Microwave Semiconductor Devices

ما به این نتیجه دوگانه رسیده‌ایم: این اختراع یک انتخاب است، که این انتخاب الزاماً تحت تأثیر حس زیبایی علمی است. هادامارد (1945)، انتشارات دانشگاه پرینستون، با اجازه. اکثر منابع و تقویت کننده های انرژی مایکروویو و تمام دستگاه های دریافت یا تشخیص امواج مایکروویو از یک عنصر فعال نیمه هادی استفاده می کنند. توسعه دستگاه های نیمه هادی مایکروویو، که در این کتاب توضیح داده شده است، از دستگاه های ساده تر و دو ترمینالی مانند دستگاه های GUNN یا IMPATT که در دهه 1960 سرچشمه می گیرند، به مدار پیچیده یکپارچه MESFET سه ترمینالی المان های فعال ادامه یافته است. دهه 1980 و 1990 حوزه مایکروویو در چند سال اخیر در دپارتمان‌های مهندسی برق یک پیشرفت را تجربه کرده است و بیشتر این رشد با دستگاه‌های نیمه‌رسانای مایکروویو مرتبط بوده است. دانشگاه ماساچوست اخیراً یک برنامه شناخته شده در مهندسی مایکروویو توسعه داده است. بخش اعظم شتاب برای این برنامه از طریق تعامل با شرکت های صنعتی و هجوم تعداد زیادی از دانشجویان مورد حمایت صنعت فراهم شده است. این برنامه نیاز به یک دوره آموزشی در دستگاه های نیمه هادی مایکروویو داشت که جنبه های فیزیکی و همچنین جنبه های مورد علاقه مهندس را که چنین دستگاه هایی را در طرح های خود قرار می دهد را پوشش می داد. همچنین احساس می‌شد که معرفی جدیدترین دستگاه‌های توسعه‌یافته (HFET، HBT و سایر دستگاه‌های پیشرفته) در اسرع وقت مهم است.

We have reached the double conclusion: that invention is choice, that this choice is imperatively governed by the sense of scientific beauty. Hadamard (1945), Princeton University Press, by permission. The great majority of all sources and amplifiers of microwave energy, and all devices for receiving or detecting microwaves, use a semiconductor active element. The development of microwave semiconductor devices, de­ scribed in this book, has proceeded from the simpler, two-terminal, devices such as GUNN or IMPATT devices, which originated in the 1960s, to the sophisticated monolithic circuit MESFET three-terminal active elements, of the 1980s and 1990s. The microwave field has experienced a renais­ sance in electrical engineering departments in the last few years, and much of this growth has been associated with microwave semiconductor devices. The University of Massachusetts has recently developed a well recognized program in microwave engineering. Much of the momentum for this pro­ gram has been provided by interaction with industrial companies, and the influx of a large number of industry-supported students. This program had a need for a course in microwave semiconductor devices, which covered the physical aspects, as well as the aspects of interest to the engineer who incorporates such devices in his designs. It was also felt that it would be im­ portant to introduce the most recently developed devices (HFETs, HBTs, and other advanced devices) as early as possible.