ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation

دانلود کتاب ترانزیستور در مقیاس نانو: فیزیک دستگاه ، مدل سازی و شبیه سازی

Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation

مشخصات کتاب

Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation

دسته بندی: فیزیک
ویرایش: 1 
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 0387280022, 9780387280035 
ناشر: Springer 
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 222 
زبان: English 
فرمت فایل : DJVU (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 2 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 33,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 14


در صورت تبدیل فایل کتاب Nanoscale transistors: Device Physics, Modeling and Simulation به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب ترانزیستور در مقیاس نانو: فیزیک دستگاه ، مدل سازی و شبیه سازی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب ترانزیستور در مقیاس نانو: فیزیک دستگاه ، مدل سازی و شبیه سازی



مقیاس گذاری مداوم ترانزیستورها در نیمه قرن گذشته نیروی محرکه برای الکترونیک بوده است. طول کانال ترانزیستورهای در حال تولید امروز زیر 100 نانومتر است. طیف گسترده ای از دستگاه ها نیز برای تکمیل یا حتی جایگزینی ترانزیستورهای سیلیکونی در مقیاس مولکولی در حال بررسی هستند. شباهت‌هایی بین ترانزیستورهای نانومقیاس و ترانزیستورهای میکرونی وجود دارد، اما نانوترانزیستورها نیز به شیوه‌های بسیار متفاوتی رفتار می‌کنند. به عنوان مثال، انتقال بالستیک و اثرات کوانتومی بسیار مهم تر می شوند. برای سوق دادن ماسفت ها به محدوده مقیاس خود و کشف دستگاه هایی که ممکن است مکمل یا حتی جایگزین آنها در مقیاس مولکولی شوند، درک روشنی از فیزیک دستگاه در مقیاس نانومتری ضروری است.

این کتاب شرحی از توسعه اخیر ارائه می دهد. نظریه، مدل‌سازی و شبیه‌سازی نانوترانزیستورها برای مهندسان و دانشمندانی که بر روی دستگاه‌های مقیاس نانو کار می‌کنند. تصاویر فیزیکی ساده و مدل‌های نیمه تحلیلی، که با شبیه‌سازی‌های عددی دقیق تایید شده‌اند، برای نانوترانزیستورهای تکاملی و انقلابی ارائه شده‌اند.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The continuous scaling of transistors in the last half of century has been the driving force for electronics. The channel length of the transistors in production today is below 100nm. A wide variety of devices are also being explored to complement or even replace silicon transistors at molecular scales. Similarities between nanoscale and micronscale transistors exist, but nanotransistors also behave in drastically different ways. For example, ballistic transport and quantum effects become much more important. To push MOSFETs to their scaling limits and to explore devices that may complement or even replace them at molecular scale, a clear understanding of device physics at nanometer scale is necessary.

The book provides a description of the recent development of theory, modeling, and simulation of nanotransistors for engineers and scientists working on nanoscale devices. Simple physical pictures and semi-analytical models, which were validated by detailed numerical simulations, are provided for both evolutionary and revolutionary nanotransistors.



فهرست مطالب

Basic Concepts....Pages 1-38
Devices, Circuits, and Systems....Pages 39-82
The Ballistic Nanotransistor....Pages 83-114
Scattering Theory of the MOSFET....Pages 115-139
Nanowire Field-Effect Transistors....Pages 140-181
Transistors at the Molecular Scale....Pages 182-211




نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی