ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Multigroup Equations for the Description of the Particle Transport in Semiconductors (Series on Advances in Mathematics for Applied Sciences, V. 70) (Series ... in Mathematics for Applied Sciences)

دانلود کتاب معادلات چندگروهی برای توصیف حمل و نقل ذرات در نیمه رساناها (سری پیشرفتهای ریاضیات علوم کاربردی ، V. 70) (سری ... در ریاضیات علوم کاربردی)

Multigroup Equations for the Description of the Particle Transport in Semiconductors (Series on Advances in Mathematics for Applied Sciences, V. 70) (Series ... in Mathematics for Applied Sciences)

مشخصات کتاب

Multigroup Equations for the Description of the Particle Transport in Semiconductors (Series on Advances in Mathematics for Applied Sciences, V. 70) (Series ... in Mathematics for Applied Sciences)

دسته بندی: ریاضیات
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 9812563555, 9789812703385 
ناشر:  
سال نشر: 2005 
تعداد صفحات: 247 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 9 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 36,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 11


در صورت تبدیل فایل کتاب Multigroup Equations for the Description of the Particle Transport in Semiconductors (Series on Advances in Mathematics for Applied Sciences, V. 70) (Series ... in Mathematics for Applied Sciences) به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب معادلات چندگروهی برای توصیف حمل و نقل ذرات در نیمه رساناها (سری پیشرفتهای ریاضیات علوم کاربردی ، V. 70) (سری ... در ریاضیات علوم کاربردی) نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی در مورد کتاب معادلات چندگروهی برای توصیف حمل و نقل ذرات در نیمه رساناها (سری پیشرفتهای ریاضیات علوم کاربردی ، V. 70) (سری ... در ریاضیات علوم کاربردی)

شبیه‌سازی قطعی انتقال ذرات در دستگاه‌های نیمه‌رسانا جایگزین جالبی برای رویکرد رایج مونت کارلو است. در این کتاب، یک تکنیک پیشرفته به نام رویکرد چند گروهی ارائه شده است و برای انواع مشکلات حمل و نقل در نیمه هادی های حجیم و دستگاه های نیمه هادی اعمال می شود. اثرات میدان بالا و همچنین پدیده های فونون داغ در نیمه هادی های قطبی به تفصیل مورد مطالعه قرار گرفته اند. خواص ریاضی روش عددی ارائه شده مورد مطالعه قرار می‌گیرد و این روش برای شبیه‌سازی انتقال یک گاز الکترونی دو بعدی تشکیل شده در یک ساختار ناهمسان نیمه‌رسانا اعمال می‌شود. در رابطه با شبیه سازی دستگاه نیمه هادی، چندین دیود و ترانزیستور ساخته شده از سیلیکون و آرسنید گالیم مورد بررسی قرار می گیرند. برای همه این شبیه‌سازی‌ها، تکنیک‌های عددی بکار گرفته شده به تفصیل مورد بحث قرار گرفته‌اند. این مطالعه منحصر به فرد از کاربرد روش‌های مستقیم برای شبیه‌سازی دستگاه نیمه‌رسانا، مرجعی ضروری در این حوزه تحقیقاتی رو به رشد در اختیار خواننده علاقه‌مند قرار می‌دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

Deterministic simulation of the particle transport in semiconductor devices is an interesting alternative to the common Monte Carlo approach. In this book, a state-of-the-art technique called the multigroup approach is presented and applied to a variety of transport problems in bulk semiconductors and semiconductor devices. High-field effects as well as hot-phonon phenomena in polar semiconductors are studied in detail. The mathematical properties of the presented numerical method are studied, and the method is applied to simulating the transport of a two-dimensional electron gas formed at a semiconductor heterostructure. Concerning semiconductor device simulation, several diodes and transistors fabricated of silicon and gallium arsenide are investigated. For all of these simulations, the numerical techniques employed are discussed in detail. This unique study of the application of direct methods for semiconductor device simulation provides the interested reader with an indispensable reference on this growing research area.





نظرات کاربران

تمامی حقوق معنوی و مادی وبسایت متعلق به اینترنشنال لایبرری می باشد
نماد اعتماد الکترونیکی