ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

دانلود کتاب خصوصیات فیزیکی ترکیبات نیمه هادی III-V: InP ، InAs ، GaAs ، GaP ، InGaAs و InGaAsP

Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

مشخصات کتاب

Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP

ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9780471573296, 9783527602810 
ناشر: by John Wiley & Sons, Inc. 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 330 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 47,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 8


در صورت تبدیل فایل کتاب Physical Properties of III-V Semiconductor Compounds: InP, InAs, GaAs, GaP, InGaAs, and InGaAsP به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب خصوصیات فیزیکی ترکیبات نیمه هادی III-V: InP ، InAs ، GaAs ، GaP ، InGaAs و InGaAsP نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب خصوصیات فیزیکی ترکیبات نیمه هادی III-V: InP ، InAs ، GaAs ، GaP ، InGaAs و InGaAsP

هدف این کتاب دو جنبه است: بررسی خواص کلیدی ترکیبات III-V و ارائه پارامترهای مواد متنوع و ثابت های این نیمه هادی ها برای انواع تحقیقات پایه و کاربردهای دستگاه. تاکید بر خواص مواد نه تنها Inp بلکه InAs، GaAs و GaP باینری است. محتوا:
مقدمه فصل 1 (صفحات 1-3):
فصل 2 ویژگی های ساختاری (صفحات 4-16):
فصل 3 ویژگی های ارتعاشی مکانیکی، الاستیک و شبکه (صفحه های 17-) 47):
فصل 4 خواص حرارتی (صفحات 48-62):
فصل 5 اثرات جمعی و برخی از ویژگی های پاسخ (صفحات 63-74):
فصل 6 انرژی الکترونیکی؟ ساختار باند (صفحات 75-117) ):
فصل 7 پتانسیل های تغییر شکل الکترون و حفره (صفحات 118-134):
فصل 8 ویژگی های نوری (صفحات 135-192):
فصل 9 الاستوپتیک و اثر الکترواپتیکی (صفحه های 193-222): < br>فصل 10 ویژگی های حمل و نقل حامل (صفحات 223-262):
فصل 11 مشکلات کرنش در InGaAs(P)؟ ساختارهای ناهمسان مبتنی بر (صفحات 263-286):
فصل 12 اظهارات پایانی (صفحه های 287-28):


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The objective of this book is two-fold: to examine key properties of III-V compounds and to present diverse material parameters and constants of these semiconductors for a variety of basic research and device applications. Emphasis is placed on material properties not only of Inp but also of InAs, GaAs and GaP binaries. Content:
Chapter 1 Introduction (pages 1–3):
Chapter 2 Structural Properties (pages 4–16):
Chapter 3 Mechanical, Elastic, and Lattice Vibrational Properties (pages 17–47):
Chapter 4 Thermal Properties (pages 48–62):
Chapter 5 Collective Effects and Some Response Characteristics (pages 63–74):
Chapter 6 Electronic Energy?Band Structure (pages 75–117):
Chapter 7 Electron and Hole Deformation Potentials (pages 118–134):
Chapter 8 Optical Properties (pages 135–192):
Chapter 9 Elastooptic and Electrooptic Effect (pages 193–222):
Chapter 10 Carrier Transport Properties (pages 223–262):
Chapter 11 Strain Problems in InGaAs(P)?Based Heterostructures (pages 263–286):
Chapter 12 Concluding Remarks (pages 287–288):





نظرات کاربران