دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 0
نویسندگان: Gerald B. Stringfellow (Auth.)
سری:
ISBN (شابک) : 9780126738407, 0126738408
ناشر: Academic Press
سال نشر: 1989
تعداد صفحات: 401
زبان:
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود)
حجم فایل: 6 مگابایت
در صورت تبدیل فایل کتاب Organometallic Vapor-Phase Epitaxy. Theory and Practice به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب اپیتاکسی فاز بخار آلی فلزی. تئوری و عمل نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
در اینجا یکی از اولین روشهای تکنویسنده اپیتاکسی فاز بخار آلی فلزی (OMVPE) است - یک تکنیک پیشرو برای ساخت مواد و دستگاههای نیمهرسانا. همچنین شامل تکنیک های اپیتاکسی پرتو مولکولی فلز-آلی (MOMBE) و اپیتاکسی با پرتو شیمیایی (CBE) با خلاء فوق العاده بالا با استفاده از مولکول های منبع آلی فلزی است. این کتاب که مورد علاقه محققان، دانشجویان و افراد در صنعت نیمه هادی است، پایه ای اساسی برای درک تکنیک و کاربرد OMVPE برای رشد مواد نیمه هادی III-V و II-VI و ساختارهای ویژه مورد نیاز برای دستگاه فراهم می کند. برنامه های کاربردی. علاوه بر این، یک خلاصه جامع جزئیات نتایج OMVPE مشاهده شده تا به امروز در طیف گسترده ای از نیمه هادی های III-V و II-VI ارائه شده است. این شامل مقایسه نتایج بهدستآمده از طریق استفاده از سایر تکنیکهای اپیتاکسی مانند اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE)، اپیتاکسی فاز مایع (LPE) و اپیتاکسی فاز بخار با استفاده از انتقال هالید است.
Here is one of the first single-author treatments of organometallic vapor-phase epitaxy (OMVPE)--a leading technique for the fabrication of semiconductor materials and devices. Also included are metal-organic molecular-beam epitaxy (MOMBE) and chemical-beam epitaxy (CBE) ultra-high-vacuum deposition techniques using organometallic source molecules. Of interest to researchers, students, and people in the semiconductor industry, this book provides a basic foundation for understanding the technique and the application of OMVPE for the growth of both III-V and II-VI semiconductor materials and the special structures required for device applications. In addition, a comprehensive summary detailing the OMVPE results observed to date in a wide range of III-V and II-VI semiconductors is provided. This includes a comparison of results obtained through the use of other epitaxial techniques such as molecular beam epitaxy (MBE), liquid-phase epitaxy (LPE), and vapor phase epitaxy using halide transport
Content:
Front Matter, Page iii
Copyright, Page iv
Dedication, Page v
Preface, Pages xi-xiii
Glossary of Acronyms Used in Text, Pages xv-xvi
Notation for Organometallic Precursor Molecules, Pages xvii-xviii
1 - Overview of the OMVPE Process, Pages 1-14
2 - Source Molecules, Pages 15-53
3 - Thermodynamics, Pages 55-139
4 - Kinetics, Pages 141-212
5 - Hydrodynamics and Mass Transport, Pages 213-233
6 - Design of the OMVPE Process, Pages 235-283
7 - Specific Materials, Pages 285-345
8 - Superlattice Structures, Pages 347-369
9 - Devices, Pages 371-391
Index, Pages 393-398