Plasma Etching Processes for CMOS Devices Realization

اچ پلاسما مدت‌هاست که قانون مور را قادر ساخته است. امروزه، جبران اچ به ایجاد دستگاه هایی با طول کمتر از 20 نانومتر کمک می کند. اما، با کاهش مداوم ابعاد دستگاه و ظهور ساختارهای سه بعدی پیچیده (مانند FinFet، Nanowire و نانوسیم های انباشته شده در طولانی مدت) و دستگاه های زیر 20 نانومتر، الزامات اچ پلاسما بیش از پیش سختگیرانه تر شده اند. اکنون بیش از هر زمان دیگری، فناوری اچ پلاسما برای فشار دادن محدودیت های ساخت دستگاه های نیمه هادی به عصر نانوالکترونیک استفاده می شود. این امر مستلزم بهبود فناوری پلاسما (منابع پلاسما، طراحی محفظه و غیره)، شیمی‌های جدید (گازهای اچ، جریان‌ها، برهم‌کنش‌ها با بسترها و غیره) و همچنین سازگاری با تکنیک‌های الگوبرداری جدید مانند الگوبرداری چندگانه، لیتوگرافی EUV، خود مونتاژ مستقیم، لیتوگرافی ebeam یا لیتوگرافی نانوایمپرنت. این کتاب چالش‌های اچ و راه‌حل‌های مرتبطی را که در طول سال‌ها برای تحقق ترانزیستور با آن مواجه شده‌اند، ارائه می‌کند.

• به خوانندگان کمک می‌کند تا فناوری اصلی مورد استفاده برای الگوبرداری از ساختارهای پیچیده شامل مواد مختلف را کشف کنند.
• کاوش در قابلیت های پلاسمای سرد برای تولید پروفیل های اچ شده به خوبی کنترل شده و گزینش پذیری اچ بالا بین مواد
• به کاربران می آموزد که چگونه جبران اچ به ایجاد دستگاه هایی با اندازه کوچکتر از 20 نانومتر کمک می کند

Plasma etching has long enabled the perpetuation of Moore's Law. Today, etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm. But, with the constant downscaling in device dimensions and the emergence of complex 3D structures (like FinFet, Nanowire and stacked nanowire at longer term) and sub 20 nm devices, plasma etching requirements have become more and more stringent. Now more than ever, plasma etch technology is used to push the limits of semiconductor device fabrication into the nanoelectronics age. This will require improvement in plasma technology (plasma sources, chamber design, etc.), new chemistries (etch gases, flows, interactions with substrates, etc.) as well as a compatibility with new patterning techniques such as multiple patterning, EUV lithography, Direct Self Assembly, ebeam lithography or nanoimprint lithography. This book presents these etch challenges and associated solutions encountered throughout the years for transistor realization.

• Helps readers discover the master technology used to pattern complex structures involving various materials
• Explores the capabilities of cold plasmas to generate well controlled etched profiles and high etch selectivities between materials
• Teaches users how etch compensation helps to create devices that are smaller than 20 nm