ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics

دانلود کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics

Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics

مشخصات کتاب

Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics

ویرایش:  
نویسندگان: ,   
سری: Materials, Circuits & Devices 
ISBN (شابک) : 1849199973, 1849199981 
ناشر: The Institution of Engineering and Technology 
سال نشر: 2016 
تعداد صفحات: 383 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 15 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 53,000



کلمات کلیدی مربوط به کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics: نیمه هادی های اکسید فلز، مکمل -- طراحی و ساخت.



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 15


در صورت تبدیل فایل کتاب Nano-CMOS and Post-CMOS Electronics به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب Nano-CMOS و Post-CMOS Electronics

تقاضا برای وسایل الکترونیکی کوچکتر و قابل حمل تر، فناوری مبتنی بر نیمه هادی اکسید فلز (CMOS) را با کوچکترین اندازه های ویژگی ممکن به حد فیزیکی خود رسانده است. این مشکلات مختلف مرتبط با اندازه مانند نشت توان بالا، قابلیت اطمینان کم و اثرات حرارتی را ارائه می‌کند و محدودیتی برای کوچک‌سازی بیشتر است. برای فعال کردن وسایل الکترونیکی کوچک‌تر، نانو دستگاه‌های مختلفی از جمله ترانزیستورهای نانولوله‌ای کربنی، ترانزیستورهای گرافن، ترانزیستورهای تونلی و ممریستورها (که مجموعاً دستگاه‌های post-CMOS نامیده می‌شوند) در حال ظهور هستند که می‌توانند جایگزین ترانزیستور سیلیکونی سنتی و همه‌جا شوند.

این اثر بیش از دو جلد، مدل‌سازی، طراحی و اجرای الکترونیک CMOS در مقیاس نانو و نسل جدید دستگاه‌های پس از CMOS را در هر دو سطح دستگاه و مدار توصیف می‌کند.

جلد 1 این موارد را بررسی می‌کند. نانو الکترونیک در سطح دستگاه شامل مدل سازی و طراحی. موضوعات تحت پوشش شامل دستگاه های دی الکتریک با K بالا است. ترانزیستورهای گرافن؛ کانال های n و p تحرک بالا؛ خازن های آندی MIM; دستگاه های FinFET؛ ملاحظات قابلیت اطمینان پردازنده های نسل بعدی؛ درج بافر مبتنی بر زمان برای اتصالات نانولوله کربنی. ترانزیستورهای نانوسیمی با قطبیت قابل کنترل؛ نانولوله های کربنی برای انتقال کارآمد توان؛ مدلسازی ممریستورها در مقیاس نانو؛ و دستگاه های نورومورفیک


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

The demand for ever smaller and more portable electronic devices has driven metal oxide semiconductor-based (CMOS) technology to its physical limit with the smallest possible feature sizes. This presents various size-related problems such as high power leakage, low-reliability, and thermal effects, and is a limit on further miniaturization. To enable even smaller electronics, various nano-devices including carbon nanotube transistors, graphene transistors, tunnel transistors and memristors (collectively called post-CMOS devices) are emerging that could replace the traditional and ubiquitous silicon transistor.

Over two volumes this work describes the modelling, design, and implementation of nano-scaled CMOS electronics, and the new generation of post-CMOS devices, at both the device and circuit levels.

Volume 1 explores these nano-electronics at the device level including modelling and design. Topics covered include high-K dielectric based devices; graphene transistors; high mobility n and p channels; anodic MIM capacitors; FinFET devices; reliability considerations of next-generation processors; timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnects; controllable-polarity nanowire transistors; carbon nanotubes for efficient power delivery; modelling of memristors at nanoscale; and neuromorphic devices



فهرست مطالب

Content: Chapter 1: High-κ dielectrics and device reliabilityChapter 2: High mobility n and p channels on gallium arsenide and silicon substrates using interfacial misfit dislocation arraysChapter 3: Anodic metal-insulator-metal (MIM) capacitorsChapter 4: Graphene transistors - present and beyondChapter 5: Junction and doping-free transistors for future computingChapter 6: Nanoscale high-κ/metal-gate CMOS and FinFET based logic librariesChapter 7: FinFET and reliability considerations of next-generation processorsChapter 8: Multiple-independent-gate nanowire transistors: from technology to advanced SoC designChapter 9: Exploration of carbon nanotubes for efficient power deliveryChapter 10: Timing driven buffer insertion for carbon nanotube interconnectsChapter 11: Memristor modeling - static, statistical, and stochastic methodologiesChapter 12: Neuromorphic devices and circuits




نظرات کاربران