دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید
در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب
از ساعت 7 صبح تا 10 شب
ویرایش: 1 نویسندگان: Buyanova. Irina A., Ishikawa. Fumitaro سری: ISBN (شابک) : 9814745766, 9781315364407 ناشر: Pan Stanford Publishing سال نشر: 2018 تعداد صفحات: 549 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 24 مگابایت
کلمات کلیدی مربوط به کتاب Nanowires نیمه هادی ترکیب مرکب: مواد، دستگاه ها و برنامه های کاربردی: نانوسیم ها
در صورت تبدیل فایل کتاب Novel Compound Semiconductor Nanowires: Materials, Devices, and Applications به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب Nanowires نیمه هادی ترکیب مرکب: مواد، دستگاه ها و برنامه های کاربردی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
انتظار می رود که مواد الکترونیکی یک بعدی به دلیل کاربردهای بالقوه آنها در الکترونیک مقیاس نانو، اپتیک، ذخیره انرژی و زیست شناسی، اجزای کلیدی باشند. علاوه بر این، نیمه هادی های مرکب به عنوان مواد کریستالی رشد همپایه به میزان زیادی توسعه یافته اند. پرتوهای مولکولی و روشهای اپیتاکسی فاز بخار متالارگانیک، تکنیکهایی هستند که به چاههای کوانتومی 0D-2D، ناهمساختارهای نیمهرسانای III-V نقطهای با دقت ساختاری دقیق با وضوح اتمی دست مییابند. بر اساس پسزمینه آن تکنیکهای همپایی، ساختارهای ناهمسان III-V تک بلوری با کیفیت بالا به دست آمدهاند. نانوسیمهای III-V برای نسل بعدی دستگاههای نوری و الکتریکی در مقیاس نانو مانند دیودهای ساطع نور نانوسیم، لیزرها، فتوولتائیکها و ترانزیستورها پیشنهاد شدهاند. مسائل کلیدی برای تحقق این دستگاهها شامل تحرک و خواص نوری برتر مواد III-V (به عنوان مثال، سیستمهای ناهمساختار مرتبط با نیترید، فسفید و آرسنید) است. علاوه بر این، تکنیک رشد همپایی توسعهیافته، کنترل حامل الکترونیکی را از طریق تشکیل ساختارهای کوانتومی و دوپینگ دقیق، که میتواند به سیستم نانوسیم وارد شود، امکانپذیر میسازد. این رشد میتواند عملکرد سیستمهای مواد را از طریق معرفی عناصر با شکاف امتزاج پذیری زیاد، یا بهطور متناوب، با تشکیل ساختارهای ناهمسان ترکیبی بین نیمهرساناها و سیستمهای مواد دیگر گسترش دهد. این کتاب پیشرفتهای اخیر چنین نانوسیمهای نیمهرسانای III-V جدیدی را مرور میکند، که طیف وسیعی از جنبهها را از رشد همپایه تا کاربردهای دستگاه را پوشش میدهد. چشم انداز چنین ساختارهای 1 بعدی پیشرفته برای علم و فناوری نانو نیز مورد بحث قرار گرفته است.
One dimensional electronic materials are expected to be key components owing to their potential applications in nanoscale electronics, optics, energy storage, and biology. Besides, compound semiconductors have been greatly developed as epitaxial growth crystal materials. Molecular beam and metalorganic vapor phase epitaxy approaches are representative techniques achieving 0D–2D quantum well, wire, and dot semiconductor III-V heterostructures with precise structural accuracy with atomic resolution. Based on the background of those epitaxial techniques, high-quality, single-crystalline III-V heterostructures have been achieved. III-V Nanowires have been proposed for the next generation of nanoscale optical and electrical devices such as nanowire light emitting diodes, lasers, photovoltaics, and transistors. Key issues for the realization of those devices involve the superior mobility and optical properties of III-V materials (i.e., nitride-, phosphide-, and arsenide-related heterostructure systems). Further, the developed epitaxial growth technique enables electronic carrier control through the formation of quantum structures and precise doping, which can be introduced into the nanowire system. The growth can extend the functions of the material systems through the introduction of elements with large miscibility gap, or, alternatively, by the formation of hybrid heterostructures between semiconductors and another material systems. This book reviews recent progresses of such novel III-V semiconductor nanowires, covering a wide range of aspects from the epitaxial growth to the device applications. Prospects of such advanced 1D structures for nanoscience and nanotechnology are also discussed.
Content: Epitaxial heterostructure nanowires / Nari Jeon and Lincoln J. Lauhon --
Molecular beam epitaxial growth of GaN nanocolumns and related nanocolumn emitters / Katsumi Kishino and Hiroto Sekiguchi --
Novel GaNP nanowires for advanced optoelectronics and photonics / Irina A. Buyanova, Charles W. Tu, and Weimin M. Chen --
GaNAs-based nanowires for near-infrared optoelectronics / Irina A. Buyanova, Fumitaro Ishikawa, and Weimin M. Chen --
Dilute bismide nanowires / Wojciech M. Linhart, Szymon J. Zelewski, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, and Robert Kudrawiec --
Ferromagnetic MnAs/III–V hybrid nanowires for spintronics / Shinjiro Hara --
GaAs-Fe₃ Si semiconductor–ferromagnet core–shell nanowires for spintronics / Maria Hilse, Bernd Jenichen, and Jens Herfort --
GaAs/AlGaOx heterostructured nanowires / Fumitaro Ishikawa and Naoki Yamamoto --
GaAs/SrTiO3 core–shell nanowires / Xin Guan and José Penuelas --
Ga(In)N nanowires grown by molecular beam epitaxy : from quantum light emitters to nanotransistors / Žarko Gačević and Enrique Calleja --
InP-related nanowires for light-emitting applications / Kenichi Kawaguchi --
InP/InAs quantum heterostructure nanowires / Guoqiang Zhang, Kouta Tateno, and Hideki Gotoh --
III-Nitride nanowires and their laser, LED, and photovoltaic applications / Wei Guo, Pallab Bhattacharya, and Junseok Heo --
III–V nanowires : transistor and photovoltaic applications / Katsuhiro Tomioka, Junichi Motohisa, and Takashi Fuku.