارتی مرتبط با سوئیچ‌های قدرت به شرح زیر است، و بخش آخر چند چشم‌انداز جالب در ارتباط با یکپارچه‌سازی Power Electronics را پیشنهاد می‌کند. ترانزیستورهای دوقطبی گیت (صفحات 57-132): پیر آلویسی
سری فصل 3 و اتصالات موازی MOS و IGBT (صفحات 133-183): دانیل چاتروکس، دومینیک لافور و ژان لوک شانن
فصل 4 کاربردهای کاربید سیلیکون در Power Electronics (صفحات 185-265): Marie?Laure Locatelli و Dominique Planson
فصل 5 خازن ها برای الکترونیک قدرت (صفحات 267-315): Abderrahmane Beroual, Sophie Guillemet?Fritsch and Thierry Lebey
مدل سازی اتصالات فصل 6 (صفحات 317-401): ادیت کلاول، فرانسوا کوستا، آرنو گوئنا، سیریل گوتیه، جیمز رودت و ژان؟ لوک شانن
فصل 7 سلول کموتاسیون (صفحات 403-432): جیمز رودت و ژان؟ لوک شانن
فصل 8 الکترونیک قدرت و مدیریت حرارتی (صفحات 433-496): شرکت رین پرت و رابرت پرت
فصل 9 به سوی الکترونیک قدرت یکپارچه (صفحات 497-545): پاتریک آستین، ماری بریل و ژان؟ لوئیس سانچز

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book relates the recent developments in several key electrical engineering R&D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations.
Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.
Content:
Chapter 1 Power MOSFET Transistors (pages 1–56): Pierre Aloisi
Chapter 2 Insulated Gate Bipolar Transistors (pages 57–132): Pierre Aloisi
Chapter 3 Series and Parallel Connections of MOS and IGBT (pages 133–183): Daniel Chatroux, Dominique Lafore and Jean?Luc Schanen
Chapter 4 Silicon Carbide Applications in Power Electronics (pages 185–265): Marie?Laure Locatelli and Dominique Planson
Chapter 5 Capacitors for Power Electronics (pages 267–315): Abderrahmane Beroual, Sophie Guillemet?Fritsch and Thierry Lebey
Chapter 6 Modeling Connections (pages 317–401): Edith Clavel, Francois Costa, Arnaud Guena, Cyrille Gautier, James Roudet and Jean?Luc Schanen
Chapter 7 Commutation Cell (pages 403–432): James Roudet and Jean?Luc Schanen
Chapter 8 Power Electronics and Thermal Management (pages 433–496): Corinne Perret and Robert Perret
Chapter 9 Towards Integrated Power Electronics (pages 497–545): Patrick Austin, Marie Breil and Jean?Louis Sanchez

فهرست مطالب

 Content: Power MOSFET transistors --
 Insulated gate bipolar transistors --
 Series and parallel connections of MOS and IGBIT --
 Silicon carbide applications in power electronics --
 Capacitors for power electronics --
 Modeling connections --
 Commutation cell --
 Power electronics and thermal management --
 Towards integrated power electronics.
 Abstract:             \"This book relates the recent developments in several key electrical engineering R & D labs, concentrating on power electronics switches and their use. The first sections deal with key power electronics technologies, MOSFETs and IGBTs, including series and parallel associations. The next section examines silicon carbide and its potentiality for power electronics applications and its present limitations. Then, a dedicated section presents the capacitors, key passive components in power electronics, followed by a modeling method allowing the stray inductances computation, necessary for the precise simulation of switching waveforms. Thermal behavior associated with power switches follows, and the last part proposes some interesting prospectives associated to Power Electronics integration.\"--Publisher\'s description

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Ian Fleming and Operation Golden Eye: Keeping Spain Out of World War II

دانلود کتاب Parental Rights, Best Interests and Significant Harms: Medical Decision-Making on Behalf of Children Post-Great Ormond Street Hospital v Gard

دانلود کتاب 48 Hours in San Francisco

دانلود کتاب Rook Theory Notes

دانلود کتاب Spies, Lies and the War on Terror