دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: D. H. Auston, K. P. Cheung, J. A. Valdmanis, P. R. Smith (auth.), Dr. Gerard Albert Mourou, Dr. David M. Bloom, Dr. Chi-H. Lee (eds.) سری: Springer Series in Electrophysics 21 ISBN (شابک) : 9783642707827, 9783642707803 ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg سال نشر: 1985 تعداد صفحات: 266 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 10 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Picosecond Electronics and Optoelectronics: Proceedings of the Topical Meeting Lake Tahoe، نوادا، 13 تا 15 مارس 1985: الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق، اپتیک، اپتوالکترونیک، پلاسمونیک و دستگاههای نوری
در صورت تبدیل فایل کتاب Picosecond Electronics and Optoelectronics: Proceedings of the Topical Meeting Lake Tahoe, Nevada, March 13–15, 1985 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Picosecond Electronics and Optoelectronics: Proceedings of the Topical Meeting Lake Tahoe، نوادا، 13 تا 15 مارس 1985 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
در طول دهه گذشته، ما شاهد تعدادی پیشرفت های چشمگیر در ساخت دستگاه های نیمه هادی کریستالی بوده ایم که عمدتاً به دلیل پیشرفت تکنیک های مختلف هترواپیتاکسی است. کشف رفتار دو بعدی الکترونها منجر به توسعه نسل جدیدی از دستگاههای الکترونیکی و نوری فوقسریع، مانند FETهای مدولاسیونشده، ترانزیستورهای پایه نفوذپذیر و ترانزیستورهای ناهمگونی دوگانه شد. پیشرفت قابل مقایسه ای در حوزه کرایوالکترونیک، تولید پالس فوق کوتاه و تشخیص فوق سریع حاصل شده است. لیزرهای رنگی میتوانند 8 سیگنال fs را پس از فشردهسازی تولید کنند، لیزرهای دیودی را میتوان با سرعتهای نزدیک به 20 گیگاهرتز مدوله کرد و سیگنالهای الکتریکی با دقت زیر پیکسلثانیه از طریق اثر الکترواپتیک مشخص میشوند. در حال حاضر، ما یک تعامل مهم بین حوزه اپتیک و الکترونیک را تجربه می کنیم. هدف از این نشست تقویت و تقویت تعامل بین دو رشته بود. منطقی بود که کنفرانس را با ارائه به دو مخاطب مختلف آغاز کنیم. ه. ، الکترونیک و اپتیک، آخرین هنر در دو زمینه مرتبط و برجسته کردن اهمیت تکنیک های نوری در تجزیه و تحلیل فرآیندهای فیزیکی و عملکرد دستگاه است. یکی از تکنیک های پیشرو در این زمینه، تکنیک نمونه برداری الکترواپتیک است. این تکنیک نوری برای مشخص کردن خطوط انتقال و دستگاههای GaAs استفاده شده است. حمل و نقل حامل در نیمه هادی ها از اهمیت اساسی برخوردار است و برخی از جنبه های مهم آن در این اقدامات مورد تاکید قرار می گیرد.
Over the past decade, we have witnessed a number of spectacular advances in the fabrication of crystalline semiconductor devices due mainly to the pro gress of the different techni ques of heteroepitaxy. The di scovery of two dimensional behavior of electrons led to the development of a new breed of ultrafast electronic and optical devices, such as modulation doped FETs, permeable base transistors, and double heterojunction transistors. Comparable progress has been made in the domain of cryoelectronics, ultrashort pulse generation, and ultrafast diagnostics. Dye lasers can generate 8 fs signals after compression, diode lasers can be modulated at speeds close to 20 GHz and electrical signals are characterized with subpicosecond accuracy via the electro-optic effect. Presently, we are experiencing an important interplay between the field of optics and electronics; the purpose of this meeting was to foster and enhance the interaction between the two disciplines. It was logical to start the conference by presenting to the two different audiences, i. e. , electronics and optics, the state-of-the-art in the two res pective fields and to highlight the importance of optical techniques in the analysis of physical processes and device performances. One of the leading techniques in this area is the electro-optic sampling technique. This optical technique has been used to characterize transmission lines and GaAs devices. Carrier transport in semiconductors is of fundamental importance and some of its important aspects are stressed in these proceedings.
