Photoemission from Optoelectronic Materials and their Nanostructures

انتشار عکس از مواد اپتوالکترونیک و نانوساختارهای آنها اولین تک نگاری است که تابش نوری نوری غیرخطی کم‌بعد، III-V، II-VI، GaP، Ge، PtSb₂ را بررسی می‌کند، شکاف صفر، فشار، بیسموت، نانولوله های کربنی، GaSb، IV-VI، Pb_1-xGe_xTe، گرافیت، Te، II-V، ZnP₂، CdP₂، Bi₂Te₃، Sb و IV-VI. این بررسی منجر به بحث در مورد ابرشبکه‌های محدود کوانتومی III-V، II-VI، IV-VI و HgTe/CdTe و ابرشبکه‌های مواد اپتوالکترونیکی می‌شود. عکس تحریک ساختار نواری ترکیبات اپتوالکترونیکی را به روش‌های اساسی تغییر می‌دهد، که در تجزیه و تحلیل تابش نور از ساختارهای ماکرو و میکرو این مواد بر اساس قوانین جدید پراکندگی الکترون فرمول‌بندی شده که مطالعات دستگاه‌های اثر کوانتومی را کنترل می‌کند، گنجانده شده است. در حضور نور اهمیت اندازه گیری فاصله باند در مواد نوری الکترونیکی در حضور عکس تحریک خارجی از این منظر مورد بحث قرار گرفته است. این مونوگراف شامل 125 مسئله تحقیقاتی باز است که بخشی جدایی ناپذیر از متن را تشکیل می‌دهد و برای دوره‌های تحصیلات تکمیلی اپتوالکترونیک مدرن، علاوه بر دانشجویان مشتاق دکترا و محققان در زمینه‌های علوم مواد، محاسبات و نانو نظری مفید است. علم و فناوری، اپتوالکترونیک نیمه هادی، ساختارهای کوانتیزه، فیزیک نیمه هادی ها و فیزیک ماده چگال.

Photoemission from Optoelectronic Materials and Their Nanostructures is the first monograph to investigate the photoemission from low-dimensional nonlinear optical, III-V, II-VI, GaP, Ge, PtSb₂, zero-gap, stressed, bismuth, carbon nanotubes, GaSb, IV-VI, Pb_1-xGe_xTe, graphite, Te, II-V, ZnP₂, CdP₂ , Bi₂Te₃, Sb, and IV-VI materials. The investigation leads to a discussion of III-V, II-VI, IV-VI and HgTe/CdTe quantum confined superlattices, and superlattices of optoelectronic materials. Photo-excitation changes the band structure of optoelectronic compounds in fundamental ways, which has been incorporated into the analysis of photoemission from macro- and micro-structures of these materials on the basis of newly formulated electron dispersion laws that control the studies of quantum effect devices in the presence of light. The importance of the measurement of band gap in optoelectronic materials in the presence of external photo-excitation has been discussed from this perspective. This monograph contains 125 open-ended research problems which form an integral part of the text and are useful for graduate courses on modern optoelectronics in addition to aspiring Ph.D.’s and researchers in the fields of materials science, computational and theoretical nano-science and -technology, semiconductor optoelectronics, quantized-structures, semiconductor physics and condensed matter physics.