دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Point Defects in Semicondoctors I
دانلود کتاب نقایص نقطه ای در نیمه کانکتورها I
مشخصات کتاب
Point Defects in Semicondoctors I
ویرایش: نویسندگان: Lanoo M., Bourgoin J. سری: ISBN (شابک) : 3540105182 ناشر: Springer سال نشر: 1981 تعداد صفحات: 139 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 9 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 56,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Point Defects in Semicondoctors I به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نقایص نقطه ای در نیمه کانکتورها I نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نقایص نقطه ای در نیمه کانکتورها I
از ابتدای شروع آن قبل از جنگ، حوزه نیمه هادی ها به عنوان یک نمونه کلاسیک توسعه یافته است که در آن می توان از تقریب های استاندارد "نظریه باند" برای مطالعه خواص الکترونیکی جالب آن استفاده کرد. بنابراین در این بلورهای کووالانسی، ساختار الکترونیکی تنها به طور ضعیفی با ارتعاشات اتمی همراه است. می توان از توابع بلوخ یک الکترونی استفاده کرد و باندهای انرژی آنها را می توان به طور دقیق در همسایگی شکاف انرژی بین باندهای ظرفیت و هدایت محاسبه کرد. دوپینگ nand p را می توان با معرفی ناخالصی های جایگزینی به دست آورد که فقط اهداکنندگان و پذیرندگان کم عمق را معرفی می کند و می تواند با یک توصیف پراکندگی ضعیف جرم موثر مورد مطالعه قرار گیرد. با این حال، حتی در ابتدا، از مطالعات لومینسانس مشخص شد که این مفاهیم ساده در توصیف «سطوح عمیق» مختلف که در نزدیکی وسط شکاف انرژی توسط نقص‌های موضعی قوی معرفی شده‌اند، ناکام مانده‌اند. این عیوب نه تنها شامل برخی اتم‌های بینابینی و بسیاری از اتم‌های جانشینی می‌شود، بلکه «پیوندهای شکسته» مرتبط با سطوح و رابط‌ها، هسته‌های مکان‌های مختلف و «جای‌های خالی» را نیز شامل می‌شود، به عنوان مثال، مکان‌های خالی در کریستال. در تمام این موارد، ساختار الکترونیکی می تواند به شدت با جزئیات ساختار اتمی و حرکت اتمی مرتبط باشد. از آنجایی که این «سطوح عمیق» به شدت موضعی هستند، همبستگی های الکترون-الکترون نیز می تواند نقش مهمی ایفا کند و هر گونه درمان اغتشاش ضعیف از ساختار بلوری کامل به وضوح با شکست مواجه می شود. بنابراین، اغلب باید از تکنیک‌های تقریبی «کوپلینگ قوی» در راستای توصیف شیمیایی بیشتر پیوند استفاده شود.
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
From its early beginning before the war, the field of semiconductors has developped as a classical example where the standard approximations of 'band theory' can be safely used to study its interesting electronic properties. Thus in these covalent crystals, the electronic structure is only weakly coupled with the atomic vibrations; one-electron Bloch functions can be used and their energy bands can be accurately computed in the neighborhood of the energy gap between the valence and conduction bands; nand p doping can be obtained by introducing substitutional impurities which only introduce shallow donors and acceptors and can be studied by an effective-mass weak-scattering description. Yet, even at the beginning, it was known from luminescence studies that these simple concepts failed to describe the various 'deep levels' introduced near the middle of the energy gap by strong localized imperfections. These imperfections not only include some interstitial and many substitutional atoms, but also 'broken bonds' associated with surfaces and interfaces, dis location cores and 'vacancies', i.e., vacant iattice sites in the crystal. In all these cases, the electronic structure can be strongly correlated with the details of the atomic structure and the atomic motion. Because these 'deep levels' are strongly localised, electron-electron correlations can also playa significant role, and any weak perturbation treatment from the perfect crystal structure obviously fails. Thus, approximate 'strong coupling' techniques must often be used, in line' with a more chemical de scription of bonding.
