ورود به حساب

نام کاربری گذرواژه

گذرواژه را فراموش کردید؟ کلیک کنید

حساب کاربری ندارید؟ ساخت حساب

ساخت حساب کاربری

نام نام کاربری ایمیل شماره موبایل گذرواژه

برای ارتباط با ما می توانید از طریق شماره موبایل زیر از طریق تماس و پیامک با ما در ارتباط باشید


09117307688
09117179751

در صورت عدم پاسخ گویی از طریق پیامک با پشتیبان در ارتباط باشید

دسترسی نامحدود

برای کاربرانی که ثبت نام کرده اند

ضمانت بازگشت وجه

درصورت عدم همخوانی توضیحات با کتاب

پشتیبانی

از ساعت 7 صبح تا 10 شب

دانلود کتاب Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design

دانلود کتاب طراحی تقویت کننده قدرت میلی متری Aave GaN

Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design

مشخصات کتاب

Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design

دسته بندی: الکترونیک
ویرایش:  
نویسندگان:   
سری:  
ISBN (شابک) : 1630819441, 9781630819446 
ناشر: Artech House 
سال نشر: 2022 
تعداد صفحات: 339 
زبان: English 
فرمت فایل : PDF (درصورت درخواست کاربر به PDF، EPUB یا AZW3 تبدیل می شود) 
حجم فایل: 18 مگابایت 

قیمت کتاب (تومان) : 40,000



ثبت امتیاز به این کتاب

میانگین امتیاز به این کتاب :
       تعداد امتیاز دهندگان : 6


در صورت تبدیل فایل کتاب Millimeter Aave GaN Power Amplifier Design به فرمت های PDF، EPUB، AZW3، MOBI و یا DJVU می توانید به پشتیبان اطلاع دهید تا فایل مورد نظر را تبدیل نمایند.

توجه داشته باشید کتاب طراحی تقویت کننده قدرت میلی متری Aave GaN نسخه زبان اصلی می باشد و کتاب ترجمه شده به فارسی نمی باشد. وبسایت اینترنشنال لایبرری ارائه دهنده کتاب های زبان اصلی می باشد و هیچ گونه کتاب ترجمه شده یا نوشته شده به فارسی را ارائه نمی دهد.


