برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید

09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status

دانلود کتاب Epitaxy پرتو مولکولی: اصول و وضعیت فعلی

مشخصات کتاب

Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status

ویرایش: 1 
نویسندگان: Dr. Marian A. Herman,  Dr. Helmut Sitter (auth.)  
سری: Springer Series in Materials Science 7 
ISBN (شابک) : 9783642971006, 9783642970986 
ناشر: Springer-Verlag Berlin Heidelberg 
سال نشر: 1989 
تعداد صفحات: 393 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 13 مگابایت

قیمت کتاب (تومان) : 33,000

کلمات کلیدی مربوط به کتاب Epitaxy پرتو مولکولی: اصول و وضعیت فعلی: مواد نوری و الکترونیکی، سطوح و رابط ها، لایه های نازک

میانگین امتیاز به این کتاب :
تعداد امتیاز دهندگان : 18

در صورت تبدیل فایل کتاب Molecular Beam Epitaxy: Fundamentals and Current Status به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب Epitaxy پرتو مولکولی: اصول و وضعیت فعلی نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.

توضیحاتی در مورد کتاب Epitaxy پرتو مولکولی: اصول و وضعیت فعلی

این اولین تک نگاری در مورد اپیتاکسی پرتو مولکولی (MBE) ارائه جامعی از پیشرفت های اخیر در MBE، همانطور که برای تبلور لایه های نازک و ساختار دستگاه از مواد نیمه هادی مختلف اعمال می شود، ارائه می دهد. MBE یک فناوری خلاء بالا است که با دمای رشد نسبتاً پایین، توانایی توقف یا شروع ناگهانی رشد، صاف کردن سطوح رشد یافته و سطوح مشترک در مقیاس اتمی، و تسهیلات منحصر به فرد برای تجزیه و تحلیل درجا پارامترهای ساختاری فیلم در حال رشد مشخص می‌شود. پارامترهای بهره برداری عالی از دستگاه های تولید شده توسط MBE مانند لیزرهای چاه کوانتومی، ترانزیستورهای تحرک الکترون بالا و فوتودیودهای بهمنی ابرشبکه باعث شده است که این فناوری به شدت توسعه یابد. متن اصلی کتاب به سه بخش تقسیم شده است. اولی مشکلات مهم تر در مورد تجهیزات MBE را ارائه و بحث می کند. دوم جنبه های فیزیکی و شیمیایی فرآیندهای تبلور مواد مختلف (عمدتا نیمه هادی ها) و ساختار دستگاه را مورد بحث قرار می دهد. بخش سوم روش‌های مشخص‌سازی را توصیف می‌کند که خواص فیزیکی فیلم یا ساختارهای رشد یافته را با پارامترهای تکنولوژیکی فرآیند تبلور پیوند می‌دهد. آخرین دستاوردها در این زمینه مورد تاکید قرار گرفته است، مانند MBE منبع جامد، از جمله MBE سیلیکونی، MBE منبع گاز، به ویژه MBE متالارگانیک، اپیتاکسی قفل شده فاز و اپیتاکسی لایه اتمی، اپیتاکسی لایه مولکولی با کمک نور و اپیتاکسی افزایش یافته مهاجرت.

توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی

This first-ever monograph on molecular beam epitaxy (MBE) gives a comprehensive presentation of recent developments in MBE, as applied to crystallization of thin films and device structures of different semiconductor materials. MBE is a high-vacuum technology characterized by relatively low growth temperature, ability to cease or initiate growth abruptly, smoothing of grown surfaces and interfaces on an atomic scale, and the unique facility for in situ analysis of the structural parameters of the growing film. The excellent exploitation parameters of such MBE-produced devices as quantum-well lasers, high electron mobility transistors, and superlattice avalanche photodiodes have caused this technology to be intensively developed. The main text of the book is divided into three parts. The first presents and discusses the more important problems concerning MBE equipment. The second discusses the physico-chemical aspects of the crystallization processes of different materials (mainly semiconductors) and device structures. The third part describes the characterization methods which link the physical properties of the grown film or structures with the technological parameters of the crystallization procedure. Latest achievements in the field are emphasized, such as solid source MBE, including silicon MBE, gas source MBE, especially metalorganic MBE, phase-locked epitaxy and atomic-layer epitaxy, photoassisted molecular layer epitaxy and migration enhanced epitaxy.

فهرست مطالب

Front Matter....Pages I-XII
Introduction....Pages 1-28
Sources of Atomic and Molecular Beams....Pages 29-72
High Vacuum Growth and Processing Systems....Pages 73-119
In-Growth Characterization Techniques....Pages 120-158
Postgrowth Characterization Methods....Pages 159-214
Fundamentals of the MBE Growth Process....Pages 215-277
Material-Related Growth Characteristics in MBE....Pages 278-340
Outlook....Pages 341-350
Back Matter....Pages 351-382