ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Physics of Semiconductor Devices

دانلود کتاب فیزیک دستگاه های نیمه هادی

Physics of Semiconductor Devices

مشخصات کتاب

Physics of Semiconductor Devices

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9781493911509, 9781493911516 
ناشر: Springer-Verlag New York 
سال نشر: 2015 
تعداد صفحات: 648 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 14 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 47,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب فیزیک دستگاه های نیمه هادی: مدارها و سیستم ها، نیمه هادی ها، الکترونیک و میکروالکترونیک، ابزار دقیق



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Physics of Semiconductor Devices به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب فیزیک دستگاه های نیمه هادی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب فیزیک دستگاه های نیمه هادی



این کتاب فیزیک پایه نیمه هادی ها، از جمله سلسله مراتب مدل های حمل و نقل را توصیف می کند و این نظریه را با عملکرد دستگاه های نیمه هادی واقعی مرتبط می کند. جزئیات با دقت کار شده و از فیزیک پایه استخراج می شوند، در حالی که انسجام درونی مفاهیم را حفظ می کنند و سطوح مختلف تقریب را توضیح می دهند. نمونه ها به دلیل اهمیت صنعتی آن بر اساس سیلیکون هستند. چندین فصل گنجانده شده است که مفاهیم مکانیکی کوانتومی لازم برای درک خواص انتقال کریستال ها را در اختیار خواننده قرار می دهد. رفتار کریستال‌هایی که دارای توزیع ناخالصی وابسته به موقعیت هستند، توضیح داده می‌شود و مدل‌های مختلف انتقال سلسله مراتبی برای دستگاه‌های نیمه‌رسانا مشتق شده‌اند (از معادله انتقال بولتزمن تا مدل‌های هیدرودینامیکی و رانش- انتشار). سپس مدل‌های حمل‌ونقل برای شرح مفصلی از معماری‌های نیمه‌رسانا-دستگاه اصلی (دو قطبی، MOS) اعمال می‌شوند. فصل های پایانی به شرح برخی از مراحل ساخت اولیه و روش های اندازه گیری پارامترهای نیمه هادی-دستگاه اختصاص داده شده است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This book describes the basic physics of semiconductors, including the hierarchy of transport models, and connects the theory with the functioning of actual semiconductor devices. Details are worked out carefully and derived from the basic physics, while keeping the internal coherence of the concepts and explaining various levels of approximation. Examples are based on silicon due to its industrial importance. Several chapters are included that provide the reader with the quantum-mechanical concepts necessary for understanding the transport properties of crystals. The behavior of crystals incorporating a position-dependent impurity distribution is described, and the different hierarchical transport models for semiconductor devices are derived (from the Boltzmann transport equation to the hydrodynamic and drift-diffusion models). The transport models are then applied to a detailed description of the main semiconductor-device architectures (bipolar, MOS). The final chapters are devoted to the description of some basic fabrication steps, and to measuring methods for the semiconductor-device parameters.



فهرست مطالب

Front Matter....Pages i-xxiii
Front Matter....Pages 1-1
Analytical Mechanics....Pages 3-23
Coordinate Transformations and Invariance Properties....Pages 25-42
Applications of the Concepts of Analytical Mechanics....Pages 43-70
Electromagnetism....Pages 71-86
Applications of the Concepts of Electromagnetism....Pages 87-107
Front Matter....Pages 109-109
Classical Distribution Function and Transport Equation....Pages 111-127
From Classical Mechanics to Quantum Mechanics....Pages 129-154
Time-Independent Schrödinger Equation....Pages 155-174
Time-Dependent Schrödinger Equation....Pages 175-186
General Methods of Quantum Mechanics....Pages 187-197
Front Matter....Pages 199-199
Elementary Cases....Pages 201-216
Cases Related to the Linear Harmonic Oscillator....Pages 217-225
Other Examples of the Schrödinger Equation....Pages 227-251
Time-Dependent Perturbation Theory....Pages 253-265
Front Matter....Pages 267-267
Many-Particle Systems....Pages 269-292
Separation of Many-Particle Systems....Pages 293-302
Front Matter....Pages 303-303
Periodic Structures....Pages 305-367
Electrons and Holes in Semiconductors at Equilibrium....Pages 369-400
Front Matter....Pages 401-401
Mathematical Model of Semiconductor Devices....Pages 403-449
Generation-Recombination and Mobility....Pages 451-481
Front Matter....Pages 483-483
Bipolar Devices....Pages 485-508
MOS Devices....Pages 509-538
Front Matter....Pages 539-539
Thermal Diffusion....Pages 541-556
Thermal Oxidation—Layer Deposition....Pages 557-573
Measuring the Semiconductor Parameters....Pages 575-584
Back Matter....Pages 585-649




نظرات کاربران