دسترسی نامحدود
برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند
دانلود کتاب Nonradiative Recombination in Semiconductors
دانلود کتاب نوترکیبی غیر تشعشعی در نیمه هادی ها
مشخصات کتاب
Nonradiative Recombination in Semiconductors
ویرایش: نویسندگان: V.N. ABAKUMOV, V.I. PEREL and I.N. YASSIEVICH (Eds.) سری: Modern Problems in Condensed Matter Sciences 33 ISBN (شابک) : 9780444888549, 0444888543 ناشر: North-Holland سال نشر: 1991 تعداد صفحات: 325 زبان: English فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) حجم فایل: 6 مگابایت
قیمت کتاب (تومان) : 30,000
در صورت تبدیل فایل کتاب Nonradiative Recombination in Semiconductors به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.
توجه داشته باشید کتاب نوترکیبی غیر تشعشعی در نیمه هادی ها نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.
توضیحاتی در مورد کتاب نوترکیبی غیر تشعشعی در نیمه هادی ها
در سال‌های اخیر، پیشرفت زیادی در درک فرآیندهای نوترکیبی که تعداد حامل‌های آزاد اضافی را در نیمه‌رساناها تحت شرایط غیرتعادلی کنترل می‌کنند، حاصل شده است. در نتیجه، اکنون می توان یک توصیف نظری جامع از این فرآیندها ارائه داد. نویسندگان تعدادی از نتایج تجربی را انتخاب کرده‌اند که مشکلات فیزیکی اساسی را روشن می‌کند و آزمایش مدل‌های نظری را امکان‌پذیر می‌سازد. به موضوعات زیر پرداخته می شود: تئوری پدیدارشناسی نوترکیب، مدل های نظری حالت های موضعی کم عمق و عمیق، مدل آبشاری جذب حامل توسط مراکز ناخالصی، جذب محدود شده توسط انتشار، فرآیندهای چند صدایی، فرآیندهای اوگر، اثر میدان الکتریکی بر جذب و انتشار حرارتی. از حامل ها
توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی
In recent years, great progress has been made in the understanding of recombination processes controlling the number of excess free carriers in semiconductors under nonequilibrium conditions. As a result, it is now possible to give a comprehensive theoretical description of these processes. The authors have selected a number of experimental results which elucidate the underlying physical problems and enable a test of theoretical models. The following topics are dealt with: phenomenological theory of recombination, theoretical models of shallow and deep localized states, cascade model of carrier capture by impurity centers, capture restricted by diffusion, multiphonon processes, Auger processes, effect of electric field on capture and thermal emission of carriers
فهرست مطالب
Content:
Modern Problems in Condensed Matter Sciences
Page ii
Front Matter
Page iii
Copyright page
Page iv
Modern Problems in Condensed Matter Sciences
Pages v-vii
Preface to the Series
Page ix
V.M. Agranovich, A.A. Maradudin
Preface
Page xi
V.N. Abakumov, V.I. Perel, I.N. Yassievich
Introduction
Pages 1-9
CHAPTER 1 - Phenomenological Theory of Recombination
Pages 10-40
CHAPTER 2 - Impurity Centers
Pages 41-61
CHAPTER 3 - Cascade Capture by Isolated Attractive Centers
Pages 62-77
CHAPTER 4 - One-quantum Transitions
Pages 78-87
CHAPTER 5 - Experimental Data on Capture by Attractive Centers in Ge and Si
Pages 88-97
CHAPTER 6 - Reciprocal Influence of Impurity Centers
Pages 98-107
CHAPTER 7 - Capture Limited by Diffusion
Pages 108-113
CHAPTER 8 - Capture by Repulsive Centers
Pages 114-119
CHAPTER 9 - Multiphonon Capture and Thermal Emission
Pages 120-171
CHAPTER 10 - Thermal Emission and Capture in an Electric Field
Pages 172-188
CHAPTER 11 - Auger Recombination
Pages 189-226
CHAPTER 12 - Impurity Auger Processes
Pages 227-238
APPENDIX A - kP-Method and Kane Model
Pages 239-249
APPENDIX B - Valence Band Structure of Cubic Semiconductors: The Luttinger Hamiltonian
Pages 250-253
APPENDIX C - Electron—Acoustic-Phonon Interaction
Pages 254-258
APPENDIX D - Free Carrier Scattering by Acoustic Phonons
Pages 259-262
APPENDIX E - Acoustic-Phonon Assisted Transitions between Hydrogen-like Center Levels
Pages 263-266
APPENDIX F - Quasi-classical Density of States
Pages 267-271
APPENDIX G - Fokker—Planck Equation in Total Energy Space
Pages 272-276
APPENDIX H - Equation of Spatial and Energy Diffusion
Pages 277-279
APPENDIX I - Amplitude of Scattering of Carriers by Attractive Impurity Centers in the Model of Zero-Radius Potential
Pages 280-282
References
Pages 283-293
Author Index
Pages 295-301
Subject Index
Pages 303-304
Materials Index
Page 305
Cumulative Index, Volumes 1–33
Pages 307-320
نظرات کاربران
کتاب های تصادفی
دانلود کتاب Calculus of Variations and Partial Differential Equations: Topics on Geometrical Evolution Problems and Degree Theory
دانلود کتاب Pädagogischer Anspruch und soziale Distinktion: Private Schulen und ihre Klientel
دانلود کتاب Educación para el Bien Común. Hacia una práctica crítica, inclusiva y comprometida socialmente
