ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing

دانلود کتاب پراکندگی فی برای کنترل یکپارچه پهنای خط و فرآیند در تولید DRAM

Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing

مشخصات کتاب

Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing

ویرایش:  
 
سری:  
 
ناشر:  
سال نشر:  
تعداد صفحات: 207 
زبان:  
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 619 کیلوبایت 

قیمت کتاب (تومان) : 57,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 9


در صورت تبدیل فایل کتاب Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب پراکندگی فی برای کنترل یکپارچه پهنای خط و فرآیند در تولید DRAM نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب پراکندگی فی برای کنترل یکپارچه پهنای خط و فرآیند در تولید DRAM

یک روش پراکندگی مقرون به صرفه ارائه شده است که برای کنترل الگوی و فرآیند یکپارچه مناسب است و به عنوان مکملی برای میکروسکوپ‌های الکترونی روبشی معمولی ارزشمند است. روش فی-پراکندگی به جای استفاده از ساختارهای آزمایشی اضافی، مستقیماً بر روی الگوهای عملکردی دوره ای انجام می شود. شبیه سازی های زمان بر اثرات پراش مورد نیاز نیست. نتایج اندازه گیری توسط شبکه های عصبی که طبقه بندی پارامترهای الگو و فرآیند را انجام می دهند، ارزیابی می شوند. بدین ترتیب، تشخیص سریع عیب و کنترل فوری فرآیند به دست می آید. اندازه‌گیری‌ها بر روی یک ویفر 300 میلی‌متری با فوکوس و نوردهی به طور سیستماتیک متنوع و همچنین در قسمت‌های تولید، هر دو با الگوهای DRAM که دارای ترانشه‌های دو بعدی هستند، انجام شد. یک نمونه اولیه فی-پراکندگی ساخته شد که برای اندازه‌شناسی سیار انعطاف‌پذیر در محیط‌های تولید 300 میلی‌متری مناسب است. بیشتر بخوانید...
چکیده: یک روش پراکندگی مقرون به صرفه ارائه شده است که برای کنترل الگوی و فرآیند یکپارچه مناسب است و به عنوان مکملی برای میکروسکوپ‌های الکترونی روبشی معمولی ارزشمند است. روش فی-پراکندگی به جای استفاده از ساختارهای آزمایشی اضافی، مستقیماً بر روی الگوهای عملکردی دوره ای انجام می شود. شبیه سازی های زمان بر اثرات پراش مورد نیاز نیست. نتایج اندازه گیری توسط شبکه های عصبی با انجام طبقه بندی پارامترهای الگو و فرآیند ارزیابی می شود. بدین ترتیب، تشخیص سریع عیب و کنترل فوری فرآیند به دست می آید. اندازه‌گیری‌ها بر روی یک ویفر 300 میلی‌متری با فوکوس و نوردهی به طور سیستماتیک متنوع و همچنین در قسمت‌های تولید، هر دو با الگوهای DRAM که دارای ترانشه‌های دو بعدی هستند، انجام شد. یک نمونه اولیه فی-پراکندگی ساخته شد که برای اندازه‌شناسی سیار انعطاف‌پذیر در محیط‌های تولید 300 میلی‌متری مناسب است.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

A cost-effective scatterometry method is presented that is suited for integrated pattern and process control and is valuable as a supplement to conventional scanning electron microscopes. The phi-scatterometry procedure is carried out directly on periodic functional patterns instead of using additional test structures. Time-consuming simulations of diffraction effects are not required. The measurement results are evaluated by neural networks performing classifications of pattern and process parameters. Thereby, fast fault detection and immediate process control are achieved. The measurements were performed on a 300-mm wafer with systematically varied focus and exposure as well as on production lots, both with DRAM patterns featuring trenches in two dimensions. A phi-scatterometry prototype was built which is suited for flexible mobile metrology in 300-mm production environments. Read more...
Abstract: A cost-effective scatterometry method is presented that is suited for integrated pattern and process control and is valuable as a supplement to conventional scanning electron microscopes. The phi-scatterometry procedure is carried out directly on periodic functional patterns instead of using additional test structures. Time-consuming simulations of diffraction effects are not required. The measurement results are evaluated by neural networks performing classifications of pattern and process parameters. Thereby, fast fault detection and immediate process control are achieved. The measurements were performed on a 300-mm wafer with systematically varied focus and exposure as well as on production lots, both with DRAM patterns featuring trenches in two dimensions. A phi-scatterometry prototype was built which is suited for flexible mobile metrology in 300-mm production environments





نظرات کاربران