Nanoscale CMOS

ویرایش:  
 
سری:  
ISBN (شابک) : 9781848211803, 9781118621523 
ناشر: Wiley-ISTE 
سال نشر: 2010 
تعداد صفحات: 659 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 22 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 41,000

این کتاب بررسی جامعی از پیشرفته‌ترین پیشرفت‌ها در توسعه مواد جدید و نوآورانه و روش‌های مدل‌سازی و خصوصیات پیشرفته برای دستگاه‌های CMOS در مقیاس نانو ارائه می‌کند.

نهادهای پیشرو صنعت جهانی از جمله نقشه راه فناوری بین المللی برای نیمه هادی ها (ITRS) پیش بینی بهبود عملکرد را ایجاد کرده اند که در آینده قابل پیش بینی ارائه خواهد شد - در قالب یک نقشه راه که منجر به افزایش قابل توجهی در تعداد مواد، فناوری ها و معماری دستگاه های مورد استفاده در دستگاه های CMOS. این کتاب به حوزه توسعه مواد می‌پردازد، که موضوع یک محرک تحقیقاتی بزرگ با هدف یافتن راه‌های جدید برای افزایش عملکرد فناوری‌های نیمه‌رسانا بوده است. این سه حوزه را پوشش می‌دهد که هر کدام تأثیر شگرفی بر توسعه دستگاه‌های CMOS آینده خواهند داشت. مقاومت دسترسی بسیار کم؛ و پشته های مختلف دروازه ثابت دی الکتریک بالا برای مقیاس بندی توان.

این کتاب همچنین اطلاعاتی در مورد مناسب‌ترین روش‌های مدل‌سازی و شبیه‌سازی برای خواص الکتریکی ماسفت‌های پیشرفته، از جمله انتقال بالستیک، نشت دروازه، شبیه‌سازی اتمی، و مدل‌های فشرده برای دستگاه‌های تک و چند دروازه، نانوسیم‌ها و FET‌های مبتنی بر کربن ارائه می‌دهد. . در نهایت، این کتاب یک بررسی عمیق از تکنیک‌های اصلی نانو مشخصه‌سازی را ارائه می‌کند که می‌تواند برای تعیین دقیق پارامترهای انتقال، عیوب رابط، کرنش کانال و همچنین خواص RF، از جمله رسانایی خازنی، تقسیم C-V بهبود یافته، مقاومت مغناطیسی، بار استفاده شود. پمپاژ، نویز فرکانس پایین، و طیف‌سنجی رامان (صفحات 23-67): O. Engstrom, I. Z. Mitrovic, S. Hall, P. K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan, H. D. B. Gottlob and M. C. Lemme
فصل 3 کانالهای صاف شده Si و Ge (صفحات 69-126) : D. Leadley, A. Dobbie, M. Myronov, V. Shah and E. Parker
فصل 4 از بافرهای نازک Si/SiGe تا SSOI (صفحات 127-156): S. Mantl و D. Buca
فصل 5 مقدمه ای بر شاتکی؟ معماری سدهای MOS: مفهوم، چالش ها، مهندسی مواد و ادغام دستگاه (صفحات 157-204): E. Dubois, G. Larrieu, R Valentin, N. Breil and F. Danneville
فصل 6 مقدمه به قسمت 2 (صفحات 205-212): E. Sangiorgi
فصل 7 مدل سازی و رویکردهای شبیه سازی برای محاسبه جریان دروازه (صفحات 213-257): B. Majkusiak, P. Palestri, A. Schenk, A. S. Spinelli, C. M. Compagnoni و M. Luisier
فصل 8 مدلسازی و رویکردهای شبیه سازی برای محاسبه جریان تخلیه (صفحات 259-285): M. Vasicek, D. Esseni, C. Fiegna and T. Grasser
فصل 9 مدلسازی پایان نقشه راه nMOSFET با مواد کانال جایگزین (صفحات 287-334): Q. Rafhay, R. Clerc, G. Ghibaudo, P. Palestri and L. Selmi
فصل 10 NEGF برای شبیه سازی دستگاه سه بعدی ناهمگونی های نانومتری (صفحه های 335-38) : A. Martinez, A. Asenov and M. Pala
فصل 11 مدل های فشرده برای دستگاه های CMOS پیشرفته (صفحه های 381–442): B. Iniguez, F. Lime, A. Lazaro and T. A. Fjeldly
فصل 12 فراتر CMOS (صفحات 443-470): G. Iannaccone, G. Fiori, S. Reggiani and M. Pala
فصل 13 مقدمه قسمت 3 (صفحات 471-474): D. Flandre
فصل 14 تعیین دقیق پارامترهای انتقال در ترانزیستورهای MOS زیر?65 نانومتری (صفحات 475-544): M. Mouis and G. Ghibaudo
فصل 15 مشخصه عیوب رابط (صفحات 545-573): P. Hurley, O. Engstrom, D. Bauza و G. Ghibaudo
فصل 16 تعیین کرنش (صفحات 575-601): A. O'Neill, S. Olsen, P. Dobrosz, R. Agaiby and Y. Tsang
فصل 17 تعیین باند فرکانس گسترده (صفحات) 603–638): D. Flandre, J.?p. Raskin و V. Kilchytska

