ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Ordering at Surfaces and Interfaces: Proceedings of the Third NEC Symposium Hakone, Japan, October 7–11, 1990

دانلود کتاب سفارش در سطوح و رابط ها: مجموعه مقالات سومین سمپوزیوم NEC هاکون، ژاپن، 7 تا 11 اکتبر 1990

Ordering at Surfaces and Interfaces: Proceedings of the Third NEC Symposium Hakone, Japan, October 7–11, 1990

مشخصات کتاب

Ordering at Surfaces and Interfaces: Proceedings of the Third NEC Symposium Hakone, Japan, October 7–11, 1990

ویرایش: [1 ed.] 
نویسندگان: , , , , ,   
سری: Springer Series in Materials Science 17 
ISBN (شابک) : 9783642844843, 9783642844829 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1992 
تعداد صفحات: 379
[368] 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 11 Mb 

قیمت کتاب (تومان) : 39,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 7


در صورت تبدیل فایل کتاب Ordering at Surfaces and Interfaces: Proceedings of the Third NEC Symposium Hakone, Japan, October 7–11, 1990 به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب سفارش در سطوح و رابط ها: مجموعه مقالات سومین سمپوزیوم NEC هاکون، ژاپن، 7 تا 11 اکتبر 1990 نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب سفارش در سطوح و رابط ها: مجموعه مقالات سومین سمپوزیوم NEC هاکون، ژاپن، 7 تا 11 اکتبر 1990



این جلد شامل مجموعه مقالات سومین سمپوزیوم دوسالانه NEC درباره رویکردهای بنیادی به فازهای مواد جدید است که توسط شرکت NEC، توکیو، ژاپن حمایت می شود. این سمپوزیوم از 7 تا 11 اکتبر 1990 در Hakone Kanko H9tel در Hakone برگزار شد. حدود 40 شرکت کننده دعوت شده در کنار هم ماندند، در بحث های شدید شرکت کردند و آزادانه در داخل و خارج از اتاق کنفرانس، که رو به کوه فوجی، دریاچه زیبای آشینوکو، و چشم انداز آرام در دهانه قدیمی بود، تبادل نظر کردند. عنوان این جلد، نظم دهی در سطوح و رابط ها، که عنوان سومین سمپوزیوم نیز بود، هدف سمپوزیوم را شرح می دهد: بحث در مورد ویژگی های نظم دهی و مکانیسم های زیربنایی آنها در سطوح و رابط ها. موضوعات مورد بررسی شامل بازسازی سطوح نیمه هادی ها و فلزات، ترتیب اتمی و مغناطیسی در رابط ها، ابزارهای نظری برای مطالعه یا بررسی مکانیسم ها در سطوح و رابط ها، نظم دهی در سیستم های سطح جاذب، مانند سطوح سیلیکونی جذب شده با قلیایی، جریان الکتریکی است. اثرات بر روی سطوح کانال نیمه کانکتور و بسیاری از نتایج مرتبط STM (میکروسکوپ تونل زنی روبشی).


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This volume contains the proceedings of the third in a series of biennial NEC Symposia on Fundamental Approaches to New Material Phases sponsored by the NEC Corporation, Tokyo, Japan. The symposium was held from October 7 to 11, 1990, at the Hakone Kanko H9tel in Hakone. About 40 invited participants stayed together, became involved in intense discussions, and freely exchanged ideas both in and out of the conference room, which faced Mt. Fuji, the beautiful lake Ashinoko, and the quiet landscape in the old crater. The title of this volume, Ordering at Surfaces and Interfaces, which was also the title of the third symposium, describes the aim of the symposium: to discuss ordering properties and their underlying mechanisms at surfaces and interfaces. The topics treated include the reconstruction of surfaces of semiconductors and metals, atomic and magnetic ordering at interfaces, theoretical tools to study or­ dering mechanisms at surfaces and interfaces, ordering in adsorbate-surface sys­ tems, such as alkali-adsorbed silicon surfaces, electric current effects on semicon­ ductor surfaces and many related STM (scanning tunneling microscopy) results.





نظرات کاربران