Optical Properties of III–V Semiconductors: The Influence of Multi-Valley Band Structures

خواص نوری و الکترونیکی نیمه هادی ها به شدت تحت تأثیر احتمالات مختلف حامل ها برای توزیع در بین قسمت های مختلف ساختار نواری یا انتقال بین آنها قرار دارد. مونوگراف ویژگی های نوری نیمه هادی های III-Vدرباره نیمه هادی های حجیم و کم بعدی III-V با تاکید بر ویژگی های عملکرد در دستگاه های نوری الکترونیکی است. پاسخ نوری چنین موادی با ساختارهای نواری چند دره توسط اثرات بدنه متعدد مانند غربالگری، باریک شدن شکاف، تکینگی لبه فرمی، تشکیل قطرات حفره الکترون و غیره تعیین می‌شود. بحث با دینامیک اکسایتون‌ها و غیره همخوانی دارد. حامل ها از کامپایل intervalley.

Optical and electronic properties of semiconductors are strongly influenced by the different possibilities of carriers to be distributed among the various extrema of the band structure or the transfer between them. The monograph Optical Properties of III-V Semiconductors is concerned with the III-V bulk and low-dimensional semiconductors with the emphasis on performance features in opto-electronic devices. The optical response of such materials with multi-valley band structures is determined by many-body effects like screening, gap narrowing, Fermi-edge singularity, electron-hole droplet formation, etc. The discussion is self-consistent with the dynamics of excitons and carriers from intervalley compiling.