دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: سری: ناشر: سال نشر: تعداد صفحات: 207 زبان: فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 619 کیلوبایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Phi-scatterometry for integrated linewidth and process control in DRAM manufacturing به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب پراکندگی فی برای کنترل یکپارچه پهنای خط و فرآیند در تولید DRAM نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
یک روش پراکندگی مقرون به صرفه ارائه شده است که برای کنترل
الگوی و فرآیند یکپارچه مناسب است و به عنوان مکملی برای
میکروسکوپهای الکترونی روبشی معمولی ارزشمند است. روش
فی-پراکندگی به جای استفاده از ساختارهای آزمایشی اضافی، مستقیماً
بر روی الگوهای عملکردی دوره ای انجام می شود. شبیه سازی های زمان
بر اثرات پراش مورد نیاز نیست. نتایج اندازه گیری توسط شبکه های عصبی که طبقه
بندی پارامترهای الگو و فرآیند را انجام می دهند، ارزیابی می
شوند. بدین ترتیب، تشخیص سریع عیب و کنترل فوری فرآیند به دست می
آید. اندازهگیریها بر روی یک ویفر 300 میلیمتری با فوکوس و
نوردهی به طور سیستماتیک متنوع و همچنین در قسمتهای تولید، هر دو
با الگوهای DRAM که دارای ترانشههای دو بعدی هستند، انجام شد. یک
نمونه اولیه فی-پراکندگی ساخته شد که برای اندازهشناسی سیار
انعطافپذیر در محیطهای تولید 300 میلیمتری مناسب است.
بیشتر
بخوانید...
چکیده: یک روش پراکندگی مقرون به صرفه ارائه شده است که برای
کنترل الگوی و فرآیند یکپارچه مناسب است و به عنوان مکملی برای
میکروسکوپهای الکترونی روبشی معمولی ارزشمند است. روش
فی-پراکندگی به جای استفاده از ساختارهای آزمایشی اضافی، مستقیماً
بر روی الگوهای عملکردی دوره ای انجام می شود. شبیه سازی های زمان
بر اثرات پراش مورد نیاز نیست. نتایج اندازه گیری توسط شبکه های
عصبی با انجام طبقه بندی پارامترهای الگو و فرآیند ارزیابی می
شود. بدین ترتیب، تشخیص سریع عیب و کنترل فوری فرآیند به دست می
آید. اندازهگیریها بر روی یک ویفر 300 میلیمتری با فوکوس و
نوردهی به طور سیستماتیک متنوع و همچنین در قسمتهای تولید، هر دو
با الگوهای DRAM که دارای ترانشههای دو بعدی هستند، انجام شد. یک
نمونه اولیه فی-پراکندگی ساخته شد که برای اندازهشناسی سیار
انعطافپذیر در محیطهای تولید 300 میلیمتری مناسب است.
A cost-effective scatterometry method is presented that is
suited for integrated pattern and process control and is
valuable as a supplement to conventional scanning electron
microscopes. The phi-scatterometry procedure is carried out
directly on periodic functional patterns instead of using
additional test structures. Time-consuming simulations of
diffraction effects are not required. The measurement results
are evaluated by
neural networks performing classifications of pattern and
process parameters. Thereby, fast fault detection and immediate
process control are achieved. The measurements were performed
on a 300-mm wafer with systematically varied focus and exposure
as well as on production lots, both with DRAM patterns
featuring trenches in two dimensions. A phi-scatterometry
prototype was built which is suited for flexible mobile
metrology in 300-mm production environments.
Read
more...
Abstract: A cost-effective scatterometry method is presented
that is suited for integrated pattern and process control and
is valuable as a supplement to conventional scanning electron
microscopes. The phi-scatterometry procedure is carried out
directly on periodic functional patterns instead of using
additional test structures. Time-consuming simulations of
diffraction effects are not required. The measurement results
are evaluated by neural networks performing classifications of
pattern and process parameters. Thereby, fast fault detection
and immediate process control are achieved. The measurements
were performed on a 300-mm wafer with systematically varied
focus and exposure as well as on production lots, both with
DRAM patterns featuring trenches in two dimensions. A
phi-scatterometry prototype was built which is suited for
flexible mobile metrology in 300-mm production environments