This book provides a comprehensive review of the state-of-the-art in the development of new and innovative materials, and of advanced modeling and characterization methods for nanoscale CMOS devices.

Leading global industry bodies including the International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) have created a forecast of performance improvements that will be delivered in the foreseeable future – in the form of a roadmap that will lead to a substantial enlargement in the number of materials, technologies and device architectures used in CMOS devices.    This book addresses the field of materials development, which has been the subject of a major research drive aimed at finding new ways to enhance the performance of semiconductor technologies.   It covers three areas that will each have a dramatic impact on the development of future CMOS devices: global and local strained and alternative materials for high speed channels on bulk substrate and insulator; very low access resistance; and various high dielectric constant gate stacks for power scaling.

The book also provides information on the most appropriate modeling and simulation methods for electrical properties of advanced MOSFETs, including ballistic transport, gate leakage, atomistic simulation, and compact models for single and multi-gate devices, nanowire and carbon-based FETs.  Finally, the book presents an in-depth investigation of the main nanocharacterization techniques that can be used for an accurate determination of transport parameters, interface defects, channel strain as well as RF properties, including capacitance-conductance, improved split C-V, magnetoresistance, charge pumping, low frequency noise, and Raman spectroscopy.Content:
Chapter 1 Introduction to Part 1 (pages 1–21): D. Leadley, A. Dobbie, V. Shah and J. Parsons
Chapter 2 Gate Stacks (pages 23–67): O. Engstrom, I. Z. Mitrovic, S. Hall, P. K. Hurley, K. Cherkaoui, S. Monaghan, H. D. B. Gottlob and M. C. Lemme
Chapter 3 Strained Si and Ge Channels (pages 69–126): D. Leadley, A. Dobbie, M. Myronov, V. Shah and E. Parker
Chapter 4 From Thin Si/SiGe Buffers to SSOI (pages 127–156): S. Mantl and D. Buca
Chapter 5 Introduction to Schottky?Barrier MOS Architectures: Concept, Challenges, Material Engineering and Device Integration (pages 157–204): E. Dubois, G. Larrieu, R Valentin, N. Breil and F. Danneville
Chapter 6 Introduction to Part 2 (pages 205–212): E. Sangiorgi
Chapter 7 Modeling and Simulation Approaches for Gate Current Computation (pages 213–257): B. Majkusiak, P. Palestri, A. Schenk, A. S. Spinelli, C. M. Compagnoni and M. Luisier
Chapter 8 Modeling and Simulation Approaches for Drain Current Computation (pages 259–285): M. Vasicek, D. Esseni, C. Fiegna and T. Grasser
Chapter 9 Modeling of End of the Roadmap nMOSFET with Alternative Channel Material (pages 287–334): Q. Rafhay, R. Clerc, G. Ghibaudo, P. Palestri and L. Selmi
Chapter 10 NEGF for 3D Device Simulation of Nanometric Inhomogenities (pages 335–380): A. Martinez, A. Asenov and M. Pala
Chapter 11 Compact Models for Advanced CMOS Devices (pages 381–442): B. Iniguez, F. Lime, A. Lazaro and T. A. Fjeldly
Chapter 12 Beyond CMOS (pages 443–470): G. Iannaccone, G. Fiori, S. Reggiani and M. Pala
Chapter 13 Introduction to Part 3 (pages 471–474): D. Flandre
Chapter 14 Accurate Determination of Transport Parameters in Sub?65 nm MOS Transistors (pages 475–544): M. Mouis and G. Ghibaudo
Chapter 15 Characterization of Interface Defects (pages 545–573): P. Hurley, O. Engstrom, D. Bauza and G. Ghibaudo
Chapter 16 Strain Determination (pages 575–601): A. O'Neill, S. Olsen, P. Dobrosz, R. Agaiby and Y. Tsang
Chapter 17 Wide Frequency Band Characterization (pages 603–638): D. Flandre, J.?p. Raskin and V. Kilchytska