Parameterextraktion bei Halbleiterbauelementen: Simulation mit PSPICE

علاوه بر سخنرانی، تمرین‌های حسابی و به‌ویژه دوره عملی آزمایشگاهی الکترونیک، روش‌های تجزیه و تحلیل استخراج پارامترهای مدل SPICE از اجزای نیمه‌رسانا انتخاب شده ارائه شده است. برای اجزای نسخه DEMO برنامه OrCAD-PSPICE، نشان داده شده است که چگونه پارامترهای مدل الکتریکی استاتیک و دینامیک را می توان با استفاده از تجزیه و تحلیل SPICE بازیابی کرد. این تعیین پارامتر برای دیودهای سوئیچینگ، دیودهای خازنی، دیودهای Z، ترانزیستورهای دوقطبی npn، ترانزیستورهای اثر میدان اتصال کانال N، ترانزیستورهای آرایه CMOS، تقویت کننده های عملیاتی و اپتوکوپلرها ارائه شده است.

Ergänzend zu Vorlesung, zu Rechenübungen und insbesondere zum Laborpraktikum im Lehrfach Elektronik werden Analyseverfahren zur Extraktion von SPICE-Modellparametern ausgewählter Halbleiterbauelemente vorgestellt. Für Bauelemente aus der DEMO-Version des Programms OrCAD-PSPICE wird aufgezeigt, wie man deren statische und dynamische elektrische Modellparameter mit SPICE-Analysen wieder zurück gewinnen kann. Diese Parameterermittlung wird vorgestellt für Schaltdiode, Kapazitätsdiode, Z-Diode, npn-Bipolartransistor, N-Kanal-Sperrschicht-Feldeffekttransistor, CMOS-Array-Transistoren, Operationsverstärker und Optokoppler.