مشخصات کتاب

Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides

ویرایش:  
نویسندگان: Alexander Pergament  
سری: Chemistry Research and Applications 
ISBN (شابک) : 1633214990, 9781633214996 
ناشر: Nova Science Pub Inc 
سال نشر: 2014 
تعداد صفحات: 258 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت 

کلمات کلیدی مربوط به کتاب الکترونیک اکسید و ویژگی های عملکردی اکسیدهای فلزات واسطه: مرجع عمومی شیمی علوم ریاضی ریاضیات کتابهای درسی اجاره ای جدید استفاده شده بوتیک تخصصی

در صورت تبدیل فایل کتاب Oxide Electronics and Functional Properties of Transition Metal Oxides به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب الکترونیک اکسید و ویژگی های عملکردی اکسیدهای فلزات واسطه نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب الکترونیک اکسید و ویژگی های عملکردی اکسیدهای فلزات واسطه

ماسفت ها (ترانزیستورهای اثر میدانی فلزی-اکسید-نیمه هادی) برای مدتی طولانی، پیشتاز صنعت الکترونیک مدرن بوده اند. به منظور افزایش یکپارچگی دائمی، اندازه ماسفت برای چندین دهه مطابق با قانون مور به صورت تصاعدی کاهش می‌یابد، اما امروزه به دلیل محدودیت‌های ذاتی، مقیاس‌گذاری بیشتر دستگاه‌های ماسفت یا با مسائل اساسی (مثلاً مکانیک کوانتومی) مواجه می‌شود. محدودیت ها یا تقاضاها برای راه حل های مهندسی پیچیده تر و گران تر. رویکردهای جایگزین و مفاهیم دستگاه در حال حاضر هم به منظور حفظ افزایش درجه یکپارچگی و هم برای بهبود عملکرد و عملکرد دستگاه‌های الکترونیکی طراحی شده‌اند. الکترونیک اکسید یکی از این رویکردهای امیدوارکننده است که می‌تواند توسعه فناوری اطلاعات و محاسبات را امکان‌پذیر و سرعت بخشد. رفتار الکترون‌های d در اکسیدهای فلزات واسطه (TMOs) مسئول خواص منحصر به فرد این مواد است و باعث ایجاد همبستگی‌های قوی الکترون-الکترون می‌شود که نقش مهمی در مکانیسم انتقال فلز-عایق بازی می‌کند. انتقال موت در دی اکسید وانادیوم به طور خاص اثری است که محققان آن را به عنوان یکی از امیدوارکننده‌ترین پدیده‌های الکترونیک اکسید می‌دانند، به‌ویژه در جهت خاص آن که به عنوان ترانزیستور اثر میدانی انتقالی Mott (MTFET) شناخته می‌شود.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) for a long time have been the workhorse of the modern electronics industry. For the purpose of a permanent integration enhancement, the size of a MOSFET has been decreasing exponentially for decades in compliance with Moore's Law, but nowadays, owing to the intrinsic restrictions, the further scaling of MOSFET devices either encounters fundamental (e.g. quantum-mechanical) limits or demands for more and more sophisticated and expensive engineering solutions. Alternative approaches and device concepts are being currently designed both in order to sustain an increase of the integration degree, and to improve the functionality and performance of electronic devices. Oxide electronics is one such promising approach which could enable and accelerate the development of information and computing technology. The behavior of d-electrons in transition metal oxides (TMOs) is responsible for the unique properties of these materials, causing strong electron-electron correlations, which play an important role in the mechanism of metal-insulator transition. The Mott transition in vanadium dioxide is specifically the effect that researchers consider as one of the most promising phenomena for oxide electronics, particularly in its special direction known as a Mott-transition field-effect transistor (MTFET).

نظرات کاربران

کتاب های تصادفی

دانلود کتاب Genetic Systems Programming: Theory and Experiences

دانلود کتاب Hans Magnus Enzensberger

دانلود کتاب Staat und Religion: Zentrale Positionen zu einer Schlüsselfrage des politischen Denkens

دانلود کتاب Truk 1944–45: The destruction of Japan's Central Pacific bastion

دانلود کتاب Coaching Students with Executive Skills Challenges (The Guilford Practical Intervention in the Schools Series)