توضیحاتی درمورد کتاب به خارجی



فهرست مطالب

Millimeter-Wave GaN Power
Amplifier Design
Contents
Preface
CHAPTER 1 Introduction
	1.1 Millimeter-WaveGaN
	1.2 State of the Art
	1.3 Applications
	1.4 Cell Phone Connectivity
	1.5 GaN-BasedPower Amplifiers
	References
CHAPTER 2
Models for GaN Technology
	2.1 Passive Components
		2.1.1 Microstrip Line
		2.1.2 Series Capacitors
		2.1.3 Shunt Capacitors
		2.1.4 Interdigital Capacitors
		2.1.5 Thin-FilmResistors
	2.2 The GaN HEMT
	2.3 DC Parameter Anomalie
		2.3.1 Current Collapse
		2.3.2 Gate and Drain Lag
		2.3.3 Poor Pinch-Off
		2.3.4 Gate Leakage
	2.4 Temperature Dependence
	2.5 Unit Cell
	2.6 Linear GaN HEMT Model
	2.7 Source and Load Modeling
		2.7.1 Modeling for Gain
		2.7.2 Modeling for Power
		2.7.3 Source/Load as Resonant Networks
		2.7.4 Drain Load Impedance
		2.7.5 Gate Source Impedance
	2.8 Unit Cell Gain and Stability
		2.8.1 Stabilization of Unit Cells
		2.8.2 Source Inductor
		2.8.3 Source Inductor and Gate Resistor
		2.8.4 Resistor with Shunt Inductor
	2.9 Nonlinear GaN HEMT Model
	2.10 EEHEMT Model Validation
		2.10.1 Linear Performance
		2.10.2 Prematched Linear Performance
		2.10.3 Prematched Nonlinear Performance
	2.11 Model Modification
	2.12 Summary
	References
CHAPTER 3
FET-BasedAmplifiers
	3.1 Class A
		3.1.1 Overdriven Class A
	3.2 Class B
		3.2.1 Class AB
		3.2.2 Overdriven Class B and AB
		3.2.3 Summary of Operation Classes
	3.3 Linearity in Amplifiers
	3.4 Low-FrequencySimulations
	3.5 Class F Amplifiers
		3.5.1 Class F Low-FrequencySimulations
		3.5.2 Class F Large Band
	3.6 Inverse Class F Amplifiers
	3.7 Millimeter-WaveAmplifiers
		3.7.1 Load-PullProcess
		3.7.2 Numerical Load-Pull
		3.7.3 Class AB: Load-PullResults
		3.7.4 Class F: Load-PullResults
		3.7.5 Class A-ABMillimeter-WaveAmplifier
		3.7.6 Class F Millimeter-WaveAmplifier
	References
CHAPTER 4
Impedance Matching
	4.1 Matching Requirements
	4.2 Reactance Compensation
	4.3 Matching with Lumped Prototypes
		4.3.1 L-Section
		4.3.2 L-Sectionand Reactance Compensation
		4.3.3 Cascade of L Sections
		4.3.4 PI Section
		4.3.5 T Section
	4.4 Matching with Distributed Prototypes
		4.4.1 Single Line Match
		4.4.2 Single Stub L Section
		4.4.3 Three Transmission Lines
		4.4.4 Selected Matching Topologies
	4.5 Network Frequency Bandwidth
	4.6 Conversion from Lumped to Distributed Elements
		4.6.1 Shunt Stubs
		4.6.2 Transmission Line
	4.7 Capacitive Loaded Transmission Line
	4.8 Impedance Inverters
	4.9 Equalizers
	4.10 Chip-LevelPower Combining
		4.10.1 Port Impedance
		4.10.2 Two-WayCombiner
		4.10.3 Three-WayCombiner
		4.10.4 Four-WayCombiner
		4.10.5 Port Impedance
	References
CHAPTER 5
Power Amplifiers
	5.1 Design Methodology
		5.1.1 Design Phase I
		5.1.2 Design Phase II
		5.1.3 Design Phase III
	5.2 Transistor Cell Size
	5.3 Design Criteria
		5.3.1 Linear Amplifiers
		5.3.3 High-EfficiencyAmplifiers
		5.3.4 Design of OMN
		5.3.5 Design of the ISMN
		5.3.6 Design of Complete Amplifier
	5.4 Case Study: High-EfficiencyAmplifier
		5.4.1 OMN_04
		5.4.2 ISMN2_4
		5.4.3 ISMN1 and IMN
	5.5 Case Study: Core Amplifier
		5.5.1 OMN_03
		5.5.2 ISMN2_03
	5.6 Case Study: Linear Amplifier
		5.6.1 OMN Linear Amp
		5.6.2 ISMN2 Linear Amp
		5.6.3 Optimization Process
	5.7 Case Study: 5G New Radio (NR) Amplifier
	5.8 EM Analysis Methodology
		5.8.1 EE-to-EMConversion of 3:1 Combiners
		5.8.2 Shunt Capacitors
		5.8.3 Fringing Capacitance
		5.8.4 EE to EM Conversion of 6:1 Circuits
		5.8.5 EM Conversion of 2:6 Circuits
		5.8.6 Fine-Tuningthe EM Circuit Block
		5.8.7 Large-WidthTransmission Lines
	5.9 Multistage Stability Analysis
		5.9.1 K-Factorand μ-Factor
		5.9.2 Loop Stability
		5.9.3 Odd-ModeStability
		5.9.4 MMIC Stability Example
	References
CHAPTER 6
State-of-the-ArtMMIC Amplifiers
	6.1 E-BandAmplifier
	6.2 F-BandAmplifier
	6.3 W-BandAmplifier
	6.4 Ka-BandClass F Amplifier
	6.5 GaN/Si Ka-BandAmplifier
	6.6 Ka-BandHigh-EfficiencyAmpli
	6.7 Ka-BandDoherty Amplifier
	References
Appendix A Bias Filters
A.1 In-BandFilters
A.2 In-Band/Out-of-BandFilters
A.3 Filtering Below 1 GHz
A.4 MMIC Assembling for Evaluation
Reference
Appendix B
Evaluation of MMICs
B.1 Large Signal Measurements
B.1.1 Calibration
B.1.2 Evaluation
B.2 Two-ToneLinearity Test
B.3 AM-to-PM
B.4 EVM and ACPR
References
About the Author
Index




نظرات کاربران