Optical Properties. Part 3

دو جلد فرعی اول III/34Cl و C2 در مورد ویژگی‌های نوری ساختارهای کوانتومی نیمه هادی با استقبال خوبی از سوی جامعه علمی مواجه شده است. آنها بر مفاهیم نظری (فصل 1)، روش های تجربی (فصل 2)، نیمه هادی های III-V (فصل 4)، نیمه هادی های I-VII (فصل 6)، و نیمه هادی های IV-VI (فصل 7) در زیر جلد Cl متمرکز شدند. مواد II-VII (فصل 5) در زیر جلد C2 بررسی شده اند. زیرجلد حاضر III/34C3 بررسی خواص نوری را با افزودن فصل 3 در مورد مواد گروه IV به پایان می رساند. داده های جامعی در مورد مواد حجیم از جمله خواص نوری وجود دارد، از الماس C شروع می شود و از SiC، Si، Ge تا Sn خاکستری نیمه فلزی می رود، و شامل آلیاژهای آنها می شود. Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 41Al 1 و 2 و A2 1 و 2. سیلیکون ستون فقرات صنعت نیمه هادی در سراسر جهان است. این یک ماده شکاف غیرمستقیم است که به طور جدی استفاده از آن در دیودهای ساطع کننده نور یا حتی لیزر را مختل می کند. ایده هایی برای غلبه بر این مشکل با تشکیل ساختارهای کوانتومی گروه IV مانند ابرشبکه های Si/Ge یا نانوبلورها وجود دارد. این امید تا حد زیادی باعث ایجاد جنبه های کاربردی تحقیق در مورد خواص نوری ساختارهای کوانتومی گروه IV می شود. اگرچه انتشارات مرتبطی نیز در مورد خواص نوری ساختارهای کوانتومی گروه IV شامل C یا Sn وجود دارد، اما بیشترین بخش کار در این زمینه به سیستم Si/Ge اختصاص دارد. بنابراین ما در اینجا بر روی این سیستم تمرکز می کنیم.

The first two subvolumes III/34Cl and C2 on the Optical Properties of Semiconductor Quantum Structures have been well received by the scientific community. They concentrated on theoretical concepts (chapter 1), experimental methods (chapter 2), III-V semiconductors (chapter 4), I-VII semiconductors (chapter 6), and IV-VI semiconductors (chapter 7) in subvolume Cl. The II-VII materials (chapter 5) have been treated in subvolume C2. The present subvolume III/34C3 finishes the review on optical properties, by adding the chapter 3 on group IV materials. There are exhaustive data on bulk materials including optical properties, starting from diamond C and going over SiC, Si, Ge, to the semimetal grey Sn, and including their alloys—see e.g. Landolt-Börnstein, New Series, Group III, Vol. 41Al 1 and 2, and A2 1 and 2. Silicon is the backbone of the worldwide semiconductor industry. It is an indirect gap material, which seriously hampers its use in light emitting or even laser diodes. There are some ideas to overcome this problem by forming group IV quantum structures like Si/Ge superlattices or nanocrystals. This hope triggers to a large extend the applied aspects of the research on the optical properties of group IV quantum structures. Though there are also relevant publications on the optical properties of group IV quantum structures involving C or Sn, the by far largest part of work in this field is devoted to the system Si/Ge. Therefore we concentrate here on this system.