Piezoelectric Accelerometers with Integral Electronics

این کتاب مرجع ارزشمندی به شتاب‌سنج‌های پیزوالکتریک با الکترونیک انتگرال (IEPE) ارائه می‌کند. این پارامترهای طراحی و عملکرد شتاب‌سنج‌های IEPE و عناصر کلیدی آن‌ها، مبدل‌های PE و تقویت‌کننده‌های ورودی FET را توصیف می‌کند. پوشش شامل شتاب سنج های IEPE با نویز کم و دمای بالا است که اخیراً طراحی شده است. خوانندگان از تجزیه و تحلیل دقیق نویز شتاب سنج IEPE بهره مند می شوند که تخمین کف نویز و محدودیت های نویز آن را امکان پذیر می کند. سایر موضوعات مفید برای طراحان الکترونیک مبتنی بر سیلیکون با نویز کم و دمای بالا عبارتند از تجزیه و تحلیل نویز تقویت کننده های FET، بررسی تجربی و مقایسه نویز فرکانس پایین در JFET ها و ماسفت های مختلف و JFET های بسیار کم نویز (در سطح 0.6). nV/√Hz). این بحث همچنین شامل شتاب‌سنج‌های لرزه‌ای IEPE با نویز بسیار کم (در سطح 3 ng/√Hz) و شتاب‌سنج‌های مینیاتوری IEPE سه محوری و تک محوری با دمای بالا (تا 175 درجه سانتی‌گراد)، همراه با عوامل کلیدی برای طراحی آنها می‌شود. >

• ارجاع جامعی به طراحی و عملکرد شتاب‌سنج‌های IEPE، از جمله سنسورهای IEPE کم نویز و دمای بالا ارائه می‌کند؛
• شامل تجزیه و تحلیل نویز شتاب‌سنج IEPE است که تخمین کف نویز و نویز آن را ممکن می‌سازد. محدودیت‌ها؛
• طراحی اخیر شتاب‌سنج‌های لرزه‌ای IEPE با نویز فوق‌العاده کم (در سطح 3 ng/√Hz) و شتاب‌سنج‌های مینیاتوری IEPE با دمای بالا (تا 175 ̊C) سه محوری و تک محوری را توصیف می‌کند؛
• مقایسه نویز فرکانس پایین در JFET ها و ماسفت های مختلف از جمله نتایج اندازه گیری صدای فوق العاده کم (در سطح 0.6 nV/√Hz) JFET؛
• عوامل کلیدی برای طراحی شتاب سنج IEPE کم نویز و دمای بالا و آنها را ارائه می دهد. الکترونیک.

This book provides an invaluable reference to Piezoelectric Accelerometers with Integral Electronics (IEPE). It describes the design and performance parameters of IEPE accelerometers and their key elements, PE transducers and FET-input amplifiers. Coverage includes recently designed, low-noise and high temperature IEPE accelerometers. Readers will benefit from the detailed noise analysis of the IEPE accelerometer, which enables estimation of its noise floor and noise limits. Other topics useful for designers of low-noise, high temperature silicon-based electronics include noise analysis of FET amplifiers, experimental investigation and comparison of low-frequency noise in different JFETs and MOSFETs, and ultra-low-noise JFETs (at level of 0.6 nV/√Hz). The discussion also includes ultra-low-noise (at level of 3 ng/√Hz) seismic IEPE accelerometers and high temperature (up to 175 ̊C) triaxial and single axis miniature IEPE accelerometers, along with key factors for their design.

• Provides a comprehensive reference to the design and performance of IEPE accelerometers, including low-noise and high temperature IEPE sensors;
• Includes noise analysis of the IEPE accelerometer, which enables estimation of the its noise floor and noise limits;
• Describes recently design of ultra-low-noise (at level of 3 ng/√Hz) IEPE seismic accelerometers and high temperature (up to 175 ̊C) triaxial and single axis miniature IEPE accelerometers;
• Compares low-frequency noise in different JFETs and MOSFETs including measurement results of ultra-low-noise (at level of 0.6 nV/√Hz) JFET;
• Presents key factors for design of low-noise and high temperature IEPE accelerometer and their electronics.