ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Non-volatile Memories

دانلود کتاب حافظه های غیر فرار

Non-volatile Memories

مشخصات کتاب

Non-volatile Memories

ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری: Iste 
ISBN (شابک) : 1848216238, 9781848216235 
ناشر: Wiley-ISTE 
سال نشر: 2015 
تعداد صفحات: 305 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 7 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 77,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 13


در صورت تبدیل فایل کتاب Non-volatile Memories به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب حافظه های غیر فرار نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب حافظه های غیر فرار

حافظه های غیر فرار که برای دانشمندان، محققان و مهندسان نوشته شده است، تحقیقات و پیاده سازی های اخیر در رابطه با طراحی نسل جدیدی از حافظه های الکترونیکی غیر فرار را تشریح می کند. هدف جایگزینی حافظه‌های موجود (DRAM، SRAM، EEPROM، Flash، و غیره) با یک مدل حافظه جهانی است که احتمالاً عملکرد بهتری نسبت به انواع حافظه فعلی دارد: سرعت کموتاسیون بسیار بالا، تراکم بالای کاشت و زمان نگهداری اطلاعات حدود ده سال


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Written for scientists, researchers, and engineers, Non-volatile Memories describes the recent research and implementations in relation to the design of a new generation of non-volatile electronic memories. The objective is to replace existing memories (DRAM, SRAM, EEPROM, Flash, etc.) with a universal memory model likely to reach better performances than the current types of memory: extremely high commutation speeds, high implantation densities and retention time of information of about ten years.





نظرات کاربران