Front Matter....Pages I-X
Front Matter....Pages 1-1
Ultrafast Optical Electronics: From Femtoseconds to Terahertz....Pages 2-8
Prospects of High-Speed Semiconductor Devices....Pages 9-17
The Role of Ultrashort Optical Pulses in High-Speed Electronics....Pages 18-22
GaAs Integrated Circuit Technology for High Speed Analog and Digital Electronics....Pages 23-31
Heterojunction Bipolar Transistor Technology for High-Speed Integrated Circuits....Pages 32-37
Permeable Base Transistor....Pages 38-45
Two Dimensional E-Field Mapping with Subpicosecond Resolution....Pages 46-49
Picosecond Electrooptic Sampling and Harmonic Mixing in GaAs....Pages 50-53
Characterization of TEGFETs and MESFETs Using the Electrooptic Sampling Technique....Pages 54-57
Picosecond Electro-Electron Optic Oscilloscope....Pages 58-61
Picosecond Optoelectronic Diagnostics of Field Effect Transistors....Pages 62-65
Time-Domain Measurements for Silicon Integrated Circuit Testing Using Photoconductors....Pages 66-69
Modeling of Picosecond Pulse Propagation on Silicon Integrated Circuits....Pages 70-73
Front Matter....Pages 75-75
Picosecond Processes in Carrier Transport Theory....Pages 76-82
Carrier-Carrier Interaction and Picosecond Phenomena in Polar Semiconductors....Pages 83-86
Subpicosecond Raman Spectroscopy of Electron — LO Phonon Dynamics in GaAs....Pages 87-90
Acoustic Phonon Generation in the Picosecond Dynamics of Dense Electron-Hole Plasmas in InGaAsP Films....Pages 91-93
Picosecond Time-Resolved Photoemission Study of the InP (110) Surface....Pages 94-96
Monte Carlo Investigation of Hot Carriers Generated by Subpicosecond Laser Pulses in Schottky Barrier Diodes....Pages 97-99
Front Matter....Pages 101-101
Properties of GaAlAs/GaAs Quantum Well Heterostractures Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition....Pages 102-104
Front Matter....Pages 101-101
Molecular Beam Epitaxy Materials for High-Speed Digital Heterostructure Devices....Pages 105-111
New High-Speed Quantum Well and Variable Grap Superlattice Devices....Pages 112-130
Electric Field-Induced Decrease of Excition Lifetimes in GaAs Quantum Wells....Pages 131-133
Reduction of Electon-Phonon Scattering Rates by Total Spatial Quantization....Pages 134-137
Hot Electron Diffusion in Superlattices....Pages 139-142
Time-Resolved Photoluminescence of GaAs/Al x Ga 1−x As Quantum Well Structures Grown by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition....Pages 143-147
A Study of Exciton and Carrier Dynamics and a Demonstration of One-Picosecond Optical NOR Gate Operation of a GaAs-AlGaAs Device....Pages 148-150
Exciton-Exciton Interaction in GaAs-GaAlAs Superlattices....Pages 151-154
Front Matter....Pages 155-155
An InGaAsP 1.55 μm Mode-Locked Laser with a Single-Mode Fiber Output....Pages 156-158
Fast Multiple Quantum Well Absorber for Mode Locking of Semiconductor Lasers....Pages 159-162
Suppression of Timing and Energy Fluctuations in a Modelocked Semiconductor Laser by cw-Injection....Pages 163-166
Parametric Oscillations in Semiconductor Lasers....Pages 167-170
Front Matter....Pages 171-171
Ultrafast Traveling-Wave Light Modulators with Reduced Velocity Mismatch....Pages 172-175
Modulation of an Optical Beam by a Second Optical Beam in Biased Semi-Insulating GaAs....Pages 176-179
22-GHz Bandwidth InGaAs/InP PIN Photodiodes....Pages 180-183
An Ultrafast Diffusion-Driven Detector....Pages 184-187
Picosecond Photoconductivity in Polycrystalline CdTe Films Prepared by UV-Enhanced OMCVD....Pages 188-192
High-Speed Internal Photoemission Detectors Enhanced by Grating Coupling to Surface Plasma Waves....Pages 193-196
Submicron-Gap Photoconductive Switching in Silicon....Pages 197-200
Hertzian Dipole Measurements with InP Photoconductors....Pages 201-204
Front Matter....Pages 171-171
Pulse Waveform Standards for Electro-Optics....Pages 205-206
High-Speed Optoelectronic Track-and-Hold Circuits in Hybrid Signal Processors for Wideband Radar....Pages 207-211
Optoelectronic Modulation of Millimeter Waves in a Silicon-on-Sapphire Waveguide....Pages 212-215
Direct DC to RF Conversion by Impulse Excitation of a Resonant Cavity....Pages 216-219
Kilovolt Sequential Waveform Generation by Picosecond Optoelectronic Switching in Silicon....Pages 220-223
Femtosecond Nonlinearities of Standard Optical Glasses....Pages 224-226
Front Matter....Pages 227-227
High-Speed Analog Signal Processing with Superconductive Circuits....Pages 228-235
Picosecond Sampling with Josephson Junctions....Pages 236-243
Transmission Line Designs With a Measured Step Response of 3 ps Per Centimeter....Pages 244-248
Development of a Picosecond Cryo-Sampler Using Electro-Optic Techniques....Pages 249-252
Picosecond Josephson Logic Gates for Digital LSIs....Pages 253-256
Back Matter....Pages 257-258