Optical Properties of Narrow-Gap Low-Dimensional Structures

این جلد شامل مجموعه مقالات کارگاه تحقیقاتی پیشرفته ناتو در مورد "ویژگی های نوری سازه های کم ابعاد با شکاف باریک" است که از 29 ژوئیه تا 1 اوت 1986 در سنت اندروز، اسکاتلند، تحت نظارت برگزار شد. برنامه تبادل علمی بین المللی ناتو این کارگاه محدود به خواص نوری سازه های نیمه هادی با شکاف باریک (قسمت سوم) نبود. برای مثال، جلسات مربوط به روش‌های رشد و توصیف مواد III-V، II-VI، و IV-VI، که در قسمت دوم مورد بحث قرار گرفت، بخشی جدایی‌ناپذیر از کارگاه بود. با در نظر گرفتن توده های کوچک حامل ها در ساختارهای کم ابعاد با شکاف باریک (LOS)، در قسمت اول اختلاط باند و اثرات میدان مغناطیسی افزایش یافته در زمینه تقریب تابع پوشش بررسی شده است. غیرخطی‌های نوری و پدیده‌های آرام‌سازی انرژی که به ترتیب به سیستم‌های معروف HgCdTe و GaAs/GaAIA اعمال می‌شوند، با نظراتی در مورد گسترش آنها برای کاهش شکاف LOS بررسی می‌شوند. ارتباط مشاهدات نوری در مطالعات حمل و نقل کوانتومی در قسمت IV نشان داده شده است. بررسی دستگاه‌های مبتنی بر مواد با شکاف باریک همپایی، چارچوب مرجعی را برای دستگاه‌های آینده بر اساس نیمه‌هادی‌های دوبعدی با شکاف باریک تعریف می‌کند. علاوه بر این، تجزیه و تحلیل فیزیک لیزرهای چاه کوانتومی راهنمایی برای پارامترهای مربوطه برای دستگاه های لیزری با شکاف باریک برای مادون قرمز (قسمت پنجم) ارائه می دهد. نقش‌ها و پتانسیل‌های تکنیک‌های ویژه در بخش ششم با تأکید بر تکنیک‌های فشار هیدرواستاتیک بررسی شده‌اند، زیرا این تأثیر برجسته‌ای در ساختارهای با جرم کوچک، شکاف باریک و غیرپارابولیک دارد.

This volume contains the Proceedings of the NATO Advanced Research Workshop on "Optical Properties of Narrow-Gap Low-Dimensional Structures", held from July 29th to August 1st, 1986, in St. Andrews, Scotland, under the auspices of the NATO International Scientific Exchange Program. The workshop was not limited to optical properties of narrow-gap semiconductor structures (Part III). Sessions on, for example, the growth methods and characterization of III-V, II-VI, and IV-VI materials, discussed in Part II, were an integral part of the workshop. Considering the small masses of the carriers in narrow-gap low­ dimensional structures (LOS), in Part I the enhanced band mixing and magnetic field effects are explored in the context of the envelope function approximation. Optical nonlinearities and energy relaxation phenomena applied to the well-known systems of HgCdTe and GaAs/GaAIAs, respectively, are reviewed with comments on their extension to narrow­ gap LOS. The relevance of optical observations in quantum transport studies is illustrated in Part IV. A review of devices based on epitaxial narrow-gap materials defines a frame of reference for future ones based on two-dimensional narrow-gap semiconductors; in addition, an analysis of the physics of quantum well lasers provides a guide to relevant parameters for narrow-gap laser devices for the infrared (Part V). The roles and potentials of special techniques are explored in Part VI, with emphasis on hydrostatic pressure techniques, since this has a pronounced effect in small-mass, narrow-gap, non-parabolic structures.